硅玻璃陽極鍵合技術(shù)因鍵合強(qiáng)度高,工藝簡單而成為低成本絕壓壓力傳感器的主要封裝技術(shù)。但由于常規(guī)的硅玻璃陽極鍵合需要在相對較高的溫度下進(jìn)行且材料之間不可避免的熱膨脹系數(shù)失配將產(chǎn)生較大的殘余應(yīng)力。實(shí)驗(yàn)采用有限元方法對硅玻璃陽極鍵合進(jìn)行了系統(tǒng)的力學(xué)分析以減小殘余應(yīng)力對器件性能的影響。