為了研究不同襯底條件對MEMS壓阻傳感器性能的影響，采用3種摻雜條件的襯底進行實驗測試．在各步驟熱過程后，對3種襯底條件下壓阻區(qū)、引出區(qū)和保護框的方塊電阻進行了測量和分析．通過對各部分方塊電阻的測量可以看出，對于壓阻區(qū)（P︿-區(qū)），A#和B#的方塊電阻在開始注入擴散時相差很小，而由于注入雜質(zhì)在高溫下進一步擴散.