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可控硅關斷參數分析及新型可控硅的應用

發布時間：2009/4/28 19:56:00

文件類型：rar

資料大小：110.37KB

提供者：中國傳動網

【可控硅關斷參數分析及新型可控硅的應用】

資料介紹
對可控硅誤觸發行為及關斷過程的分析表明，du／dt參數固定的條件下，di／dt的臨界值越高，電路的可靠性越高．di／dt臨界值大大提高的邏輯可控硅、無緩沖器可控硅等新型可控硅不但能提高電路的可靠性，還可以降低成本．

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