納米晶體硅量子點場發射冷陰極的研究

在n-Si（4～5Ω·cm）襯底上淀積了400nm厚的納米晶體硅（nc-Si）量子點薄膜,將其制備成場致發射的冷陰極...[查看詳情]

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晶體硅太陽電池選擇性擴散的研究

該文主要介紹一種制造太陽電池的選擇性擴散新工藝,采用印刷電極的方法在硅片上的電極位置印刷高 磷漿料,...[查看詳情]

標簽：格式：rar下載次數：518大小：214.69KB發布時間：2009-04-26

非晶體硅平板探測器圖像質量與輻射劑量的比較研究

目的：研究非晶體硅平板探測器在不同輻射劑量下的圖像質量,并比較平板探測器（FPD）、熒光存儲和屏-片系...[查看詳情]

標簽：格式：rar下載次數：495大小：201.53KB發布時間：2009-04-26

100MW晶體硅太陽能電池片生產線在湘投產

中電科技集團第48所100MW晶體硅太陽能電池片生產線一期工程竣工投產暨二期莫基儀式在長沙隆重舉行。湖南...[查看詳情]

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晶體硅太陽電池工藝技術研究

晶體硅太陽電池是目前技術最成熟、應用最廣泛的太陽電池。以晶體硅太陽電池的生產流程為基礎，主要從提...[查看詳情]

標簽：格式：rar下載次數：528大小：435.22KB發布時間：2009-04-26

基于雙向觸發二極管的脈沖序列發生器

提出了一種基于雙向觸發二極管和單電容定時的，用于爆閃式信號燈的脈沖序列發生器。這種脈沖序列發生器...[查看詳情]

標簽：格式：rar下載次數：605大小：180.48KB發布時間：2009-04-22

基于標準CMOS工藝的一款寬帶限幅放大器芯片設計

采用SMIC 0．35μm CMOS混合信號工藝來設計開發一款適用于SDH STM-16的光接收機前端限幅放大器芯片。該...[查看詳情]

標簽：格式：rar下載次數：476大小：381.33KB發布時間：2009-04-22

納米氧化鎳的制備及超級電容性能研究

以NiS04·6H2O和NaOH為原料，采用常溫合成一水熱改性一中溫焙燒工藝制備了分散性好、平均粒徑約為40nm的...[查看詳情]

標簽：格式：rar下載次數：535大小：231.06KB發布時間：2009-04-22

控制電纜的分布電容對LED信號燈的影響

伴隨著LED信號燈的大量使用，電氣調試過程中經常會遇到LED信號燈“雙燈現象”，即：不該發光的LED信號燈...[查看詳情]

標簽：格式：rar下載次數：618大小：156.61KB發布時間：2009-04-22

低電容及漏電流的ESD保護陣列器

2線路的VBUS052CD-FAH和4線路的VBUS054CD—FHI是兩款具有低電容及漏電流的最新小型ESD保護陣列，這些器...[查看詳情]

標簽：格式：rar下載次數：519大小：64.15KB發布時間：2009-04-22