IGBT吸收突波高頻電容器

產品介紹

    應用： IGBT 模塊突波吸收，高頻、大電流、高脈沖線路

材料特性

    電容結構: 雙層金屬化膜，內部串聯結構
   金屬化膜，內部串聯結構
    封裝: 阻燃膠帶，環氧樹脂封裝，符合（UL94V-0 ）標準.
    尺寸: 參考下頁資料
    （可按客戶需求定制特殊規格）

電氣特性

    電容量: 0.047μF to 5.6μF, 參考表格數據
    額定電壓: 700,850,1000,1200,1500,2000,2500 ，3000VDC
    損耗角正切: 測試條件 1000±20 Hz ， 25±5℃.Cr≤1.5μF， 4×10-4； Cr>1.5μF， 7×10-4
    絕緣電阻: 3000s，s= MΩ. μF
    測試條件 1 minute，100Vdc （25±5℃）
    耐電壓: 2Ur （DC）測試條件 10s，t25±5℃，1Min
    工作溫度: -40～+85℃
    最大許可環境溫度: +70℃ （額定功率、電流,自然散熱條件下工作）電容量對時間的變化 : -3% ，30,000 小時（有效電壓工作狀態），或100,000 hours （額定電壓工作狀態）