編者按：安森美半導(dǎo)體以超低電容技術(shù)擴(kuò)充ESD保護(hù)產(chǎn)品系列，以安森美半導(dǎo)體專有的集成ESD保護(hù)平臺設(shè)計(jì)，提高了鉗位電壓性能，同時(shí)保持低電容和小裸片尺寸。 商安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）擴(kuò)充高性能片外靜電放電（ESD）保護(hù)產(chǎn)品系列，推出兩款業(yè)界一流的器件——ESD7L5.0D和NUP4212。這些新產(chǎn)品以安森美半導(dǎo)體專有的集成ESD保護(hù)平臺設(shè)計(jì)，提高了鉗位電壓性能，同時(shí)保持低電容和小裸片尺寸。 ESD7L5.0D采用極小的1.2 mm x 1.2 mm x 0.5 mm SOT-723封裝，保護(hù)每條線路0.5皮法（pF）電容的兩條高速數(shù)據(jù)線路。將安森美半導(dǎo)體的低電容技術(shù)集成至3引腳封裝為設(shè)計(jì)人員提供以單個(gè)器件保護(hù)USB2.0端口D+和D-線路的解決方案。ESD7L5.0D也能夠連接陰極至陰極，保護(hù)0.25 pF電容的一條雙向線路，非常適用于保護(hù)高頻射頻（RF）天線線路。 NUP4212采用小巧的1.6 mm x 1.6 mm x 0.5 mm UDFN-6封裝，保護(hù)每條線路0.7 pF的4條高速數(shù)據(jù)線路和2條Vcc電源線路。使設(shè)計(jì)人員能夠采用單個(gè)集成器件保護(hù)兩個(gè)USB端口上的D+和D-線路及Vcc線路。 這兩款新器件的主要特點(diǎn)，都來自安森美半導(dǎo)體傲視同儕的專有技術(shù)。ESD7L5.0D和NUP4212能夠?qū)?5千伏（kV）的輸入ESD波形在數(shù)納秒（ns）內(nèi)鉗位至低于7伏（V），確保當(dāng)今的對ESD敏感的集成電路（IC）具有最高水平的保護(hù)。諸如聚合物和陶瓷壓敏電阻等其它低電容片外ESD保護(hù)技術(shù)也提供低電容，但它們的ESD鉗位電壓遠(yuǎn)高于安森美半導(dǎo)體的解決方案。此外，安森美半導(dǎo)體這些硅器件沒有無源技術(shù)的磨損問題，在經(jīng)受ESD等多次浪涌事件后可靠性和性能都不會受到影響。 安森美半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品部全球市場營銷副總裁麥滿權(quán)說：“安森美半導(dǎo)體推出針對高速數(shù)據(jù)應(yīng)用的超低電容產(chǎn)品，持續(xù)擴(kuò)大我們在高性能ESD保護(hù)解決方案的領(lǐng)先地位。下一代便攜應(yīng)用需要在越來越高的數(shù)據(jù)率下具有更高的性能和更大的設(shè)計(jì)靈活性。安森美半導(dǎo)體不斷配合這個(gè)趨勢，推出完整的低電容ESD保護(hù)解決方案系列。” 采用這個(gè)技術(shù)平臺的首款產(chǎn)品ESD9L5.0S以技術(shù)、應(yīng)用和設(shè)計(jì)創(chuàng)新方面的巨大進(jìn)步而榮獲美國《Electronic Products》雜志以及中國《今日電子》雜志各頒發(fā)2007“年度產(chǎn)品”獎(jiǎng)。