

Vishay Siliconix推出新型20V P通道 TrenchFET® 第三代功率 MOSFET
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日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)發布采用其新型 p 通道 TrenchFET® 第三代技術的首款器件 ——- Si7137DP,該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝,具備業內最低的導通電阻。
新型 Si7137DP具有 1.9 mΩ(在 10 V 時)、2.5 mΩ(在 4.5 V 時)和 3.9 mΩ(在 2.5 V 時)的超低導通電阻。TrenchFET 第三代 MOSFET 的低導通電阻意味著更低的傳導損耗,從而確保器件可以比之前市面上 p 通道功率 MOSFET 更低的功耗執行切換任務。
Si7137DP 將用作適配器開關,用于筆記本電腦及工業/通用系統中的負載切換應用。適配器開關(在適配器/墻壁電源和電池電源間切換)一直處于導通狀態,消耗電流。Si7137DP 的低導通電阻能耗低,節省電力并延長兩次充電間的電池可用時間。
對于使用 20V 器件足夠的應用,Si7137DP 令設計人員無須依賴 30V 功率 MOSFET,直到最近 30V 功率 MOSFET 才成為具有如此低導通電阻范圍的唯一 p 通道器件。最接近的同類 20V p 通道器件具有 12-V 以上的柵極至源極額定值,在 4.5V 柵極驅動時導通電阻為 14 mΩ,且沒有 10V 柵極至源極電壓的特點。在同類 30V 器件中,采用 SO-8 封裝尺寸的最低 p 通道導通電阻在 10V 及 4.5V 時分別為 3.5 mΩ 和 6.3 mΩ,約為 Si7137DP 的一倍。
Vishay 將在 2009 年發布具有各種額定電壓及封裝選擇的其他 p 通道 TrenchFET 第三代功率 MOSFET。今天發布的該器件 100% 通過Rg 和 UIS 認證,且不含鹵素。
目前,新型 Si7137DP TrenchFET 功率 MOSFET 可提供樣品,并已實現量產,大宗訂單的供貨周期為 10 至 12 周。
VISHAY SILICONIX簡介
Vishay Siliconix 是現今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計算機、蜂窩電話和通信基礎設備的管理和功率轉換以及控制計算機磁盤驅動和汽車系統的固態開關的供應商。Vishay Siliconix的硅技術和封裝產品的里程碑,包括在業內建成第一個基于槽硅工藝(TrenchFET®)的功率型MOSFET和業內第一個小型的表面貼裝的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)。
創新的傳統不斷的衍生出新的硅技術,例如被設計用來在直流電到直流電的轉換和負荷切換的應用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術,以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能(PowerPAK®) 和更小空間(ChipFET®,MICRO FOOT®)新的封裝選擇。 除了功率MOSFET外,Vishay Siliconix的產品還包括功率集成電路和業界最杰出的模擬交換和多路復用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發展不僅專注于應用在蜂窩電話、筆記本計算機、和固定電信基礎設備的功率轉換元件,而且也同樣關注低電壓、約束空間的新型模擬開關集成電路。
Siliconix創建于1962年,在1996年Vishay購買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。
VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富 1,000 強企業”,是全球分立半導體(二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選 IC)和無源電子元件(電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉換器)的最大制造商之一,這些元件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫療市場的各種類型的電子設備。憑借產品創新、成功的收購戰略,以及提供“一站式”服務的能力使 Vishay 成為了全球業界領先者。有關 Vishay 的詳細信息,敬請瀏覽網站 www.vishay.com。


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