2009 年 4 月 30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出具有兩個20V P溝道的第三代TrenchFET®功率MOSFET ——- SiA921EDJ，其導(dǎo)通電阻是目前所有雙P溝道器件當中最小的，所采用的熱增強PowerPAK® SC-70封裝的占位面積只有2mmx2mm。 SiA921EDJ在4.5V和2.5V條件下分別具有59 mΩ和98 mΩ的超低導(dǎo)通電阻。第三代TrenchFET® MOSFET的低導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗，使器件在開關(guān)時比市場上任何雙P溝道功率MOSFET所消耗的能量都要少。 而其他最接近的P溝道器件在4.5V柵極驅(qū)動電壓、大于12V的柵源額定電壓下的導(dǎo)通電阻為95mΩ，在2.5V驅(qū)動電壓下的導(dǎo)通電阻為141mΩ，分別比SiA921EDJ高38%和44%。PowerPAK® SC-70封裝的占位面積為2mmx2mm，只有TSOP-6封裝尺寸的一半，而導(dǎo)通電阻則不相上下。 通過推出SiA921EDJ，Vishay將第三代P溝道TrenchFET®技術(shù)應(yīng)用到適用于手持式電子產(chǎn)品的超小封裝中。新器件可用于DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器，以及手機、智能手機、PDA和MP3播放器等便攜式設(shè)備中的負載、功放和電池開關(guān)。SiA921EDJ更低的導(dǎo)通電阻意味著更少的功耗，節(jié)約電能并延長這些設(shè)備在兩次充電期間的電池壽命。 SiA921EDJ TrenchFET®功率MOSFET 符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定。該器件現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為10至12周。 VISHAY SILICONIX簡介 Vishay Siliconix 是現(xiàn)今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計算機、蜂窩電話和通信基礎(chǔ)設(shè)備的管理和功率轉(zhuǎn)換以及控制計算機磁盤驅(qū)動和汽車系統(tǒng)的固態(tài)開關(guān)的供應(yīng)商。Vishay Siliconix的硅技術(shù)和封裝產(chǎn)品的里程碑，包括在業(yè)內(nèi)建成第一個基于槽硅工藝（TrenchFET®）的功率型MOSFET和業(yè)內(nèi)第一個小型的表面貼裝的功率型MOSFET（LITTLE FOOT®）。 創(chuàng)新的傳統(tǒng)不斷的衍生出新的硅技術(shù)，例如被設(shè)計用來在直流電到直流電的轉(zhuǎn)換和負荷切換的應(yīng)用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術(shù)，以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能（PowerPAK®） 和更小空間（ChipFET®，MICRO FOOT®）新的封裝選擇。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的產(chǎn)品還包括功率集成電路和業(yè)界最杰出的模擬交換和多路復(fù)用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發(fā)展不僅專注于應(yīng)用在蜂窩電話、筆記本計算機、和固定電信基礎(chǔ)設(shè)備的功率轉(zhuǎn)換元件，而且也同樣關(guān)注低電壓、約束空間的新型模擬開關(guān)集成電路。 Siliconix創(chuàng)建于1962年，在1998年Vishay購買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。 VISHAY簡介 Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富 1,000 強企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設(shè)備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及提供“一站式”服務(wù)的能力使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān) Vishay 的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站www.vishay.com