日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新型500V電壓的功率MOSFET ——- SiHP18N50C（TO-220）、SiHF18N50C（TO-220 FULLPAK）、SiHG20N50C，將該公司的6.2代N溝道平面FET技術延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封裝上。 新的SiHP18N50C（TO-220）、SiHF18N50C（TO-220 FULLPAK）和SiHG20N50C具有500V的額定電壓，在10V柵極驅動下的最大導通電阻僅有0.27Ω。低RDS（on）意味著更低的傳導損耗，從而為各種電子系統中的功率因數校正（PFC）和脈寬調制（PMW）應用節約能量，這些應用包括LCD TV、PC機、服務器、通信系統和焊接機器。 除了低導通電阻，這些器件的柵電荷只有65nC。柵電荷與導通電阻的乘積是評價用于功率轉換應用中MOSFET的關鍵品質因數（FOM），這些器件的品質因數只有17.75。 為提高操作的可靠性，器件經過了100%的雪崩測試，可承受高單脈沖（EAS）和反復（EAR）雪崩能量。器件可處理72A的脈沖電流和18A的連續電流。所有這三款器件均具有有效的輸出電容規格。與前一代500V功率MOSFET相比，新器件在跨導和反向恢復特性上也有所改進。 關鍵器件指標： SiHP18N50C和SiHF18N50C可提供無鉛端子，采用TO-220和FULLPAK封裝。SiHG20N50C提供無鉛的TO-247封裝。新器件現可提供樣品，將于2009年第三季度實現量產，大宗訂貨的供貨周期為八周至十周。 VISHAY SILICONIX簡介 Vishay Siliconix 是現今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計算機、蜂窩電話和通信基礎設備的管理和功率轉換以及控制計算機磁盤驅動和汽車系統的固態開關的供應商。Vishay Siliconix的硅技術和封裝產品的里程碑，包括在業內建成第一個基于槽硅工藝（TrenchFET®）的功率型MOSFET和業內第一個小型的表面貼裝的功率型MOSFET（LITTLE FOOT®）。 創新的傳統不斷的衍生出新的硅技術，例如被設計用來在直流電到直流電的轉換和負荷切換的應用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術，以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能（PowerPAK®） 和更小空間（ChipFET®，MICRO FOOT®）新的封裝選擇。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的產品還包括功率集成電路和業界最杰出的模擬交換和多路復用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發展不僅專注于應用在蜂窩電話、筆記本計算機、和固定電信基礎設備的功率轉換元件，而且也同樣關注低電壓、約束空間的新型模擬開關集成電路。 Siliconix創建于1962年，在1998年Vishay購買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。 VISHAY簡介 Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富 1,000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫療市場的各種類型的電子設備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及“一站式”服務使 Vishay 成為了全球業界領先者。有關 Vishay 的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com。