上海，2011年7月19日 — 富士通半導體（上海）有限公司今日宣布推出基于0.18 µm 技術的全新 SPI FRAM產品家族，包括MB85RS256A，MB85RS128A和MB85RS64A這3個型號，并從即日起開始為客戶提供樣片。

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory 鐵電隨機存儲器) 將SRAM 的快寫與閃存的非易失性的優勢集中在一塊芯片上。全新的SPI FRAM家族MB85RSxxx包括3個型號：MB85RS256A，MB85RS128A和MB85RS64A，分別代表256Kbit，128Kbit和64Kbit三個密度級。3個芯片的工作電壓范圍在3.0 ～ 3.6V，讀寫周期為10billion次，數據保存在55°C的條件下可達10年。其工作頻率已經大幅提高到最大25MHz。因為FRAM產品在寫處理時無需電壓增壓器，很適合低功率應用。該產品提供具有標準存儲器引腳配置的8引腳封裝，完全兼容E2PROM芯片。

憑借公司內部的開發和制造，富士通半導體可更加優化設計和工廠間的密切合作。這為向市場穩定地提供實質性的高質量產品打下了基礎。

除 SPI FRAM家族之外，富士通還提供帶I²C和并行口的FRAM獨立芯片。密度級從16Kbit到4Mbit不等。此外，富士通還計劃進一步擴展FRAM組合以滿足市場需求。

FRAM獨立存儲芯片可廣泛用于計量、工廠自動化應用以及各產業部門等需要數據采集、高速寫入和耐久性的行業。對客戶來說，FRAM不但可取代所有使用電池支持的解決方案，還是一款非常環保的產品。