器件采用7腳D²PAK封裝并具有1.1mΩ的低導通電阻和200A的連續漏極電流

         賓夕法尼亞、MALVERN— 2012 年12 月7 日— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款通過AEC-Q101認證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。該器件特別針對“重型”汽車應用，是Vishay采用兼具低電阻和高電流等級的7腳D²PAK封裝的首款功率MOSFET。

        通過高密度TrenchFET技術，器件在10V和4.5V下實現了1.1mΩ和1.3mΩ的超低最大導通電阻，將傳導損耗最小化，并能在更低的溫度下工作。此外，器件的連續漏極電流達200A，幫助工程師設計出更具魯棒性的產品，為關鍵的安全應用提供額外的安全余量。

        今天發布的SQM200N04-1m1L適用于電動轉向助力等高功率車用電機驅動應用。器件采用了專門設計，在生產過程中進行了100%的測試，可承受100A和500mJ的單個雪崩脈沖。器件具有0.4?C /W的低熱阻(結至外殼)，工作溫度范圍-55?C～+175?C。

        SQM200N04-1m1L符合RoHS，通過100%的Rg和UIS測試。器件豐富和擴展了通過AEC-Q101認證的Vishay TrenchFET功率MOSFET系列，更多信息請訪問http://www.vishay.com/mosfets/automotive-mosfets/。

        新款車用功率MOSFET現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十四周到十六周。