建立在微米/納米基礎上、采用MEMS（微機電）技術的壓力傳感器，體積小、重量輕，可以提供更高的精度、更低的功耗、更好的穩定性和一致性、以及工作在極端溫度、濕度環境下的超強能力，是行內領先的技術。此技術由菲爾斯特中國研發并推出。它通過集成Firstrate獨有的數字傳感器和Cecure-M附件，消除了傳感器上的微調電位器，保證調試后數據不受干擾，從而更好的為高科技工業、實驗室、航空、真空系統等領域服務。Firstrate壓力傳感器擁有±0.05%FS端點精度或0.1%FS讀數精度，確保測試結果在整個測試過程的穩定可靠。對環境溫度的影響幾乎可以忽略不計，其寬溫度范圍內的溫度誤差僅為一、先進的MEMS（微機電）和MPT（微組裝）工藝；

微機電系統（MEMS，Micro-Electro-MechanicSystem）是一種先進的制造技術平臺。它是以半導體制造技術為基礎發展起來的。MEMS技術采用了半導體技術中的光刻、腐蝕、薄膜等一系列的現有技術和材料，因此從制造技術本身來講，MEMS中基本的制造技術是成熟的。但MEMS更側重于超精密機械加工，并要涉及微電子、材料、力學、化學、機械學諸多學科領域。

隨著電路及工業發展，多芯片模塊（MCM）技術、倒裝芯片（FC）和多層陶瓷基板技術的發展，在高密度多層互連電路板上，運用組裝和封裝工藝，把微小型電子元器件組裝成高密度、高速度、高可靠性立體結構的電子產品，這種高密度組裝技術就是微組裝技術（micro-packagingtechnology）。

硅膜片的厚度每差3～4μm，即影響壓力傳感器的一個量程，硅膜片厚度的精度影響傳感器的成品率和一致性。因此，在這個數量級尺寸上操作完成膜片與其它部件的連接而不影響單晶硅的性能是一個巨大的挑戰。加之MEMS與宏觀機電系統相比，許多物理現象有很大的區別。比如，隨著尺寸的減小，與尺寸3次方成比例的像慣性力、體積力及電磁力等的作用將明顯減弱；而與尺寸2次方成比例的像粘性力、表面力、靜電力及摩擦力等的作用則明顯增強，并成為影響微機械性能的主要因素。宏觀機械常使用的計算方法和理論將不再適用。

杰出的Firstrate工程師結合微動力學、微流體力學、微熱力學、微摩擦學、微光學和微結構學發展的成果，運用綠色環保的無鉛焊接工藝，完美的實現了單晶硅片與其它部件之間的無損連接。MEMS器件的體積得到極大的縮小，與普通的器件體積減小90%以上的同時，功耗也降低了80%以上。

二、先進的溫補技術

材料特性決定了硅壓阻式壓力傳感器在輸入壓力P數值不變的情況下，當工作溫度t變化時將引起傳感器輸出發生變化。為了消除非目標參量（溫度）對傳感器輸出特性的影響，可采用多種智能化補償技術。

目前，軟件補償方法主要有插值法、曲線曲面擬合法、查表法和BP神經網絡法。在插值法中，數據假定是正確的，要求以某種方法描述數據之間所發生的情況。曲線擬合方法就是設法找出某條光滑曲線，它是最佳的擬合數據，但不必要經過任何數據點。查表法是預先將一系列參數裝人一個參數表內，獲得測量數據后，根據相應的參數進行處理。查表法需要占用很大的存儲空間，不適用于微處理器。神經網絡方法通過建立人工神經網絡模型，并通過樣本訓練確定網絡參數。

Firstrate采用針對硅壓阻式壓力傳感器溫度漂移問題，設計了基于因子分析和RBF神經網絡相結合的補償方法，RBF神經網絡是前饋神經網絡中的一類特殊的3層神經網絡，是典型的局部逼近神經網絡，具有學習快、不會陷入局部最優的優點。RBF神經網絡是新穎有效的前饋式神經網絡，具有較高的運算速度和較強的非線性映射能力，能以任意精度全局逼近某非線性函數。該方法通過因子分析實現了對原始信息的篩選和降維，既減少數據冗余，又排除相關、重復數據的影響，形成新的訓練樣本集。結合RBF神經網絡的非線性映射、自適應能力和強容錯性對補償過程進行建模，減少了網絡的輸入，利于簡化網絡結構，進而加快收斂，節省運行時間，大大提高了網絡的學習速率與泛化能力。基于因子分析的RBF神經網絡有效解決了傳感器在大范圍環境溫度變化情況下靜態電壓零點漂移和靈敏度漂移的問題，提高了傳感器的穩定。

Firstrate自行開發設計的全自動溫度補償校準系統在溫度補償校準過程中動態的更新校驗結果數據。系統首先打開內部傳感器實驗室校驗數據文件，將物理量和輸出毫伏數讀人到內存變量，并設置多媒體定時器參數，根據所選通道及采樣速率，下載掃描表，啟動采集裝置進行采集。通過定時器中斷服務程序及GPIB總線，將傳感器實驗室校驗時標準壓強對應輸出的毫伏數送給程控電源，待采集到的數據穩定后，將采集緩沖區數據讀到計算機內存，記錄保存。通道校驗完成后，計算通道斜率、截距、標準偏差、相關系數，并顯示校驗結果，將校驗數寫入采集數據庫，保存至自校文件中，當保存文件名在當前目錄中存在時，程序將原文件備份后保存文件。自動校準完成。

三、優異的感應（彈性）結構設計

硅壓阻式微傳感器的壓力靈敏度除與硅膜片的厚度、大小、壓敏電阻阻值大小有關外，還與電阻在硅膜片的分布方位及在硅膜片上的位置有關。通過有限元分析，Firstrate的研究人員分析了壓敏電阻構成的電橋電路其輸出電壓靈敏度與電阻所處位置和方向的關系，求出傳感器的壓力靈敏度極值及其條件；分析了電阻的縱向壓阻系數和橫向壓阻系數與方向的關系，并求出其極值，找出了線性與輸出值綜合最優的位置。

要保證壓力傳感器長期穩定，如何提高傳感器的過載能力顯得尤為重要。利用有限元分析法，Firstrate的工程師們在保證傳感器滿量程范圍內線性響應的前提下，調整犧牲層厚度，通過彈性膜片與襯底的適當接觸，有效的提高了傳感器的過載保護能力。使產品達到300%FS過壓自恢復，500%FS破壞壓的能力。