時間:2019-01-07 11:35:41來æºï¼šè²¿æ¾¤é›»åè¨è¨ˆåœˆ
GaNHEMTçš„é›»æ°£ç‰¹æ€§ä½¿å¾—å·¥ç¨‹å¸«å€‘é¸æ“‡å®ƒä¾†è¨è¨ˆæ›´åŠ ç·Šæ¹Šã€æ‰¿å—é«˜å£“å’Œé«˜é »çš„é›»å‹•æ©Ÿï¼Œç¶œä¸Šæ‰€è¿°é€™é¡žå™¨ä»¶æœ‰å¦‚ä¸‹å„ªé»žï¼š
較高的擊穿電壓,å…許使用更高(大于1000V)的輸入電壓
較高的電æµå¯†åº¦ï¼Œä½¿å¾—GaN組件在ä¸é™ä½ŽåŠŸçŽ‡çš„æƒ…æ³ä¸‹è¨è¨ˆå¾—更緊湊
快速開關能力,支æŒé«˜é »ï¼ˆ200KHzåŠä»¥ä¸Šï¼‰é›»æ©Ÿé‹è¡Œ
é«˜é »æ“作,é™åˆ¶è¼¸å‡ºé›»æµæ³¢å‹•ï¼Œæ¸›å°æ¿¾æ³¢å™¨å…ƒä»¶å°ºå¯¸
é™ä½Žé–‹é—œåŠŸè€—ï¼Œé™åˆ¶åŠŸçŽ‡æå¤±ï¼Œæä¾›æ•ˆçއ
è€é«˜æº«ï¼Œå…許使用較å°çš„æ•£ç†±å™¨
高度集æˆï¼Œå…許在芯片上集æˆGaNHEMTï¼ˆèˆ‡ç¡…ææ–™ä¸åŒï¼‰
較少BOMææ–™ï¼Œç°¡åŒ–è¨è¨ˆæ–¹æ¡ˆï¼Œåœ¨é›»æ©Ÿé©…動方案ä¸GaNHEMTå¯ä»¥è™•ç†å„種電æµï¼Œè€Œä¸éœ€è¦IGBT所需的åå‘二極管。
é€™äº›å„ªé»žè®“å·¥ç¨‹å¸«èƒ½å¤ è¨è¨ˆå‡ºé«˜åº¦ç·Šæ¹Šçš„電動機,其輸出功率與傳統電機相åŒï¼Œé«”ç©åƒ…為傳統電機的二分之一,而且功耗低得多,唯一的缺點是GaNHEMTè¨è¨ˆéœ€è¦æ›´é«˜æ°´å¹³çš„電路開發和測試的專æ¥çŸ¥è˜ã€‚
圖一:集æˆè§£æ±ºæ–¹æ¡ˆæœ€å¤§é™åº¦çš„æé«˜GaNHEMT器件帶來的好處
直到最近MOSFETå’ŒIGBT器件相比GaNHEMT的一個關éµå„ªå‹¢æ˜¯å®ƒå€‘廣泛的商æ¥å¯ç”¨æ€§ï¼Œä½†æ˜¯ç¾åœ¨å·¥ç¨‹å¸«å€‘å·²ç¶“èƒ½å¤ å¾ˆå®¹æ˜“çš„ä½¿ç”¨GaNHEMTæŠ€è¡“äº†ï¼Œæ›´å¥½çš„æ¶ˆæ¯æ˜¯ç¡…供應商ç¾åœ¨å¯ä»¥æä¾›åŸºäºŽGaNHEMT的集æˆè§£æ±ºæ–¹æ¡ˆï¼Œå¤§å¤§ç°¡åŒ–äº†é«˜å£“é«˜é »äº¤æµé›»æ©Ÿçš„逆變器è¨è¨ˆã€‚
在æ¤ä¹‹å‰GaNHEMTè¢«åŒ…è£æˆä¸€å€‹å¸¶æœ‰ç¨ç«‹é©…å‹•çš„åˆ†ç«‹å™¨ä»¶ï¼Œå› ç‚ºæ™¶é«”ç®¡å’Œé©…å‹•å…ƒä»¶æ˜¯åŸºäºŽä¸åŒå·¥è—技術的,而且通常由ä¸åŒçš„åˆ¶é€ å•†æä¾›ï¼Œé€™ç¨®çš„缺點是å˜åœ¨å¯„ç”Ÿé›»é˜»å’Œé›»æ„Ÿä¹‹é–“çš„é€£æŽ¥å°Žç·šï¼Œå¢žåŠ äº†é–‹é—œæè€—。將GaNHEMT和驅動元件集æˆåœ¨ç›¸åŒçš„æ¡†æž¶å…§å¯ä»¥æ¶ˆé™¤å…±æºé›»æ„Ÿï¼Œé€™åœ¨å¿«é€Ÿé–‹é—œé›»è·¯ä¸å°¤å…¶çš„é‡è¦ï¼Œå› 為ä¸éœ€è¦çš„電感會產生振響,從而å¯èƒ½å°Žè‡´é›»æµä¿è·é›»è·¯å‡ºç¾æ•…障。集æˆå°è£çš„第二個關éµå„ªé»žæ˜¯å¯ä»¥åœ¨é©…動元件ä¸å…§ç½®ç†±å‚³æ„Ÿå™¨ï¼Œç¢ºä¿åœ¨éŽç†±æƒ…æ³ä¸‹GaNHEMTæå£žä¹‹å‰é—œé–‰ã€‚
TI(德州儀器)推出了一款基于GaNHEMTã€é«˜é€Ÿé©…å‹•å’Œä¿è·æ©Ÿåˆ¶çš„功率級器件LMG3410R070(圖2ï¼‰ï¼Œé€™æ¬¾ç”¢å“æ˜¯è¡Œæ¥å…§é¦–款600VGaN集æˆåŠŸçŽ‡ç´šå™¨ä»¶ï¼Œé‡‡ç”¨çš„æ˜¯8mmX8mmQFNå°è£çš„多芯片模塊(MCM),方便工程師方案è¨è¨ˆã€‚導通電阻éžå¸¸ä½Žï¼Œåƒ…70mΩ,這款門驅動器內置了é™å£“/å‡å£“轉æ›å™¨ï¼Œå¾žè€Œå¯ä»¥ç”¢ç”Ÿè² 電壓來關閉GaNHEMT。
圖2:TI推出的LMG3410R070功率級器件集æˆäº†GaNHEMT和驅動器(來æºï¼šå¾·å·žå„€å™¨ï¼‰
LMG3410R070GaN功率級器件的一個關éµå„ªé»žæ˜¯åœ¨ç¡¬åˆ‡æ›æ™‚控制轉æ›é€ŸçŽ‡ï¼Œé€™ç¨®æŽ§åˆ¶å°äºŽæŠ‘制PCB寄生電阻和EMI具有é‡è¦æ„義,TI這款產å“采用å¯ç·¨ç¨‹é›»æµä¾†é©…å‹•GaN門,使得轉æ›é€Ÿçއå¯ä»¥è¨å®šåœ¨30~100V/ns之間。
兩個LMG3410R070GaN功率級器件å¯ä»¥çµ„æˆåŠæ©‹çµæ§‹ï¼Œå¯¦ç¾å¿«é€Ÿçš„ç¡¬åˆ‡æ›æ“作,é™ä½Žé–‹é—œæè€—,消除寄生電感和åå‘é›»è·ï¼Œé€™äº›éƒ½æ˜¯è¨è¨ˆäººå“¡é©…動大功率電機ä¸åŒéšŽæ®µæ‰€éœ€è¦çš„(圖3)。
圖3:該應用電路原ç†åœ–展示了兩個TIGaN功率級器件組æˆçš„åŠæ©‹çµæ§‹ï¼Œå¯ä»¥ç”¨ä¾†é©…動三相電機的æŸä¸€ç›¸ï¼ˆä¾†æºï¼šå¾·å·žå„€å™¨ï¼‰
æå»ºé«˜æ€§èƒ½é›»æ©Ÿçš„驅動器
一個完整的交æµé›»æ©Ÿé©…動解決方案(圖4)有三個部分組æˆï¼šæ•´æµå™¨ï¼ˆäº¤æµ/ç›´æµè½‰æ›å™¨ï¼‰ã€ç›´æµé›»è·¯å’Œé€†è®Šå™¨ï¼ˆç›´æµ/交æµè½‰æ›å™¨ï¼‰
圖4:該電機驅動解決方案原ç†åœ–說明了直æµé›»è·¯éƒ¨åˆ†é›»å®¹æ”¾ç½®çš„ä½ç½®ã€‚(來æºï¼šKEMET)
æ•´æµå™¨é€šå¸¸æ˜¯é‡‡ç”¨äºŒæ¥µç®¡æˆ–晶體管拓撲,將標準的50或60Hz的交æµé›»æºè½‰æ›ç‚ºç›´æµé›»æºï¼Œæ•´æµå™¨è¼¸å‡ºçš„ç›´æµé›»æºç¶“éŽéŽæ¿¾å¹¶å˜å„²åœ¨ç›´æµé›»è·¯éƒ¨åˆ†ï¼Œç„¶åŽè¼¸å…¥çµ¦é€†è®Šå™¨ï¼Œé€†è®Šå™¨æœƒå°‡ç›´æµé›»æºè½‰æ›æˆä¸‰å€‹æ£å¼¦çš„PWM信號,用來驅動三相交æµé›»æ©Ÿã€‚
ç›´æµé›»è·¯éƒ¨åˆ†èµ·åˆ°çš„作用如下:
å°æ•´æµå™¨è¼¸å‡ºçš„電壓和電æµé€²è¡ŒéŽæ¿¾
消除整æµå™¨è¼¸å‡ºé›»å£“的毛刺,å¦å‰‡å¯èƒ½æœƒæå£žé€†è®Šå™¨çš„æ™¶é«”管
æé«˜é›»è·¯æ•ˆçއ
消除å¯èƒ½æå£žæ™¶é«”管的感應電æµ
確ä¿é›»åŠ›èƒ½å¤ å¹³ç©©å‚³è¼¸åˆ°è² è¼‰
ç›´æµéƒ¨åˆ†é€šå¸¸é‡‡ç”¨å–®å€‹é›»å®¹å™¨ï¼Œè¨è¨ˆåœ¨é›»æ©Ÿé©…動電路的整æµå™¨å’Œé€†è®Šå™¨å…©ç´šä¹‹é–“,雖然直æµéƒ¨åˆ†æ˜“于實ç¾ï¼Œä½†æ˜¯å®ƒå°äºŽé›»æ©Ÿçš„æ•´é«”性能和效率的é‡è¦æ€§ä½¿å¾—å…ƒä»¶çš„é¸æ“‡è‡³é—œé‡è¦ã€‚
ç›´æµéƒ¨åˆ†çš„è¨è¨ˆé‚„是具有挑戰性的,涉åŠåˆ°é«˜é€ŸçŽ‡çš„é›»å£“è½‰æ›(dV/dt)å’Œé«˜é›»å£“å³°å€¼ï¼Œå› æ¤è¨è¨ˆäººå“¡è¦é¸æ“‡èƒ½å¤ 承å—這種壓力的器件éžå¸¸é‡è¦ï¼ŒKEMET推出的KC-LINK電容采用的是陶瓷(鋯酸鈣,CaO3Zrï¼‰ææ–™å’ŒéŽ³é›»æ¥µï¼Œæ˜¯éžå¸¸å¥½çš„鏿“‡ï¼Œå®ƒæ˜¯å°ˆé–€ç‚ºé«˜å£“ã€é«˜é »é›»è·¯è€Œè¨è¨ˆçš„。
KC-LINK器件的關éµç‰¹æ€§æ˜¯éžå¸¸ä½Žçš„ç‰æ•ˆä¸²è¯é›»é˜»ï¼ˆESRï¼‰å’Œç‰æ•ˆä¸²è¯é›»æ„Ÿï¼ˆESL),這樣有助于æé«˜ç³»çµ±æ•ˆçŽ‡ï¼Œç‰¹åˆ¥æ˜¯åœ¨é«˜å£“æ‡‰ç”¨ä¸ï¼Œæ¤å¤–é›»å®¹èƒ½å¤ åœ¨é«˜é »å’Œé«˜æº«ä¸‹å·¥ä½œé€™æ˜¯ä¸‹ä¸€ä»£é›»æ©Ÿæ‰€å¿…é ˆçš„ï¼Œé›»å®¹å™¨è¦èƒ½å¤ 承å—10MHzçš„é »çŽ‡ï¼Œæº«åº¦èŒƒåœå¾ž-55~150℃,該器件的å¦ä¸€å€‹ç‰¹æ€§æ˜¯é›»å®¹ä¸æœƒéš¨é›»å£“變化而發生漂移,這是經éŽAEC-Q200標準èªè‰çš„。
總çµ
WBGåŠå°Žé«”器件的商æ¥å¯ç”¨æ€§ï¼Œæ¯”如電機逆變器的GaNHEMT和直æµéƒ¨åˆ†çš„高性能電容器æ£åœ¨ä¸æ–·æ»¿è¶³è¨è¨ˆäººå“¡å°äºŽå¤§åŠŸçŽ‡é›»æ©Ÿé©…å‹•çš„å¯é 性需求,這些關éµéƒ¨ä»¶è®“è¨è¨ˆäººå“¡èƒ½å¤ æå‡ç¾æœ‰çš„產å“ï¼Œæ˜¯é›»æ©Ÿè®Šå¾—æ›´åŠ ç·Šæ¹Šã€è¼•ä¾¿è€Œä¸”åƒ¹æ ¼æ›´ä½Žï¼ŒåŒæ™‚ä½¿å¾—é›»æ©Ÿçš„ä½¿ç”¨èŒƒåœæ“´å¤§åˆ°æ›´å»£æ³›çš„æ–°åž‹æ‡‰ç”¨é ˜åŸŸï¼Œæ¤å¤–新一代高功率電機將大大é™ä½Žèƒ½æºéœ€æ±‚ï¼Œç‚ºç¶ è‰²åœ°çƒä½œå‡ºè²¢ç»ã€‚
é—œéµè¦é»ž
é«˜é »é«˜å£“é›»æ©Ÿæœƒå¢žå¼·åŠŸçŽ‡ï¼Œæå‡æ•ˆçއ
電機應用ä¸é«˜é »é©…動逆變器的快速切æ›å¦‚果采用傳統的MOSFETå’ŒIGBT會產生ä¸å¯æŽ¥å—çš„æè€—ã€
WBGåŠå°Žé«”晶體管比如GaNèƒ½å¤ å…‹æœé€™äº›å•題
集æˆGaNHEMT和驅動器方案ç¾åœ¨å·²ç¶“å¯ä»¥æ‡‰ç”¨äºŽé›»æ©Ÿç³»çµ±ä¸
èƒ½å¤ æ‰¿å—高壓æ¢ä»¶çš„高性能電容也å¯ä»¥æ‡‰ç”¨åˆ°éœ€è¦é«˜å£“é«˜é »é›»æ©Ÿé©…å‹•é›»è·¯çš„ç›´æµéƒ¨åˆ†
è²æ˜Žï¼šæœ¬æ–‡ç‚ºè½‰è¼‰é¡žæ–‡ç« ,如涉åŠç‰ˆæ¬Šå•é¡Œï¼Œè«‹åŠæ™‚è¯ç³»æˆ‘們刪除(QQ:2737591964),ä¸ä¾¿ä¹‹è™•,敬請諒解ï¼
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