時(shÃ)間:2021-03-22 14:59:16來(lái)æºï¼šEEWORLD
  大功率電機(jÄ«)é©…(qÅ«)å‹•(dòng)的注æ„äº‹é …(xià ng)
  å°(duì)于汽車(chÄ“)å‹•(dòng)åŠ›ç¸½æˆæ‡‰(yÄ«ng)用,典型的48V電機(jÄ«)é©…(qÅ«)å‹•(dòng)系統(tÇ’ng)需è¦10kW至30kW的電功率。傳統(tÇ’ng)çš„12Vé›»æ± ç³»çµ±(tÇ’ng)ç„¡(wú)法滿(mÇŽn)è¶³è©²åŠŸçŽ‡æ°´å¹³ï¼Œå› æ¤å¿…é ˆé‡‡ç”¨48Væž¶æ§‹(gòu)來(lái)支æŒå¤§åŠŸçŽ‡é›»æ©Ÿ(jÄ«)é©…(qÅ«)å‹•(dòng)。
  閱讀白皮書(shÅ«)《如何構(gòu)建功能安全的å°åž‹48Vã€30kW輕混電動(dòng)車(chÄ“)電機(jÄ«)é©…(qÅ«)å‹•(dòng)系統(tÇ’ng)》,詳細(xì)了解如何解決電機(jÄ«)é©…(qÅ«)å‹•(dòng)系統(tÇ’ng)é©…(qÅ«)å‹•(dòng)電路ä¸çš„é‡å¤§è¨(shè)計(jì)難題。
  如圖1所示,48V電機(jÄ«)é©…(qÅ«)å‹•(dòng)器控制外部金屬-氧化物åŠå°Ž(dÇŽo)é«”å ´(chÇŽng)效應(yÄ«ng)晶體管(MOSFET),以使電機(jÄ«)旋轉(zhuÇŽn)。這些外部MOSFETå¿…é ˆæ”¯æŒ600Aä»¥ä¸Šçš„é›»æµæ‰èƒ½å¯¦(shÃ)ç¾(xià n)30kW的功率目標(biÄo)。有效減å°MOSFETçš„RDS(on)坿¸›å°ç†±è€—散和導(dÇŽo)通æè€—,在æŸäº›æƒ…æ³ä¸‹ï¼Œæ¯å€‹(gè)通é“ä¸å¹¶è¯(lián)多個(gè)MOSFET將有助于分散熱é‡ï¼Œå¦‚應(yÄ«ng)用手冊(cè)《使用DRV3255-Q1é©…(qÅ«)å‹•(dòng)å¹¶è¯(lián)MOSFETã€‹ä¸æ‰€è¿°ã€‚MOSFET的總柵極電è·å¯èƒ½é«˜é”(dá)1,000nC。
  è¨(shè)計(jì)人員還需è¦å„ª(yÅu)化由開(kÄi)é—œ(guÄn)æè€—引起的功率耗散,以使整個(gè)è§£æ±ºæ–¹æ¡ˆç¬¦åˆæ±½è»Š(chÄ“)é›»ç£å…¼å®¹æ€§(EMC)è¦(guÄ«)èŒƒã€‚é«˜æŸµæ¥µé›»æµæŸµæ¥µé©…(qÅ«)å‹•(dòng)器(如DRV3255-Q1)å¯ä»¥é©…(qÅ«)å‹•(dòng)高柵極電è·MOSFET,其峰值æºé›»æµé«˜é”(dá)3.5A,峰值å¸é›»æµé«˜é”(dá)4.5A。å³ä½¿åœ¨æŸµæ¥µé›»è·ç‚º1,000nC的情æ³ä¸‹ï¼Œå¦‚æ¤é«˜çš„輸出電æµä¹Ÿå¯ä»¥å¯¦(shÃ)ç¾(xià n)很çŸçš„上å‡å’Œä¸‹é™æ™‚(shÃ)間。å¯é¸çš„æŸµæ¥µé©…(qÅ«)å‹•(dòng)å™¨è¼¸å‡ºé›»æµæ°´å¹³ä½¿æ‚¨å¯ä»¥å¾®èª¿(dià o)上å‡å’Œä¸‹é™æ™‚(shÃ)間,從而在開(kÄi)é—œ(guÄn)æè€—和電ç£å…¼å®¹æ€§(EMC)之間進(jìn)行優(yÅu)化。
圖1:大功率48V電機(jÄ«)é©…(qÅ«)å‹•(dòng)器的最常見(jià n)é›»æºæž¶æ§‹(gòu)
  å³ä½¿é›»æ± 的標(biÄo)稱(chÄ“ng)電壓為48V,電æºé›»å£“也å¯èƒ½å› é‹(yùn)行期間的瞬態(tà i)情æ³è€Œç™¼(fÄ)生很大的變化;è«‹(qÇng)åƒé–±åœ–2ä¸åœ‹(guó)際標(biÄo)準(zhÇ”n)化組織 (ISO) 21780 è¦(guÄ«)定的電壓水平。æ¤å¤–,考慮到MOSFET寄生體二極管的å呿¢å¾©(fù)時(shÃ)間,電機(jÄ«)é©…(qÅ«)å‹•(dòng)器引腳需è¦èƒ½å¤ 承å—è² (fù)瞬態(tà i)電壓。
圖2:ISO 21780è¦(guÄ«)定的48V系統(tÇ’ng)的電壓水平
ã€€ã€€æ†‘å€Ÿèƒ½å¤ æ‰¿å—105V電壓的高å´(cè)自舉引腳,DRV3255-Q1èƒ½å¤ åœ¨90V的電壓下支æŒçœŸæ£çš„連續(xù)工作,并支æŒé«˜é”(dá)95V的瞬態(tà i)電壓。自舉的高å´(cè)MOSFETæºæ¥µå’Œä½Žå´(cè)MOSFETæºæ¥µçš„é¡å®šçž¬æ…‹(tà i)電壓為–15V,從而æä¾›å¤§åŠŸçŽ‡é›»æ©Ÿ(jÄ«)é©…(qÅ«)å‹•(dòng)器系統(tÇ’ng)所需的強(qiáng)大ä¿è·(hù)。
  48V電機(jÄ«)é©…(qÅ«)å‹•(dòng)器的功能安全注æ„äº‹é …(xià ng)
  48V電機(jÄ«)é©…(qÅ«)å‹•(dòng)系統(tÇ’ng)å˜åœ¨ç”¢(chÇŽn)生ä¸å¿…è¦åŠŸè€—çš„é¢¨(fÄ“ng)險(xiÇŽn),這å¯èƒ½æœƒ(huì)å°Ž(dÇŽo)致出ç¾(xià n)éŽ(guò)壓情æ³ï¼Œå¾žè€Œæå£žç³»çµ±(tÇ’ng)。æ£å¸¸çš„系統(tÇ’ng)響應(yÄ«ng)是使所有高å´(cè)或低å´(cè)MOSFETå°Ž(dÇŽo)通,使電機(jÄ«)é›»æµå†å¾ªç’°(huán),é¿å…產(chÇŽn)生更多電æµã€‚如果出ç¾(xià n)故障,系統(tÇ’ng)å¿…é ˆå…·æœ‰é©ç•¶(dÄng)?shù)åŽè¢šQ功能性MOSFET的機(jÄ«)制,以é¿å…進(jìn)ä¸€æ¥æå£žã€‚å¯¦(shÃ)æ–½æ¤é¡ž(lèi)ä¿è·(hù)通常需è¦å¤–部é‚輯和比較器。
  利用集æˆåœ¨DRV3255-Q1ä¸çš„主動(dòng)çŸè·¯é‚輯,您å¯ä»¥æ±ºå®šåœ¨æª¢æ¸¬(cè)åˆ°æ•…éšœæƒ…æ³æ™‚(shÃ)應(yÄ«ng)如何響應(yÄ«ng)。å¯ä»¥å°‡è©²é‚輯é…置為啟用所有高å´(cè)MOSFETã€å•Ÿç”¨æ‰€æœ‰ä½Žå´(cè)MOSFET或在低å´(cè)和高å´(cè)MOSFET之間動(dòng)æ…‹(tà i)切æ›(具體喿±ºäºŽæ•…障情æ³)ï¼Œè€Œä¸æ˜¯é€šéŽ(guò)ç¦ç”¨æ‰€æœ‰MOSFET來(lái)響應(yÄ«ng)故障情æ³ã€‚æ¤å¤–,DRV3255-Q1符åˆISO 26262è¦(guÄ«)定的功能安全標(biÄo)準(zhÇ”n),并包å«è¨ºæ–·å’Œä¿è·(hù)åŠŸèƒ½ï¼Œå¯æ”¯æŒASIL Dç´š(jÃ)的功能安全電機(jÄ«)é©…(qÅ«)å‹•(dòng)器系統(tÇ’ng)。
  48V電機(jÄ«)é©…(qÅ«)å‹•(dòng)器的尺寸注æ„äº‹é …(xià ng)
  發(fÄ)å‹•(dòng)機(jÄ«)艙ä¸çš„空間有é™ï¼Œå› æ¤è¦æ±‚48V電機(jÄ«)é©…(qÅ«)å‹•(dòng)器系統(tÇ’ng)的電路æ¿å…·æœ‰è¼ƒå°çš„尺寸。圖3展示了傳統(tÇ’ng)48V大功率電機(jÄ«)é©…(qÅ«)å‹•(dòng)器è¨(shè)計(jì)的典型電機(jÄ«)é©…(qÅ«)å‹•(dòng)器方框圖。è¦å¯¦(shÃ)ç¾(xià n)具有強(qiáng)大ä¿è·(hù)功能的安全電機(jÄ«)é©…(qÅ«)å‹•(dòng)器系統(tÇ’ng),需è¦ä½¿ç”¨é‰—ä½äºŒæ¥µç®¡ã€å¤–部驅(qÅ«)å‹•(dòng)電路ã€åŒ¯è·¯é›»é˜»å™¨å’ŒäºŒæ¥µç®¡ã€æ¯”較器以åŠå¤–部安全é‚輯。這些外部器件會(huì)å°Ž(dÇŽo)致布æ¿ç©ºé–“增大并使系統(tÇ’ng)æˆæœ¬å‡é«˜ã€‚
圖3:典型的48V大功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)器方框圖
  在采用DRV3255-Q1åŽï¼Œé€šéŽ(guò)集æˆå¤–部é‚輯和比較器ã€å¯èª¿(dià o)節(jié)é«˜é›»æµæŸµæ¥µé©…(qÅ«)å‹•(dòng)器以åŠå°(duì)大電壓瞬態(tà i)的支æŒ(ç„¡(wú)需é¡å¤–的外部器件),å¯ä»¥æä¾›é¡¯è‘—的優(yÅu)å‹¢(shì)來(lái)有效減å°ç¸½é«”電路æ¿å°ºå¯¸ï¼Œå¦‚圖4所示。
圖4:簡(jiǎn)化的DRV3255-Q1電機(jī)驅(qū)動(dòng)器方框圖
  隨著48V輕混電動(dòng)車(chÄ“)日益普é,您是å¦è€ƒæ…®ç‚ºä¸‹ä¸€è¼›æ±½è»Š(chÄ“)采用輕混電動(dòng)車(chÄ“)?=
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