MP5507E 采用 MPS 取得的能量存儲和釋放管理技術(shù)專利，可最大程度地減少所需的存儲部件、系統(tǒng)解決方案尺寸和成本。

　　MP5507E 電源管理芯片在正常條件下將輸入電壓升到更高的存儲電壓，并在輸入中斷的情況下，將能量釋放到系統(tǒng)中。

　　具有 DVDT 控制功能的內(nèi)部輸入限流模塊可防止系統(tǒng)上電期間的浪涌電流，并在備份期間提供反向電流阻斷功能。

　　系統(tǒng)電壓上電變化斜率可進行編程。存儲電壓和釋放電壓均可針對不同的系統(tǒng)應(yīng)用進行編程。MP5507E 電源管理芯片最大限度地減少了現(xiàn)有標準外部元器件的使用，采用 QFN-16(2.5mmx3.2mm)封裝。

　　MP5507E為典型的固態(tài)驅(qū)動器應(yīng)用提供了一種非常緊湊且高效的電源備份解決方案。 MPS獲得專利的無損能量存儲和釋放管理電路使用雙向降壓/升壓轉(zhuǎn)換器來實現(xiàn)最佳的能量傳輸并提供經(jīng)濟高效的能量存儲解決方案。

　　系統(tǒng)上電時，MP5507E電源管理芯片的內(nèi)置升壓轉(zhuǎn)換器將大容量存儲電容器充電至編程電壓。 如果發(fā)生輸入電源中斷，MP5507E指示VB總線電源故障，斷開輸入開關(guān)，并通過內(nèi)置的降壓轉(zhuǎn)換器將能量從存儲電容器傳輸?shù)絍B，并在系統(tǒng)運行時將總線電壓保持在穩(wěn)定電壓消耗能量進行數(shù)據(jù)備份。 降壓轉(zhuǎn)換器可以100%占空比工作，以完全耗盡存儲的能量。根據(jù)不同的電源備用時間和來自不同應(yīng)用的存儲組件，MP5507E可以提供具有可編程存儲電壓設(shè)置的緊湊型解決方案。

　　VIN啟動時，VB總線電壓從0充電至VIN。 VB的上升斜率由DVDT電容控制。此功能可防止輸入浪涌電流并為下游系統(tǒng)提供保護。

　　EHCH用于啟用和禁用存儲充電和釋放電路。 存儲充電電路有兩種模式：預(yù)充電模式(使用電流源將STRG電壓從0V充電至VB電壓)和升壓模式(充電STRG電壓以設(shè)置電壓)。 預(yù)充電模式使用接近恒定的電流源(約130mA)將STRG電壓充電至VB電壓。 當STRG電壓接近VB，并且VB電壓高于某個閾值(PGB升高)時，啟動升壓模式。

　　如果在VIN升至UVLO閾值之前ENCH已經(jīng)很高，則當VIN高于UVLO閾值(通常為2.5V)時，存儲充電電路會自動開始線性充電，當存儲電壓充電至接近VB時，切換到升壓切換模式，并且PGB升高。 如果在VB之后ENCH升高，則DVDT過去并且PGB升高，則開始預(yù)充電，然后進行升壓切換。

　　因為釋放模式是在FBB電壓低于0.79V時觸發(fā)的(盡管升壓模式和釋放模式之間有23mV的遲滯)，所以VB電壓可能會拉回低電平并意外進入釋放模式。為避免這種情況，如果系統(tǒng)I / O可用于控制ENCH，則在VB穩(wěn)定后啟用ENCH。

　　存儲電壓充電后，內(nèi)部升壓轉(zhuǎn)換器會自動將其調(diào)節(jié)到穩(wěn)定電壓。 MP5507E電源管理芯片使用突發(fā)模式以最小化轉(zhuǎn)換器的功率損耗。 當存儲電壓降至設(shè)定電壓以下時，將啟動突發(fā)模式并為存儲電容器充電。在突發(fā)期間，電流限制和低側(cè)MOSFET(LS-FET)控制開關(guān)。 當LS-FET導通時，電感器電流會增加，直到達到限流點(約500mA)為止。達到電流限制后，LS-FET將在設(shè)置的最小關(guān)閉時間內(nèi)關(guān)閉。在此最小關(guān)斷時間結(jié)束時，如果反饋電壓保持低于0.79V內(nèi)部基準電壓，則LS-FET將再次導通。否則，MP5507E會等到電壓下降到閾值以下，然后再打開LS-FET。在升壓模式下，HS-FET關(guān)閉，并且HS-FET的體二極管傳導電流。