1、沉積

　　制造芯片的第一步，通常是將材料薄膜沉積到晶圓上。材料可以是導(dǎo)體、絕緣體或半導(dǎo)體。

　　2、光刻膠涂覆

　　進(jìn)行光刻前，首先要在晶圓上涂覆光敏材料“光刻膠”或“光阻”，然后將晶圓放入光刻機。

　　3、曝光

　　在掩模版上制作需要印刷的圖案藍(lán)圖。晶圓放入光刻機后，光束會通過掩模版投射到晶圓上。光刻機內(nèi)的光學(xué)元件將圖案縮小并聚焦到光刻膠涂層上。在光束的照射下，光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，光罩上的圖案由此印刻到光刻膠涂層。

　　4、計算光刻

　　光刻期間產(chǎn)生的物理、化學(xué)效應(yīng)可能造成圖案形變，因此需要事先對掩模版上的圖案進(jìn)行調(diào)整，確保最終光刻圖案的準(zhǔn)確。ASML將現(xiàn)有光刻數(shù)據(jù)及圓晶測試數(shù)據(jù)整合，制作算法模型，精確調(diào)整圖案。

　　5、烘烤與顯影

　　晶圓離開光刻機后，要進(jìn)行烘烤及顯影，使光刻的圖案永久固定。洗去多余光刻膠，部分涂層留出空白部分。

　　6、刻蝕

　　顯影完成后，使用氣體等材料去除多余的空白部分，形成3D電路圖案。

　　7、計量和檢驗

　　芯片生產(chǎn)過程中，始終對晶圓進(jìn)行計量和檢驗，確保沒有誤差。檢測結(jié)果反饋至光刻系統(tǒng)，進(jìn)一步優(yōu)化、調(diào)整設(shè)備。

　　8、離子注入

　　在去除剩余的光刻膠之前，可以用正離子或負(fù)離子轟擊晶圓，對部分圖案的半導(dǎo)體特性進(jìn)行調(diào)整。

　　9、視需要重復(fù)制程步驟

　　從薄膜沉積到去除光刻膠，整個流程為晶圓片覆蓋上一層圖案。而要在晶圓片上形成集成電路，完成芯片制作，這一流程需要不斷重復(fù)，可多達(dá)100次。

　　10、封裝芯片

　　最后一步，切割晶圓，獲得單個芯片，封裝在保護(hù)殼中。這樣，成品芯片就可以用來生產(chǎn)電視、平板電腦或者其他數(shù)字設(shè)備了!