國際上采用的標準條寬約1cm，稱為一個子電池，用內部連接的方式將各子電池串連起來，因此集成型電池的輸出電流為每個子電池的電流，總輸出電壓為各個子電池的串聯電壓。在實際應用中，可根據電流、電壓的需要選擇電池的結構和面積，制成非晶硅太陽能電池。

　　第一層為普通玻璃，是電池的基底。

　　第二層為TCO，即透明氧化物導電膜

　　一方面光從它穿過被電池吸收，所以要求它的光透過率高;另一方面作為電池的一個電極，所以要求它能夠導電。TCO 一般制備成絨面，主要起到減少反射光從而增加光的吸收率的作用。太陽能電池就是以這兩層為襯底沉積形成的。

　　太陽能電池的第一層為P層，即窗口層;其次是i 層，即太陽能電池的本征層，光生載流子主要在這一層產生;然后是n層，起到連接i極和背電極的作用。最后是背電極和Al/Ag 電極。

　　由于a-Si(非晶硅)多缺陷的特點，a-Si 的p-n 結是不穩定的，而且光照時光電導不明顯，幾乎沒有有效的電荷收集。所以，a-Si 太陽能電池基本結構不是p-n結而是p-i-n 結。摻硼形成P 區，摻磷形成n 區，i 為非雜質或輕摻雜的本征層(因為非摻雜的a-Si 是弱n 型)。重摻雜的p、n 區在電池內部形成內建勢，以收集電荷。同時兩者可與導電電極形成歐姆接觸，為外部提供電功率。i 區是光敏區，此區中光生電子、空穴是光伏電力的源泉。入射光盡可能多地進入i區，最大限度地被吸收，并有效地轉換為電能，因此對i區要求是既保證最大限度地吸收入射光，又要保證光生載流子最大限度地輸運到外電路。

　　非晶體硅結構的長程無序破壞了晶體硅電子躍遷的動量守恒選擇定則，相當于使之從間接帶隙材料變成了直接帶隙材料。它對光子的吸收系數很高，通常0.5μm 左右厚度的a-Si 就可以將敏感譜域的光吸收殆盡。所以，p-i-n 結構的a-Si 電池的厚度取0.5μm 左右，而作為死光吸收區的p、n 層的厚度在10nm 量級。