時(shÃ)間:2023-12-28 17:35:20來æºï¼šOFweek太陽能光ä¼ç¶²(wÇŽng)
ç¡…å¤ªé™½èƒ½é›»æ± æ˜¯æŒ‡ä»¥ç¡…ç‚ºåŸºé«”ææ–™çš„å¤ªé™½èƒ½é›»æ± ã€‚æœ€æ—©çš„ç¡…å¤ªé™½èƒ½é›»æ± æ˜¯ç”±äºŽäººå€‘å°å°‡ç¡…用于點(diÇŽn)接觸整æµå™¨ç”¢(chÇŽn)生興趣而出ç¾(xià n)的。鋒利的金屬接觸å°å„種晶體的整æµç‰¹æ€§æ—©åœ¨1874年就被發(fÄ)ç¾(xià n)。
  在無線電技術(shù)的早期,這種晶體整æµå™¨åœ¨ç„¡ç·šé›»æŽ¥æ”¶è¨(shè)å‚™ä¸è¢«å»£æ³›åœ°ç”¨ä½œæª¢æ³¢å™¨ã€‚但是隨著熱離å管的發(fÄ)展,這種晶體整æµå™¨é™¤åœ¨è¶…é«˜é »é ˜(lÇng)域ä»è¢«ä½¿ç”¨å¤–,已經(jÄ«ng)被熱離å管所代替。這種整æµå™¨æœ€å…¸åž‹çš„ä¾‹åæ˜¯éŽ¢åœ¨ç¡…è¡¨é¢çš„點(diÇŽn)æŽ¥è§¸ã€‚é€™é …(xià ng)技術(shù)促進(jìn)了å°ç¡…純度的改良,并且使得人們希望更進(jìn)一æ¥äº†è§£ç¡…的性質(zhì)。
ã€€ã€€ç¡…å¤ªé™½èƒ½é›»æ± å’Œå…¶ä»–å¤§å¤šæ•¸(shù)ç¡…é›»å器件相比,有其特殊的è¨(shè)計(jì)å’Œææ–™è¦æ±‚。為了ç²å¾—高能é‡è½‰(zhuÇŽn)æ›æ•ˆçŽ‡ï¼Œç¡…å¤ªé™½èƒ½é›»æ± ä¸åƒ…需è¦å¹¾ä¹Žç†æƒ³çš„硅表é¢éˆåŒ–ï¼Œè€Œä¸”é«”ææ–™ç‰¹æ€§ä¹Ÿå¿…é ˆå…·æœ‰å‡å‹»çš„高å“質(zhì)ã€‚é€™æ˜¯å› ?yà n)æ©æâ”Žã„©Lçš„å…‰å¿…é ˆåœ¨ç¡…ä¸å‚³æ’幾百微米æ‰èƒ½è¢«å¸æ”¶ï¼Œå…¶ç”¢(chÇŽn)生的載æµåé‚„å¿…é ˆä»ç„¶èƒ½å¤ è¢«é›»æ± æ”¶é›†ã€‚
ã€€ã€€ç¡…å¤ªé™½èƒ½é›»æ± çš„åˆ†é¡ž
ã€€ã€€ç¡…å¤ªé™½èƒ½é›»æ± æ˜¯ä»¥ç¡…ç‚ºåŸºé«”ææ–™çš„å¤ªé™½èƒ½é›»æ± ã€‚æŒ‰ç¡…ç‰‡åŽšåº¦çš„ä¸åŒï¼Œå¯åˆ†ç‚ºæ™¶é«”ç¡…å¤ªé™½èƒ½é›»æ± å’Œè–„è†œç¡…å¤ªé™½èƒ½é›»æ± ã€‚æŒ‰ææ–™çš„çµ(jié)晶形態(tà i)ï¼Œæ™¶é«”ç¡…å¤ªé™½èƒ½é›»æ± æœ‰å–®æ™¶ç¡…(c-Si)和多晶硅(p-Si)å¤ªé™½èƒ½é›»æ± å…©é¡ž;è–„è†œç¡…å¤ªé™½èƒ½é›»æ± åˆ†ç‚ºéžæ™¶ç¡…(a-Si)è–„è†œå¤ªé™½èƒ½é›»æ± ã€å¾®æ™¶ç¡…(c-Si)å¤ªé™½èƒ½é›»æ± å’Œå¤šæ™¶ç¡…(p-Si)è–„è†œå¤ªé™½èƒ½é›»æ± ä¸‰ç¨®ã€‚
  1ã€å–®æ™¶ç¡…太陽能電æ±
ã€€ã€€å–®æ™¶ç¡…å¤ªé™½èƒ½é›»æ± è½‰(zhuÇŽn)æ›æ•ˆçŽ‡æœ€é«˜ï¼ŒæŠ€è¡“(shù)也最為æˆç†Ÿã€‚在實(shÃ)é©—(yà n)室里最高的轉(zhuÇŽn)æ›æ•ˆçŽ‡ç‚º24.7%(ç†è«–最高光電轉(zhuÇŽn)化效率為25%),è¦(guÄ«)模生產(chÇŽn)時(shÃ)的效率為18%(截至2011å¹´)。在大è¦(guÄ«)模應(yÄ«ng)用和工æ¥(yè)生產(chÇŽn)ä¸ä»å 據(jù)主導(dÇŽo)地ä½ï¼Œä½†ç”±äºŽå–®æ™¶ç¡…æˆæœ¬åƒ¹(jià )æ ¼é«˜ï¼Œå¤§å¹…åº¦é™ä½Žå…¶æˆæœ¬å¾ˆå›°é›£ï¼Œç‚ºäº†ç¯€(jié)çœç¡…ææ–™ï¼Œç™¼(fÄ)展了多å“ç¡…è–„è†œå’Œéžæ™¶ç¡…è–„è†œä½œç‚ºå–®æ™¶ç¡…å¤ªé™½èƒ½é›»æ± çš„æ›¿ä»£ç”¢(chÇŽn)å“。
  2ã€å¤šæ™¶ç¡…太陽能電æ±
ã€€ã€€å¤šæ™¶ç¡…å¤ªé™½èƒ½é›»æ± ä¸€èˆ¬é‡‡ç”¨ä½Žç‰ç´šçš„åŠå°Ž(dÇŽo)é«”å¤šæ™¶ç¡…ï¼Œæˆ–è€…å°ˆé–€ç‚ºå¤ªé™½èƒ½é›»æ± ä½¿ç”¨è€Œç”Ÿç”¢(chÇŽn)çš„é‘„é€ å¤šæ™¶ç¡…ç‰ææ–™ã€‚èˆ‡å–®æ™¶ç¡…å¤ªé™½èƒ½é›»æ± ç›¸æ¯”ï¼Œå¤šæ™¶ç¡…å¤ªé™½èƒ½é›»æ± æˆæœ¬è¼ƒä½Žï¼Œè€Œä¸”轉(zhuÇŽn)æ›æ•ˆçŽ‡èˆ‡å–®æ™¶ç¡…å¤ªé™½èƒ½é›»æ± æ¯”è¼ƒæŽ¥è¿‘ï¼Œå®ƒæ˜¯å¤ªé™½èƒ½é›»æ± çš„ä¸»è¦ç”¢(chÇŽn)å“ä¹‹ä¸€ã€‚å¤šæ™¶ç¡…å¤ªé™½èƒ½é›»æ± ç¡…ç‰‡åˆ¶é€ æˆæœ¬ä½Žï¼Œçµ„件效率高,è¦(guÄ«)模生產(chÇŽn)時(shÃ)的效率已é”(dá)18%å·¦å³ã€‚å¤šæ™¶ç¡…å¤ªé™½èƒ½é›»æ± å æ“š(jù)主æµï¼Œé™¤å–決于æ¤é¡žé›»æ± 的優(yÅu)異性能外,還在于其充足ã€å»‰åƒ¹(jià )ã€ç„¡æ¯’ã€ç„¡æ±¡æŸ“的硅原料來æºï¼Œè€Œè¿‘å¹´ä¾†å¤šæ™¶ç¡…æˆæœ¬çš„é™ä½Žæ›´å°‡ä½¿å¤šæ™¶ç¡…å¤ªé™½èƒ½é›»æ± å¤§è¡Œå…¶é“。
  3ã€éžæ™¶ç¡…薄膜太陽能電æ±
ã€€ã€€éžæ™¶ç¡…è–„è†œå¤ªé™½èƒ½é›»æ± æˆæœ¬ä½Žé‡é‡è¼•,便于大è¦(guÄ«)模生產(chÇŽn)ï¼Œæœ‰æ¥µå¤§çš„æ½›åŠ›ã€‚éžæ™¶æ…‹(tà i)硅,其原åçµ(jié)æ§‹(gòu)ä¸åƒæ™¶é«”硅那樣排列得有è¦(guÄ«)則,而是一種ä¸å®šå½¢æ™¶é«”çµ(jié)æ§‹(gòu)çš„åŠå°Ž(dÇŽo)é«”ã€‚éžæ™¶ç¡…å±¬äºŽç›´æŽ¥å¸¶ç³»ææ–™ï¼Œå°é™½å…‰å¸æ”¶ç³»æ•¸(shù)高,åªéœ€è¦1μm厚的薄膜就å¯ä»¥å¸æ”¶80%çš„é™½å…‰ã€‚éžæ™¶ç¡…è–„è†œå¤ªé™½èƒ½é›»æ± äºŽ1976å¹´å•世,å—于硅原料ä¸è¶³å’Œåƒ¹(jià )æ ¼ä¸Šæ¼²ï¼Œä¿ƒé€²(jìn)了高效使用硅的技術(shù)å’Œéžæ™¶ç¡…è–„è†œç³»å¤ªé™½èƒ½é›»æ± çš„é–‹ç™¼(fÄ)ã€‚éžæ™¶ç¡…è–„è†œé›»æ± ä½Žå»‰çš„æˆæœ¬å½Œè£œ(bÇ”)了其在光電轉(zhuÇŽn)æ›æ•ˆçŽ‡ä¸Šçš„ä¸è¶³ã€‚但是å—äºŽéžæ™¶ç¡…ç¼ºé™·è¼ƒå¤šï¼Œåˆ¶å‚™çš„å¤ªé™½èƒ½é›»æ± æ•ˆçŽ‡å低,且å—åˆ¶äºŽå…¶ææ–™å¼•發(fÄ)的光電效率衰退效應(yÄ«ng),穩(wÄ›n)定性ä¸é«˜ï¼Œç›´æŽ¥å½±éŸ¿äº†å®ƒçš„實(shÃ)際應(yÄ«ng)用。
  微晶硅(μc-Si)è–„è†œå¤ªé™½èƒ½é›»æ± åŒæ¨£ç”±äºŽå…‰é›»æ•ˆçŽ‡è¡°é€€æ•ˆæ‡‰(yÄ«ng)致使其性能ä¸ç©©(wÄ›n)定。發(fÄ)展å—到一定的é™åˆ¶ã€‚
ã€€ã€€å¤šæ™¶ç¡…è–„è†œå¤ªé™½èƒ½é›»æ± æ˜¯è¿‘å¹´ä¾†å¤ªé™½èƒ½é›»æ± ç ”ç©¶çš„ç†±é»ž(diÇŽn)ã€‚é›–ç„¶å¤šæ™¶ç¡…å±¬äºŽé–“æŽ¥å¸¶éš™ææ–™ï¼Œä¸æ˜¯ç†æƒ³çš„è–„è†œå¤ªé™½èƒ½é›»æ± ææ–™ï¼Œä½†æ˜¯éš¨è‘—陷光技術(shù)ã€éˆåŒ–技術(shù)以åŠè¼‰æµåæŸç¸›æŠ€è¡“(shù)çš„ä¸æ–·ç™¼(fÄ)展,人們完全有å¯èƒ½åˆ¶å‚™å‡ºé«˜æ•ˆã€å»‰åƒ¹(jià )çš„å¤šæ™¶ç¡…è–„è†œå¤ªé™½èƒ½é›»æ± ã€‚
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