時(shÃ)間:2024-12-18 17:20:33來æºï¼š21icé›»åç¶²(wÇŽng)
ã€€ã€€ä¸€ã€æŽ¢è¨Žæ¨¡æ“¬é›»è·¯ç‚ºä»€ä¹ˆéœ€è¦éš”離電æº
  其次,隔離電æºå¯ä»¥é˜²æ¢ä¿¡è™Ÿ(hà o)傳æ’和干擾。模擬電路通常å°(duì)輸入信號(hà o)進(jìn)行放大和處ç†ï¼Œå¦‚放大è²éŸ³ä¿¡è™Ÿ(hà o)ã€å‚³æ„Ÿå™¨è¼¸å‡ºç‰ã€‚如果沒有使用隔離電æºï¼Œè¼¸å…¥ä¿¡è™Ÿ(hà o)ä¸çš„噪è²å’Œå¹²æ“¾å¯èƒ½æœƒ(huì)通éŽé›»æºç·šå‚³æ’到其他è¨(shè)å‚™ã€å…¶ä»–電路ä¸ï¼Œå°Ž(dÇŽo)致其他è¨(shè)備的ä¸ç©©(wÄ›n)定性甚至故障。使用隔離電æºå¯ä»¥æœ‰æ•ˆéš”離這些干擾信號(hà o),ä¿è‰æ¨¡æ“¬é›»è·¯çš„輸入和輸出之間的ç¨(dú)立性和穩(wÄ›n)定性。
  æ¤å¤–,隔離電æºé‚„å¯ä»¥æä¾›é›»æ°£å…¼å®¹æ€§å’Œä¿¡è™Ÿ(hà o)隔離。許多模擬電路å¯èƒ½éœ€è¦èˆ‡å…¶ä»–è¨(shè)備進(jìn)è¡Œé€£æŽ¥ï¼Œå¦‚éŸ³é »è¨(shè)å‚™ã€åœ–åƒè¨(shè)å‚™ç‰ã€‚這些è¨(shè)å‚™å¯èƒ½å…·æœ‰ä¸åŒçš„地線電ä½ï¼Œå¦‚果沒有使用隔離電æºï¼Œå¯èƒ½æœƒ(huì)å°Ž(dÇŽo)致地線回路ä¸çš„é›»ä½å·®ï¼Œç”¢(chÇŽn)生雜音和變形ç‰å•題。使用隔離電æºå¯ä»¥åˆ†é›¢ä¸åŒè¨(shè)備之間的地線回路,ä¿è‰ä¿¡è™Ÿ(hà o)的完整性和質(zhì)é‡ã€‚
  最åŽï¼Œéœ€è¦æ³¨æ„的是,隔離電æºçš„鏿“‡å’Œä½¿ç”¨éœ€è¦æ ¹æ“š(jù)具體的應(yÄ«ng)用需求進(jìn)行調(dià o)整。ä¸åŒçš„æ¨¡æ“¬é›»è·¯å¯èƒ½å…·æœ‰ä¸åŒçš„工作電壓和電æµè¦æ±‚ï¼Œå› æ¤åœ¨é¸æ“‡éš”é›¢é›»æºæ™‚(shÃ)需è¦è€ƒæ…®é›»æºçš„é¡å®šé›»å£“和電æµèŒƒåœã€‚æ¤å¤–ï¼Œé‚„éœ€è¦æ³¨æ„隔離電æºçš„å‚³è¼¸å’ŒåŠŸçŽ‡æ•ˆçŽ‡ç‰æ€§èƒ½æŒ‡æ¨™(biÄo)ï¼Œä»¥ç¢ºä¿æœ€ä½³çš„使用效果。
ã€€ã€€äºŒã€æ¨¡æ“¬é›»è·¯ä¸å¾—ä¸å¸(xué)ç¿’(xÃ)çš„10æ¢ç¶“(jÄ«ng)é©—(yà n)
  1ã€å ´(chÇŽng)效應(yÄ«ng)晶體管與BJT在工作éŽç¨‹ä¸æœ‰å¾ˆå¤§çš„å€(qÅ«)別:BJTä¸çš„é›»è·è¼‰é«”是空穴或被擊出的少é‡çš„“少åâ€ï¼ŒF(xià n)ETä¸çš„é›»è·å‰‡æ˜¯æ•¸(shù)目相å°(duì)多幾個(gè)數(shù)é‡ç´š(jÃ)的自由電å,“多åâ€ã€‚
  2ã€ç™¼(fÄ)射極æ£å,集電極ååæ˜¯è®“BJT工作在放大工作狀態(tà i)ä¸‹çš„å‰ææ¢ä»¶ã€‚三種連接方å¼ï¼šå…±åŸºæ¥µï¼Œå…±ç™¼(fÄ)射極,共集電極。判別三種組態(tà i)的方法:共發(fÄ)射極,由基極輸入,集電極輸出;共集電極,由基極輸入,發(fÄ)射極輸出;共基極,由發(fÄ)射極輸入,集電極輸出。
  3ã€ä¸‰æ¥µç®¡ä¸»è¦åƒæ•¸(shù)ï¼šé›»æµæ”¾å¤§ç³»æ•¸(shù)β,極間åå‘é›»æµã€‚
  4ã€å› J-FETçš„Rgs很高,在使用時(shÃ)首先應(yÄ«ng)注æ„ç„¡éœé›»æ“作,å¦å‰‡å¾ˆå®¹æ˜“發(fÄ)生柵極擊穿;å¦å¤–就是在è¨(shè)計(jì)電路時(shÃ)應(yÄ«ng)仔細(xì)è€ƒæ…®å„æ¥µé™åƒæ•¸(shù),ä¸èƒ½è¶…出范åœã€‚å°‡J-FETç•¶(dÄng)åšå¯è®Šé›»é˜»ä½¿ç”¨æ™‚(shÃ)應(yÄ«ng)ä¿è‰å™¨ä»¶æœ‰æ£ç¢ºçš„å置,ä¸èƒ½ä½¿ä¹‹é€²(jìn)å…¥æ’æµå€(qÅ«)。
  5ã€å°„極å置電路:用于消除溫度å°(duì)éœæ…‹(tà i)工作點(diÇŽn)的影響。
  6ã€ä¸‰ç¨®BJT放大電路比較:共射級(jÃ)放大電路,電æµã€é›»å£“å‡å¯ä»¥æ”¾å¤§ã€‚å…±é›†é›»æ¥µæ”¾å¤§é›»è·¯ï¼šåªæ”¾å¤§é›»æµï¼Œè·Ÿéš¨é›»å£“,輸入R大,輸出Rå°ï¼Œç”¨ä½œè¼¸å…¥ç´š(jÃ),輸出級(jÃ)ã€‚å…±åŸºæ¥µæ”¾å¤§é›»è·¯ï¼šåªæ”¾å¤§é›»å£“,跟隨電æµï¼Œé«˜é »ç‰¹æ€§å¥½ã€‚
  7ã€åŽ»è€¦é›»å®¹ï¼šè¼¸å‡ºä¿¡è™Ÿ(hà o)電容接地,濾掉信號(hà o)çš„é«˜é »é›œæ³¢ã€‚æ—路電容:輸入信號(hà o)電容接地,濾掉信號(hà o)çš„é«˜é »é›œæ³¢ã€‚äº¤æµä¿¡è™Ÿ(hà o)é‡å°(duì)這兩種電容處ç†ç‚ºçŸè·¯ã€‚
  8ã€MOS-FET在使用ä¸é™¤äº†æ£ç¢ºé¸æ“‡åƒæ•¸(shù)ä»¥åŠæ£ç¢ºçš„計(jì)算外,最值得強(qiáng)調(dià o)çš„ä»ç„¶æ˜¯é˜²éœé›»æ“作å•題,在電路調(dià o)試ã€ç„пޥã€å®‰è£éŽç¨‹ä¸ï¼Œä¸€å®šè¦åš´(yán)æ ¼æŒ‰ç…§é˜²éœé›»ç¨‹åºæ“作。
  9ã€ä¸»æµæ˜¯å¾žç™¼(fÄ)射極到集電極的ICï¼Œåæµå°±æ˜¯å¾žç™¼(fÄ)射極到基極的Ib。相å°(duì)與主電路而言,為基極æä¾›é›»æµçš„電路就是所謂的å置電路。
  10ã€å ´(chÇŽng)效應(yÄ«ng)管三個(gè)é‹é›»æ¥µï¼šæŸµæ¥µgï¼Œæºæ¥µsï¼Œæ¼æ¥µd。分別å°(duì)應(yÄ«ng)三極管的基極b,發(fÄ)射極e,集電極c。<æºæ¥µéœ€è¦ç™¼(fÄ)å°„æ±è¥¿å˜›ï¼Œæ‰€ä»¥å°(duì)應(yÄ«ng)發(fÄ)射極e,柵極的英文å稱是gate,門一樣的å˜åœ¨ï¼Œå’ŒåŸºæ¥µçš„作用差ä¸å¤š>å…¶ä¸P型襯底一般與柵極g相連。
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