時間:2024-12-19 17:21:52來æºï¼šOFweek é›»å工程網(wÇŽng)
  Part 1
  汽車芯片在高溫環(huán)å¢ƒä¸‹åŠ é€Ÿè€åŒ–的機(jÄ«)ç†
  芯片è€åŒ–是一個涉åŠå¤šæ–¹é¢ç‰©ç†å’ŒåŒ–å¸(xué)éŽç¨‹çš„復(fù)雜ç¾(xià n)象。在微觀層é¢ï¼Œä¸»è¦åŒ…括電é·ç§»ã€ç†±æ‡‰(yÄ«ng)力以åŠä»‹è³ª(zhì)擊穿ç‰é—œ(guÄn)éµå› ç´ ã€‚
  ◠芯片è€åŒ–ä¸»è¦æºäºŽææ–™ç‰¹æ€§åœ¨é‹(yùn)行ä¸çš„逿¥é€€åŒ–。這種退化包括但ä¸é™äºŽï¼š
  ◎ é›»é·ç§»ï¼šé«˜æº«ç’°(huán)å¢ƒæœƒåŠ é€Ÿé‡‘å±¬äº’é€£ä¸çš„é›»åé·ç§»ï¼Œå°Ž(dÇŽo)致線路ä¸å½¢æˆç©ºæ´žæˆ–é‡‘å±¬å †ç©ï¼Œå¾žè€Œå¼•發(fÄ)開路或çŸè·¯å•題。
  ◎ 熱膨脹ä¸åŒ¹é…:芯片å°è£å…§(nèi)ä¸åŒææ–™(如硅ã€éŠ…ã€ç„Šé»ž(diÇŽn)ç‰)å› ç†±è†¨è„¹ç³»æ•¸(shù)ä¸åŒï¼Œåœ¨é«˜æº«å復(fù)作用下會產(chÇŽn)生機(jÄ«)械應(yÄ«ng)力,導(dÇŽo)致焊點(diÇŽn)斷裂或å°è£å±¤é–‹è£‚。
  ◎ 電介質(zhì)擊穿(TDDB)ï¼šé«˜æº«åŠ é€Ÿé›»ä»‹è³ª(zhì)層的退化,使其更容易發(fÄ)生電擊穿,導(dÇŽo)致芯片失效。
  ◎ 金屬間化åˆç‰©è„†åŒ–:焊點(diÇŽn)ä¸çš„金屬間化åˆç‰©å±¤åœ¨é«˜æº«ç’°(huán)å¢ƒä¸‹é€æ¼¸å¢žåŽšå¹¶è®Šå¾—è„†å¼±ï¼Œå¾žè€Œé™ä½Žå°è£å¯é 性。
  在炎熱氣候下,環(huán)境溫度顯著å‡é«˜ã€‚æ ¹æ“š(jù)é˜¿å€«å°¼çƒæ–¯æ–¹ç¨‹ï¼Œææ–™çš„é™è§£é€Ÿåº¦èˆ‡æº«åº¦å‘ˆæŒ‡æ•¸(shù)é—œ(guÄn)系。å°äºŽæ±½è»ŠèŠ¯ç‰‡è€Œè¨€ï¼Œé«˜æº«ç’°(huán)境使得芯片內(nèi)部的å„種物ç†åŒ–å¸(xué)éŽç¨‹åŠ é€Ÿé€²(jìn)行。
  以電é·ç§»ç‚ºä¾‹ï¼Œé«˜æº«æœƒå¢žåŠ é‡‘å±¬åŽŸå的熱é‹(yùn)動能é‡ï¼Œä½¿å…¶æ›´å®¹æ˜“åœ¨é›»å ´ä½œç”¨ä¸‹ç™¼(fÄ)生é·ç§»ï¼Œå¾žè€ŒåŠ å¿«é›»é·ç§»å°Ž(dÇŽo)致的故障產(chÇŽn)生速度。在長時間處于高溫環(huán)境的汽車芯片ä¸ï¼ŒåŽŸæœ¬å¯èƒ½éœ€è¦è¼ƒé•·æ™‚é–“æ‰æœƒå‡ºç¾(xià n)的電é·ç§»å•é¡Œï¼Œæœƒå› ç‚ºé«˜æº«è€Œæå‰ç™¼(fÄ)生,大大縮çŸäº†èŠ¯ç‰‡çš„ä½¿ç”¨å£½å‘½ã€‚
  炎熱氣候下ä¸åƒ…å˜åœ¨é«˜æº«ï¼Œé‚„ç¶“(jÄ«ng)å¸¸ä¼´æœ‰æº«åº¦æ³¢å‹•ã€‚æº«åº¦æ³¢å‹•æœƒåŠ åŠ‡ç†±æ‡‰(yÄ«ng)力å•題。
  當(dÄng)芯片在ä¸åŒæº«åº¦ä¹‹é–“å¿«é€Ÿåˆ‡æ›æ™‚,由于ä¸åŒææ–™çš„熱膨脹和收縮ä¸ä¸€è‡´ï¼Œæœƒç”¢(chÇŽn)生更大的機(jÄ«)械應(yÄ«ng)力。例如,芯片ä¸çš„å°è£ææ–™èˆ‡èŠ¯ç‰‡æ ¸å¿ƒéƒ¨åˆ†çš„ç†±è†¨è„¹ç³»æ•¸(shù)å˜åœ¨å·®ç•°ï¼Œæº«åº¦æ³¢å‹•時,兩者之間的連接部ä½å°±æœƒæ‰¿å—å復(fù)çš„æ‹‰ä¼¸å’Œæ“ å£“æ‡‰(yÄ«ng)力,容易導(dÇŽo)致焊點(diÇŽn)ç‰é€£æŽ¥éƒ¨ä½è®Šå¾—è„†å¼±ç”šè‡³æ–·è£‚ï¼Œå½¢æˆæ–°çš„æ½›åœ¨æ•…障模å¼ã€‚
  智能駕駛導(dÇŽo)致的算力æå‡ï¼ŒMCU元件的利用率顯著æé«˜ã€‚åœ¨ç‚Žç†±æ°£å€™ä¸‹ï¼Œæ±½è»ŠèŠ¯ç‰‡æœ¬èº«å› ç’°(huán)境溫度å‡é«˜è€Œæº«åº¦ä¸Šå‡ï¼ŒåŒæ™‚高利用率åˆé€²(jìn)一æ¥å¢žåŠ äº†èŠ¯ç‰‡çš„ç†±é‡ç”¢(chÇŽn)生。
  自動駕駛功能的汽車å¯èƒ½æœƒé•·æ™‚間處于é‹(yùn)行狀態(tà i)ï¼Œå…¶èŠ¯ç‰‡çš„å·¥ä½œè² (fù)載æŒçºŒ(xù)處于較高水平,這使得芯片溫度居高ä¸ä¸‹ã€‚
  這種高溫與高利用率的å”(xié)åŒä½œç”¨ï¼ŒåŠ é€Ÿäº†èŠ¯ç‰‡çš„è€åŒ–éŽç¨‹ã€‚與æ£å¸¸å·¥ä½œæ¢ä»¶ä¸‹ç›¸æ¯”,在炎熱氣候且高利用率的情æ³ä¸‹ï¼ŒèŠ¯ç‰‡çš„è€åŒ–速度å¯èƒ½æœƒæˆå€å¢žåŠ ã€‚
  ◠簡單來說,高溫作用下:
  ◎ 芯片的電é·ç§»é€ŸçŽ‡ä»¥æŒ‡æ•¸(shù)å½¢å¼å¢žåŠ ï¼Œäº’é€£ç·šå¤±æ•ˆæ™‚é–“å¤§å¹…ç¸®çŸã€‚
  ◎ 高溫誘發(fÄ)的機(jÄ«)械應(yÄ«ng)力在ä¸åŒå°è£ææ–™é–“累計,導(dÇŽo)致焊點(diÇŽn)斷裂風(fÄ“ng)險大幅æé«˜ã€‚
  ◎ 先進(jìn)制程芯片(如5nmã€3nm)å› äº’é€£ç·šæ›´ç´°(xì)ã€æ›´è–„,å°ç†±é‡å’Œé›»æµçš„è€å—性顯著é™ä½Žï¼Œåœ¨é«˜æº«ä¸‹è¡¨ç¾(xià n)尤為脆弱。
  ◎ 自動駕駛和AI功能進(jìn)ä¸€æ¥æé«˜äº†èŠ¯ç‰‡å 空比(é‹(yùn)行時間比例),æŒçºŒ(xù)高溫é‹(yùn)行使è€åŒ–é€Ÿåº¦å¤§å¹…å¢žåŠ ã€‚
  目å‰è¡Œæ¥(yè)æ™®éä½¿ç”¨é˜¿å€«å°¼çƒæ–¯æ–¹ç¨‹ä¾†é (yù)測芯片的è€åŒ–éŽç¨‹ï¼Œé«˜æº«ã€é«˜æ¿•ã€å¤šæŒ¯å‹•ç‰å¾©(fù)雜環(huán)境ä¸çš„éžç·šæ€§å‹•æ…‹(tà i)相互作用,使é (yù)測精度é¢è‡¨æŒ‘戰(zhà n)。這ä¸åƒ…影響芯片的å¯é æ€§è©•ä¼°ï¼Œé‚„å¢žåŠ äº†å¯¦(shÃ)éš›è¨(shè)計ä¸çš„安全隱患。
  Part 2
  應(yÄ«ng)å°èŠ¯ç‰‡è€åŒ–的解決方案
  為了應(yÄ«ng)å°é«˜æº«ç’°(huán)å¢ƒï¼ŒèŠ¯ç‰‡åˆ¶é€ å•†å¯ä»¥åœ¨è¨(shè)計階段é¸ç”¨æ›´è€é«˜æº«çš„ææ–™ã€‚例如,å°äºŽäº’é€£ææ–™ï¼Œå¯ä»¥ç ”究開發(fÄ)新型的高溫穩(wÄ›n)定金屬或åˆé‡‘,其具有更高的熔點(diÇŽn)和更好的抗電é·ç§»æ€§èƒ½ï¼Œèƒ½å¤ åœ¨é«˜æº«ä¸‹é•·æ™‚é–“ä¿æŒçµ(jié)æ§‹(gòu)ç©©(wÄ›n)定。
  在絕緣介質(zhì)æ–¹é¢ï¼Œå°‹æ‰¾å…·æœ‰æ›´é«˜æ“Šç©¿é›»å£“和熱穩(wÄ›n)å®šæ€§çš„ææ–™ï¼Œä»¥æ¸›å°‘介質(zhì)擊穿的風(fÄ“ng)險。在芯片è¨(shè)計時é (yù)ç•™è¶³å¤ çš„è£•åº¦ï¼Œä»¥æ‡‰(yÄ«ng)å°é«˜æº«ç’°(huán)境下å¯èƒ½å‡ºç¾(xià n)的性能變化。這包括å°èŠ¯ç‰‡çš„é›»æ°£åƒæ•¸(shù)ã€å·¥ä½œé »çއç‰é€²(jìn)行åˆç†èª¿(dià o)整。例如,é©ç•¶(dÄng)é™ä½ŽèŠ¯ç‰‡çš„å·¥ä½œé »çŽ‡ï¼Œå¯ä»¥æ¸›å°‘é›»æµå¯†åº¦ï¼Œå¾žè€Œé™ä½Žé›»é·ç§»çš„風(fÄ“ng)險。
ã€€ã€€åŒæ™‚ï¼Œå¢žåŠ èŠ¯ç‰‡å…§(nèi)部電路的冗余è¨(shè)è¨ˆï¼Œä½†éœ€è¦æ³¨æ„在先進(jìn)節(jié)點(diÇŽn)(如 5nm å’Œ 3nm)時,由于電路密度極高,éŽå¤šçš„冗余電路å¯èƒ½æœƒå½±éŸ¿æ•´é«”æ€§èƒ½ï¼Œå› æ¤éœ€è¦åœ¨å†—余和性能之間進(jìn)行精細(xì)平衡。
  改善芯片的熱管ç†çµ(jié)æ§‹(gòu),æé«˜æ•£ç†±æ•ˆçŽ‡ã€‚å¯ä»¥é‡‡ç”¨æ›´é«˜æ•ˆçš„æ•£ç†±ææ–™ï¼Œå¦‚新型的熱導(dÇŽo)率高的散熱片或散熱è†ï¼Œå°‡èŠ¯ç‰‡ç”¢(chÇŽn)生的熱é‡å¿«é€Ÿæ•£ç™¼(fÄ)出去。
ã€€ã€€åŒæ™‚,優(yÅu)化芯片內(nèi)部的熱傳導(dÇŽo)路徑,例如è¨(shè)計åˆç†çš„熱通å”布局,使熱é‡èƒ½å¤ æ›´å‡å‹»åœ°åˆ†å¸ƒå¹¶å¿«é€Ÿå‚³å°Ž(dÇŽo)到散熱部ä½ã€‚
ã€€ã€€â— èŠ¯ç‰‡åˆ¶é€ å•†å·²é–‹å§‹åœ¨è¨(shè)計ä¸é (yù)留更多裕度,應(yÄ«ng)å°æ¥µç«¯ç’°(huán)境的挑戰(zhà n):
  ◎ ææ–™æ”¹é€²(jìn):開發(fÄ)æ›´è€é«˜æº«çš„å°è£ææ–™å’Œé›»ä»‹è³ª(zhì)層,例如使用碳化硅(SiC)ä»£æ›¿ç¡…åŸºææ–™ã€‚
  ◎ 增強(qiáng)互連抗性:通éŽå„ª(yÅu)åŒ–äº’é€£ææ–™å’Œå¹¾ä½•çµ(jié)æ§‹(gòu),減緩電é·ç§»å°å¯é 性的影響。
  ◎ 主動散熱è¨(shè)計:在系統(tÇ’ng)è¨(shè)計ä¸åŠ å…¥ç†±ç®¡ç†æ¨¡å¡Šï¼Œå¦‚引入微型冷å»è£ç½®æˆ–高效導(dÇŽo)ç†±ææ–™ã€‚
  利用先進(jìn)的監(jiÄn)測技術(shù),如在芯片ä¸é›†æˆå‚³æ„Ÿå™¨ç¶²(wÇŽng)絡(luò),實(shÃ)時監(jiÄn)測芯片的溫度ã€é›»æµã€é›»å£“ç‰é—œ(guÄn)éµåƒæ•¸(shù)。
  通éŽé€™äº›ç›£(jiÄn)測數(shù)據(jù),å¯ä»¥åŠæ™‚發(fÄ)ç¾(xià n)芯片的性能變化和潛在故障風(fÄ“ng)險。當(dÄng)監(jiÄn)測到芯片溫度éŽé«˜æˆ–é›»æµå‡ºç¾(xià n)異常波動時,å¯ä»¥åˆ¤æ–·èŠ¯ç‰‡å¯èƒ½å˜åœ¨è€åŒ–或故障隱患。
  å°èŠ¯ç‰‡çš„å·¥ä½œç‹€æ…‹(tà i)進(jìn)行動態(tà i)調(dià o)æŽ§ã€‚ä¸€ç¨®æ–¹å¼æ˜¯é‡‡ç”¨é¡žä¼¼ä¸åœ‹ä¾›æ‡‰(yÄ«ng)商將人工智能èžå…¥èŠ¯ç‰‡çš„æŠ€è¡“(shù),當(dÄng)發(fÄ)ç¾(xià n)èŠ¯ç‰‡æ€§èƒ½ä¸‹é™æ™‚ï¼Œé€šéŽæ™ºèƒ½ç®—法調(dià o)æ•´èŠ¯ç‰‡çš„å·¥ä½œé »çŽ‡ã€é›»å£“ç‰åƒæ•¸(shù),以延長芯片的使用壽命。例如,如果監(jiÄn)測到芯片溫度上å‡å°Ž(dÇŽo)致性能下é™ï¼Œå¯ä»¥é©ç•¶(dÄng)é™ä½Žå·¥ä½œé »çŽ‡ï¼Œæ¸›å°‘åŠŸè€—å’Œç†±é‡ç”¢(chÇŽn)ç”Ÿï¼ŒåŒæ™‚ä¿æŒèŠ¯ç‰‡çš„åŸºæœ¬åŠŸèƒ½é‹(yùn)行。
  建立完善的故障é (yù)è¦å’Œè™•ç†æ©Ÿ(jÄ«)制。當(dÄng)監(jiÄn)測系統(tÇ’ng)判斷芯片å¯èƒ½å³å°‡å‡ºç¾(xià n)æ•…éšœæ™‚ï¼ŒåŠæ™‚å‘車輛控制系統(tÇ’ng)發(fÄ)出é (yù)è¦ä¿¡è™Ÿï¼Œè»Šè¼›å¯ä»¥é‡‡å–相應(yÄ«ng)的措施,如é™ä½Žè»Šé€Ÿã€åˆ‡æ›åˆ°å®‰å…¨æ¨¡å¼æˆ–者æé†’駕駛員å‰å¾€ç¶ä¿®ç«™ã€‚
ã€€ã€€åŒæ™‚,在系統(tÇ’ng)è¨(shè)計時,考慮故障轉(zhuÇŽn)移電路的優(yÅu)化,確ä¿åœ¨éƒ¨åˆ†èŠ¯ç‰‡å‡ºç¾(xià n)æ•…éšœæ™‚ï¼Œèƒ½å¤ æŒ‰ç…§è¦æ±‚將功能安全地轉(zhuÇŽn)移到其他系統(tÇ’ng),并且故障轉(zhuÇŽn)移電路本身也è¦å…·å‚™é«˜å¯é 性和抗高溫性能。
  ◠主動監(jiÄn)控技術(shù):通éŽåœ¨èŠ¯ç‰‡å…§(nèi)集æˆå‚³æ„Ÿå™¨ï¼Œå¯¦(shÃ)時監(jiÄn)測溫度ã€é›»æµã€é›»å£“ç‰é—œ(guÄn)éµåƒæ•¸(shù),é (yù)測芯片退化趨勢。
  ◠é (yù)測性ç¶è·(hù):基于AI算法分æžèŠ¯ç‰‡é‹(yùn)行數(shù)據(jù),主動調(dià o)æ•´é »çŽ‡ã€é›»å£“æˆ–è² (fù)載分é…,延緩芯片è€åŒ–。
  ◠冗余è¨(shè)計:為關(guÄn)éµéƒ¨ä»¶å¼•å…¥å‚™ç”¨é€šé“æˆ–電路,以在æŸä¸€çµ„件失效時快速切æ›ï¼Œä¿è‰ç³»çµ±(tÇ’ng)æ£å¸¸é‹(yùn)行。
  ◠任務(wù)é…置文件å‡ç´šï¼šé‡æ–°è©•估自動駕駛ã€AI功能å°èŠ¯ç‰‡ä½¿ç”¨å£½å‘½çš„å½±éŸ¿ï¼Œå¹¶æ“š(jù)æ¤å„ª(yÅu)化任務(wù)é…ç½®æ–‡ä»¶çš„åƒæ•¸(shù)。
  ◠整車熱管ç†ç³»çµ±(tÇ’ng):開發(fÄ)更高效的車內(nèi)溫控方案,減緩車內(nèi)ç’°(huán)境å°é›»å元器件的影響,例如在電動車ä¸å„ª(yÅu)åŒ–é›»æ± å†·å»å’ŒèŠ¯ç‰‡æ•£ç†±çš„å”(xié)åŒæ•ˆçŽ‡ã€‚
  隨著汽車芯片è€åŒ–å•題的凸顯,行æ¥(yè)標(biÄo)準(zhÇ”n)需è¦é€²(jìn)一æ¥å®Œå–„。如 ISO 26262 標(biÄo)準(zhÇ”n)的下一版本將é (yù)測性ç¶è·(hù)ç´å…¥å…¶ä¸ï¼Œå¼·(qiáng)調(dià o)å°ç¡…片數(shù)據(jù)的監(jiÄn)控和彈性管ç†ã€‚
  整個行æ¥(yè)應(yÄ«ng)ç©æ¥µéµå¾ªå¹¶æŽ¨å‹•æ¤é¡žæ¨™(biÄo)準(zhÇ”n)的實(shÃ)施,使得汽車芯片的è¨(shè)計ã€åˆ¶é€ 和應(yÄ«ng)用都有更明確的è¦(guÄ«)èŒƒå’Œè¦æ±‚,促進(jìn)汽車芯片技術(shù)在應(yÄ«ng)å°ç‚Žç†±æ°£å€™è€åŒ–å•題上的整體進(jìn)æ¥ã€‚
  汽車芯片涉åŠåˆ°èŠ¯ç‰‡åˆ¶é€ å•†ã€æ±½è»Šåˆ¶é€ 商ã€é›¶éƒ¨ä»¶ä¾›æ‡‰(yÄ«ng)商ç‰å¤šå€‹ç’°(huán)節(jié),需è¦åŠ å¼·(qiáng)產(chÇŽn)æ¥(yè)éˆä¸Šä¸‹æ¸¸çš„åˆä½œã€‚
  ◎ èŠ¯ç‰‡åˆ¶é€ å•†èˆ‡æ±½è»Šåˆ¶é€ å•†æ‡‰(yÄ«ng)密切åˆä½œï¼Œæ ¹æ“š(jù)汽車的實(shÃ)際使用環(huán)境和需求,共åŒç ”發(fÄ)é©åˆçš„芯片產(chÇŽn)å“。
  ◎ èˆ‡ææ–™ä¾›æ‡‰(yÄ«ng)商åˆä½œï¼Œé–‹ç™¼(fÄ)新型的è€é«˜æº«ææ–™;
  ◎ 與軟件開發(fÄ)商åˆä½œï¼Œå„ª(yÅu)化芯片的監(jiÄn)測和調(dià o)控軟件算法。
  通éŽç”¢(chÇŽn)æ¥(yè)éˆçš„å”(xié)åŒåˆä½œï¼Œæ•´åˆå„方資æºï¼Œå…±åŒæ”»å…‹æ±½è»ŠèŠ¯ç‰‡åœ¨ç‚Žç†±æ°£å€™ä¸‹è€åŒ–的難題。
  å°çµ(jié)
ã€€ã€€å…¨çƒæ°£æº«çš„上å‡å’Œæ¥µç«¯æ°£å€™çš„é »ç™¼(fÄ)ï¼Œå°æ±½è»ŠèŠ¯ç‰‡çš„å¯é 性æå‡ºäº†å‰æ‰€æœªæœ‰çš„æŒ‘戰(zhà n)。隨著自動駕駛ã€é›»æ°£åŒ–和智能化技術(shù)的發(fÄ)展,芯片在車載系統(tÇ’ng)ä¸çš„作用愈發(fÄ)é—œ(guÄn)éµï¼Œç‚Žç†±æ°£å€™åŠ é€ŸèŠ¯ç‰‡è€åŒ–這一ç¾(xià n)象表明,ç¾(xià n)有技術(shù)和標(biÄo)準(zhÇ”n)在極端環(huán)境下ä»å˜åœ¨é¡¯è‘—ä¸è¶³ã€‚
  芯片è¨(shè)è¨ˆå’Œåˆ¶é€ æŠ€è¡“(shù)需在性能與å¯é æ€§é–“å°‹æ±‚æ›´å¥½çš„å¹³è¡¡ã€‚å¾žææ–™å‰µ(chuà ng)新到é (yù)測性ç¶è·(hù)的應(yÄ«ng)用,å†åˆ°æ•´è»Šå±¤é¢çš„å”(xié)åŒå„ª(yÅu)化,行æ¥(yè)æ£åœ¨æŽ¢ç´¢å¤šå±¤æ¬¡çš„æ‡‰(yÄ«ng)å°ç–略。
上一篇:軟啟動器有幾種啟動方�軟啟...
下一篇:Vector:無處ä¸åœ¨çš„igusæ˜“æ ¼...
ä¸åœ‹å‚³å‹•ç¶²(wÇŽng)版權(quán)與å…責(zé)è²æ˜Žï¼šå‡¡æœ¬ç¶²(wÇŽng)注明[來æºï¼šä¸åœ‹å‚³å‹•ç¶²(wÇŽng)]的所有文å—ã€åœ–片ã€éŸ³è¦–å’Œè¦–é »æ–‡ä»¶ï¼Œç‰ˆæ¬Š(quán)å‡ç‚ºä¸åœ‹å‚³å‹•ç¶²(wÇŽng)(www.siyutn.com)ç¨(dú)家所有。如需轉(zhuÇŽn)載請與0755-82949061è¯(lián)系。任何媒體ã€ç¶²(wÇŽng)站或個人轉(zhuÇŽn)è¼‰ä½¿ç”¨æ™‚é ˆæ³¨æ˜Žä¾†æºâ€œä¸åœ‹å‚³å‹•ç¶²(wÇŽng)â€ï¼Œé•å者本網(wÇŽng)將追究其法律責(zé)任。
本網(wÇŽng)轉(zhuÇŽn)載并注明其他來æºçš„稿件,å‡ä¾†è‡ªäº’è¯(lián)ç¶²(wÇŽng)或æ¥(yè)å…§(nèi)投稿人士,版權(quán)屬于原版權(quán)人。轉(zhuÇŽn)載請ä¿ç•™ç¨¿ä»¶ä¾†æºåŠä½œè€…ï¼Œç¦æ¢æ“…自篡改,é•è€…è‡ªè² (fù)版權(quán)法律責(zé)任。