時間:2025-04-15 16:27:28來æºï¼š21icé›»åç¶²
  一ã€åŠŸè€—ä¾†æºèˆ‡æ•£ç†±éœ€æ±‚
  激光雷é”çš„åŠŸè€—ä¸»è¦æºè‡ªä¸‰å¤§æ¨¡å¡Šï¼šæ¿€å…‰ç™¼å°„器ã€å…‰å¸æŽƒææ©Ÿæ§‹åŠä¿¡è™Ÿè™•ç†é›»è·¯ã€‚以æŸåœ‹ç”¢è»Šè¦ç´šLiDAR為例,其尺寸為137x112x48mm,平å‡åŠŸè€—é”18Wï¼Œå…¶ä¸æ¿€å…‰ç™¼å°„å™¨å æ¯”è¶…éŽ50%。激光發射器需æŒçºŒè¼¸å‡ºé«˜åŠŸçŽ‡è„ˆæ²–(通常為數å瓦級)ï¼Œå…‰å¸æŽƒææ©Ÿæ§‹(如MEMSå¾®æŒ¯é¡æˆ–轉é¡)éœ€é«˜é »é©…å‹•ï¼Œè€Œä¿¡è™Ÿè™•ç†é›»è·¯å‰‡å› 高速數據åžå(æ¯ç§’處ç†ç™¾è¬ç´šé»žäº‘)產生動態功耗。
  散熱è¨è¨ˆçš„æŒ‘戰在于:一方é¢ï¼Œæ¿€å…‰é›·é”需在-40℃至85℃的極端環境下穩定工作;å¦ä¸€æ–¹é¢ï¼Œé«˜åŠŸçŽ‡å¯†åº¦å°Žè‡´å±€éƒ¨ç†±é»žæº«åº¦å¯é”120℃以上,超出電å元件的è€å—閾值。例如,激光二極管在高溫下波長漂移會導致測è·èª¤å·®ï¼Œè€ŒFPGA芯片éŽç†±å‰‡å¯èƒ½å¼•發計算錯誤或永久性æå£žã€‚
  二ã€å°åž‹åŒ–帶來的è¨è¨ˆçŸ›ç›¾
  激光雷é”çš„å°åž‹åŒ–需求與散熱è¨è¨ˆå˜åœ¨å¤©ç„¶çŸ›ç›¾ã€‚傳統分立å¼è¨è¨ˆ(如機械旋轉å¼LiDAR)通éŽå¢žåŠ æ•£ç†±é°ç‰‡é¢ç©ç·©è§£ç†±æ‡‰åŠ›ï¼Œä½†é«”ç©é¾å¤§(直徑通常超éŽ200mm),難以滿足車è¦ç´šå®‰è£è¦æ±‚。混åˆå›ºæ…‹æ–¹æ¡ˆ(如MEMS微振é¡)雖將體ç©ç¸®å°è‡³æ‰‹æŽŒå¤§å°ï¼Œä½†é«˜é›†æˆåº¦å°Žè‡´ç†±æµå¯†åº¦åŠ‡å¢žã€‚ä»¥æŸ128ç·šæ··åˆå›ºæ…‹LiDAR為例,其內部空間利用率é”90%,但激光發射器與信號處ç†èŠ¯ç‰‡çš„é–“è·ä¸è¶³5mm,熱é‡å‚³éžè·¯å¾‘å—é™ã€‚
  æ¤å¤–,å°åž‹åŒ–é‚„åŠ åŠ‡äº†åŠŸè€—æŽ§åˆ¶é›£åº¦ã€‚å‚³çµ±æ–¹æ¡ˆä¸ï¼Œå¯é€šéŽå¢žå¤§é›»æºæ¨¡å¡Šå†—余度或é™ä½Žå·¥ä½œé »çއæ›å–穩定性,但在å°åž‹åŒ–產å“ä¸ï¼Œé›»æºæ•ˆçއ(如DC-DCè½‰æ›æ•ˆçއ)èˆ‡æ•£ç†±èƒ½åŠ›éœ€åŒæ¥å„ªåŒ–。例如,æŸå» 商采用氮化鎵(GaN)åŠŸçŽ‡å™¨ä»¶å°‡é›»æºæ•ˆçŽ‡å¾ž85%æå‡è‡³92%,但高溫下GaNçš„å¯é 性ä»éœ€é€šéŽå°è£å·¥è—改進。
  三ã€åŠŸè€—èˆ‡æ•£ç†±çš„å”åŒå„ªåŒ–方案
  激光發射器的熱管ç†
ã€€ã€€æ¿€å…‰ç™¼å°„å™¨æ˜¯åŠŸè€—èˆ‡æ•£ç†±çš„æ ¸å¿ƒçŸ›ç›¾é»žã€‚ä¸»æµæ–¹æ¡ˆåŒ…括:
  溫漂補償:通éŽé–‰ç’°æŽ§åˆ¶ç³»çµ±å¯¦æ™‚監測激光器溫度,調整驅動電æµä»¥ç¶æŒæ³¢é•·ç©©å®šã€‚例如,æŸå» 商采用ç€çˆ¾å¸–(Peltier)效應制冷片,將激光器工作溫度波動控制在±0.1℃以內。
ã€€ã€€æ•£ç†±çµæ§‹å‰µæ–°ï¼šé‡‡ç”¨çŸ³å¢¨çƒ¯å¾©åˆææ–™æ›¿ä»£å‚³çµ±é‹åŸºæ¿ï¼Œå…¶ç†±å°Žçއæå‡3å€ï¼ŒåŒæ™‚通éŽå¾®é€šé“液冷技術實ç¾å±€éƒ¨ç†±é»žå¿«é€Ÿæ•£ç†±ã€‚
  激光器芯片化:將多個激光器集æˆäºŽå–®ç‰‡æ™¶åœ“ï¼Œé€šéŽæ™¶åœ“ç´šå°è£(WLP)技術é™ä½Žå¯„生電阻,減少發熱é‡ã€‚
ã€€ã€€å…‰å¸æŽƒææ©Ÿæ§‹çš„能效æå‡
  混åˆå›ºæ…‹æ–¹æ¡ˆä¸ï¼ŒMEMS微振é¡çš„é©…å‹•åŠŸè€—å æ¯”é”20%。優化方å‘包括:
  éœé›»é©…動替代電ç£é©…動:éœé›»é©…動的功耗僅為電ç£é©…å‹•çš„1/10,且響應速度更快。
  諧振模å¼è¨è¨ˆï¼šé€šéŽèª¿æ•´å¾®æŒ¯é¡çš„æ©Ÿæ¢°çµæ§‹åƒæ•¸ï¼Œä½¿å…¶å·¥ä½œåœ¨è«§æŒ¯é »çŽ‡ä¸‹ï¼Œå¯¦ç¾ä½ŽåŠŸè€—é«˜ç²¾åº¦æŽƒæã€‚
  光å¸ç›¸æŽ§é™£(OPA)技術:純固態OPA方案完全消除機械é‹å‹•,功耗é™ä½Žè‡³1W級,但é¢è‡¨å…‰æŸæŒ‡å‘ç²¾åº¦èˆ‡è¦–å ´è§’çš„æ¬Šè¡¡ã€‚
  信號處ç†é›»è·¯çš„動態功耗管ç†
ã€€ã€€é‡‡ç”¨å¤šæ ¸ç•°æ§‹è¨ˆç®—æž¶æ§‹ï¼Œå°‡é»žäº‘è™•ç†ä»»å‹™åˆ†é…至FPGA與ARMæ ¸å¿ƒï¼Œé€šéŽä»»å‹™èª¿åº¦ç®—æ³•å‹•æ…‹èª¿æ•´å·¥ä½œé »çŽ‡ã€‚ä¾‹å¦‚ï¼Œåœ¨è»Šè¼›éœæ¢æ™‚é™ä½ŽFPGAå·¥ä½œé »çŽ‡è‡³50MHz,而在高速é‹å‹•時æå‡è‡³200MHz。æ¤å¤–,采用近閾值電壓(NTV)è¨è¨ˆå°‡éœæ…‹åŠŸè€—é™ä½Ž60%,但需通éŽç‰‡ä¸Šæº«åº¦å‚³æ„Ÿå™¨å¯¦æ™‚監測æ¼é›»æµè®ŠåŒ–。
  系統級散熱è¨è¨ˆ
  從熱力å¸è§’度優化系統架構:
  熱æµè·¯å¾‘è¦åŠƒï¼šå°‡ç™¼ç†±é‡æœ€å¤§çš„æ¿€å…‰ç™¼å°„器與信號處ç†èŠ¯ç‰‡ç½®äºŽå†·æ¿(Cold Plate)直接接觸å€åŸŸï¼Œè€Œå°‡ä½ŽåŠŸè€—æ¨¡å¡Š(如電æºç®¡ç†å–®å…ƒ)布置在熱æµä¸‹æ¸¸ã€‚
ã€€ã€€ç†±ç•Œé¢ææ–™(TIM)å‰µæ–°ï¼šé‡‡ç”¨ç›¸è®Šææ–™(PCM)替代傳統導熱硅脂,其熱導率在固態與液態間動態切æ›ï¼Œé©æ‡‰ä¸åŒå·¥æ³ä¸‹çš„æ•£ç†±éœ€æ±‚。
  風é“與æµé«”仿真:通éŽCFD仿真優化散熱é°ç‰‡çµæ§‹ï¼Œä¾‹å¦‚采用仿生鯊éšé°è¨è¨ˆå°‡é¢¨é˜»é™ä½Ž30%ï¼ŒåŒæ™‚æå‡æ•£ç†±æ•ˆçŽ‡ã€‚
ã€€ã€€å››ã€æœªä¾†è¶¨å‹¢èˆ‡æŒ‘戰
ã€€ã€€ææ–™èˆ‡å·¥è—çªç ´
  碳化硅(SiC)功率器件ã€é‡‘剛石散熱基æ¿ç‰æ–°ææ–™çš„æ‡‰ç”¨å°‡é€²ä¸€æ¥é™ä½ŽåŠŸè€—å¹¶æå‡æ•£ç†±èƒ½åŠ›ã€‚ä¾‹å¦‚ï¼ŒSiC MOSFET的開關æè€—僅為硅基器件的1/5ï¼Œä½†å…¶æˆæœ¬ä»éœ€é€šéŽå¤§è¦æ¨¡é‡ç”¢æ”¤è–„。
ã€€ã€€ç³»çµ±æž¶æ§‹é©æ–°
  芯片化與平臺化è¨è¨ˆæˆç‚ºä¸»æµè¶¨å‹¢ã€‚例如,æŸå» 商通éŽå°‡æ¿€å…‰ç™¼å°„器ã€é©…動電路與信號處ç†å–®å…ƒé›†æˆäºŽå–®ç‰‡SoC,使功耗é™ä½Ž40%ï¼ŒåŒæ™‚支æŒOTA(空ä¸å‡ç´š)功能。
ã€€ã€€ç’°å¢ƒé©æ‡‰æ€§å¢žå¼·
  未來激光雷é”需在-50℃至125â„ƒçš„æ¥µç«¯ç’°å¢ƒä¸‹ç©©å®šå·¥ä½œï¼Œé€™å°æ•£ç†±è¨è¨ˆèˆ‡å°è£å·¥è—æå‡ºæ›´é«˜è¦æ±‚。例如,采用氣å‡è† éš”ç†±ææ–™èˆ‡ç›¸è®Šå„²èƒ½æŠ€è¡“,實ç¾å¯¬æº«åŸŸä¸‹çš„熱管ç†ã€‚
  能效評估標準
  行æ¥éœ€å»ºç«‹çµ±ä¸€çš„能效評估體系,例如定義“æ¯ç„¦è€³èƒ½é‡ç”¢ç”Ÿçš„æœ‰æ•ˆé»žäº‘數â€ä½œç‚ºæ ¸å¿ƒæŒ‡æ¨™ï¼ŒæŽ¨å‹•技術è¿ä»£ã€‚
  çµèªž
  激光雷é”的功耗與散熱è¨è¨ˆæ˜¯ä¸€å ´å¤šç¶åº¦çš„ç³»çµ±å·¥ç¨‹ï¼Œéœ€åœ¨ææ–™ã€å·¥è—ã€æž¶æ§‹èˆ‡ç®—法層é¢å”åŒå‰µæ–°ã€‚隨著自動駕駛ç‰ç´šçš„æå‡èˆ‡å‚³æ„Ÿå™¨éƒ¨ç½²å¯†åº¦çš„å¢žåŠ ï¼Œèƒ½æ•ˆæ¯”å°‡æˆç‚ºæ¿€å…‰é›·é”çš„æ ¸å¿ƒç«¶çˆåŠ›ã€‚æœªä¾†ï¼Œé€šéŽç†±é›»è¯ç”¢(TEG)ã€èƒ½é‡å›žæ”¶ç‰å‰æ²¿æŠ€è¡“çš„å¼•å…¥ï¼Œæ¿€å…‰é›·é”æœ‰æœ›å¯¦ç¾â€œé›¶åŠŸè€—å¾…æ©Ÿâ€èˆ‡â€œè‡ªä¾›é›»é‹è¡Œâ€ï¼Œå¾¹åº•çªç ´å°åž‹åŒ–與長續航的矛盾,為智能駕駛的普åŠå¥ 定技術基礎。
ä¸Šä¸€ç¯‡ï¼šç´”é›»å‹•æ±½è»Šå‹•åŠ›é›»æ± ç®¡ç†ç³»çµ± ...
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