低成本襯底上快熱CVD法制備晶體硅薄膜電池

以RTCVD方法在低成本襯底——顆粒硅帶（SSP）上制備了外延晶體硅薄膜電池.在20×20mm2上得到的最高轉(zhuǎn)換...[查看詳情]

標(biāo)簽：格式：rar下載次數(shù)：572大小：196.70KB發(fā)布時(shí)間：2009-04-26

納米晶體硅量子點(diǎn)場(chǎng)發(fā)射冷陰極的研究

在n-Si（4～5Ω·cm）襯底上淀積了400nm厚的納米晶體硅（nc-Si）量子點(diǎn)薄膜,將其制備成場(chǎng)致發(fā)射的冷陰極...[查看詳情]

標(biāo)簽：格式：rar下載次數(shù)：514大小：279.71KB發(fā)布時(shí)間：2009-04-26

晶體硅太陽(yáng)電池選擇性擴(kuò)散的研究

該文主要介紹一種制造太陽(yáng)電池的選擇性擴(kuò)散新工藝,采用印刷電極的方法在硅片上的電極位置印刷高 磷漿料,...[查看詳情]

標(biāo)簽：格式：rar下載次數(shù)：519大小：214.69KB發(fā)布時(shí)間：2009-04-26

非晶體硅平板探測(cè)器圖像質(zhì)量與輻射劑量的比較研究

目的：研究非晶體硅平板探測(cè)器在不同輻射劑量下的圖像質(zhì)量,并比較平板探測(cè)器（FPD）、熒光存儲(chǔ)和屏-片系...[查看詳情]

標(biāo)簽：格式：rar下載次數(shù)：499大小：201.53KB發(fā)布時(shí)間：2009-04-26

100MW晶體硅太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)線在湘投產(chǎn)

中電科技集團(tuán)第48所100MW晶體硅太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)線一期工程竣工投產(chǎn)暨二期莫基儀式在長(zhǎng)沙隆重舉行。湖南...[查看詳情]

標(biāo)簽：格式：rar下載次數(shù)：619大小：140.80KB發(fā)布時(shí)間：2009-04-26

晶體硅太陽(yáng)電池工藝技術(shù)研究

晶體硅太陽(yáng)電池是目前技術(shù)最成熟、應(yīng)用最廣泛的太陽(yáng)電池。以晶體硅太陽(yáng)電池的生產(chǎn)流程為基礎(chǔ)，主要從提...[查看詳情]

標(biāo)簽：格式：rar下載次數(shù)：528大小：435.22KB發(fā)布時(shí)間：2009-04-26

基于雙向觸發(fā)二極管的脈沖序列發(fā)生器

提出了一種基于雙向觸發(fā)二極管和單電容定時(shí)的，用于爆閃式信號(hào)燈的脈沖序列發(fā)生器。這種脈沖序列發(fā)生器...[查看詳情]

標(biāo)簽：格式：rar下載次數(shù)：609大小：180.48KB發(fā)布時(shí)間：2009-04-22

基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的一款寬帶限幅放大器芯片設(shè)計(jì)

采用SMIC 0．35μm CMOS混合信號(hào)工藝來(lái)設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)一款適用于SDH STM-16的光接收機(jī)前端限幅放大器芯片。該...[查看詳情]

標(biāo)簽：格式：rar下載次數(shù)：477大小：381.33KB發(fā)布時(shí)間：2009-04-22

納米氧化鎳的制備及超級(jí)電容性能研究

以NiS04·6H2O和NaOH為原料，采用常溫合成一水熱改性一中溫焙燒工藝制備了分散性好、平均粒徑約為40nm的...[查看詳情]

標(biāo)簽：格式：rar下載次數(shù)：537大小：231.06KB發(fā)布時(shí)間：2009-04-22

控制電纜的分布電容對(duì)LED信號(hào)燈的影響

伴隨著LED信號(hào)燈的大量使用，電氣調(diào)試過(guò)程中經(jīng)常會(huì)遇到LED信號(hào)燈“雙燈現(xiàn)象”，即：不該發(fā)光的LED信號(hào)燈...[查看詳情]

標(biāo)簽：格式：rar下載次數(shù)：625大小：156.61KB發(fā)布時(shí)間：2009-04-22