背腐蝕在晶體硅太陽電池生產中的應用

背腐蝕可以用來代替生產中通常使用的等離子刻蝕將擴散后正面和背面的p-n結分開。本文中背腐蝕使用了HF—...[查看詳情]

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納米級晶體硅粉末

本發明提供了BET表面積為20—150m︿2／g的聚集的晶體硅粉末。它是通過如下步驟制得的：使至少一種蒸氣的...[查看詳情]

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晶體硅太陽能電池產業化及應用產品開發

西安交通大學太陽能研究所研制的太陽能照明燈系列技術有：太陽能照明燈設計技術、太陽能照明燈過放控制...[查看詳情]

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納米晶體硅量子點薄膜的制備及表征

利用激光燒蝕沉積法在n-Si（100）襯底上制備非晶硅（α-Si）薄膜，再經過高溫退火技術處理使α-Si晶化成...[查看詳情]

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基于數字圖像處理的晶體硅顆粒形態分析算法

顆粒形態分析是準確進行顆粒識別的基礎．本文利用圖像處理技術統計顆粒數目，標注顆粒質心，計算了顆粒...[查看詳情]

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高純多晶硅及晶體硅光伏電池硅片

2003年以來，我國光伏產業的生產能力飛速增長。到2006年底，晶體硅光伏電池用硅片的生產能力已超過500MW...[查看詳情]

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工業化薄晶體硅太陽電池背電極漿料

通過調整背電極漿料和電池基片厚度，探索了減少太陽電池彎曲度的途徑。[查看詳情]

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納米硅／晶體硅異質結電池的暗I-V特性和輸運機制

采用HWCVD技術在P型CZ晶體硅襯底上制備了納米硅／晶體硅異質結太陽電池，測量了晶體硅表面在不同氫處理...[查看詳情]

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AFORS—HET軟件模擬N型非晶硅／p型晶體硅異質結太陽電池

運用AFORS-HET程序模擬計算了不同本征層厚度、能隙寬度、發射層厚度、能帶失配以及不同界面態密度等參數...[查看詳情]

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外延晶體硅薄膜電池的EBIC與SR-LBIC特性分析

電子束誘導電流（EBIC:Electron Beam Induced Current）是研究晶體缺陷（如晶界、位錯、沉淀等）復合特...[查看詳情]

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