高效薄膜硅／晶體硅異質(zhì)結(jié)電池的研究

一引言用薄膜工藝在晶體硅襯底上制備非晶、納米晶薄膜，可獲得異質(zhì)結(jié)電池，該類電池有以下優(yōu)點(diǎn):[查看詳情]

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背腐蝕在晶體硅太陽(yáng)電池生產(chǎn)中的應(yīng)用

背腐蝕可以用來(lái)代替生產(chǎn)中通常使用的等離子刻蝕將擴(kuò)散后正面和背面的p-n結(jié)分開。本文中背腐蝕使用了HF—...[查看詳情]

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納米級(jí)晶體硅粉末

本發(fā)明提供了BET表面積為20—150m︿2／g的聚集的晶體硅粉末。它是通過如下步驟制得的：使至少一種蒸氣的...[查看詳情]

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晶體硅太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)化及應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā)

西安交通大學(xué)太陽(yáng)能研究所研制的太陽(yáng)能照明燈系列技術(shù)有：太陽(yáng)能照明燈設(shè)計(jì)技術(shù)、太陽(yáng)能照明燈過放控制...[查看詳情]

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納米晶體硅量子點(diǎn)薄膜的制備及表征

利用激光燒蝕沉積法在n-Si（100）襯底上制備非晶硅（α-Si）薄膜，再經(jīng)過高溫退火技術(shù)處理使α-Si晶化成...[查看詳情]

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基于數(shù)字圖像處理的晶體硅顆粒形態(tài)分析算法

顆粒形態(tài)分析是準(zhǔn)確進(jìn)行顆粒識(shí)別的基礎(chǔ)．本文利用圖像處理技術(shù)統(tǒng)計(jì)顆粒數(shù)目，標(biāo)注顆粒質(zhì)心，計(jì)算了顆粒...[查看詳情]

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高純多晶硅及晶體硅光伏電池硅片

2003年以來(lái)，我國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)能力飛速增長(zhǎng)。到2006年底，晶體硅光伏電池用硅片的生產(chǎn)能力已超過500MW...[查看詳情]

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工業(yè)化薄晶體硅太陽(yáng)電池背電極漿料

通過調(diào)整背電極漿料和電池基片厚度，探索了減少太陽(yáng)電池彎曲度的途徑。[查看詳情]

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納米硅／晶體硅異質(zhì)結(jié)電池的暗I-V特性和輸運(yùn)機(jī)制

采用HWCVD技術(shù)在P型CZ晶體硅襯底上制備了納米硅／晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池，測(cè)量了晶體硅表面在不同氫處理...[查看詳情]

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AFORS—HET軟件模擬N型非晶硅／p型晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池

運(yùn)用AFORS-HET程序模擬計(jì)算了不同本征層厚度、能隙寬度、發(fā)射層厚度、能帶失配以及不同界面態(tài)密度等參數(shù)...[查看詳情]

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