ç”¨äºŽç°¡æ˜“è®Šé »å™¨è¨è¨ˆçš„æ–°åž‹æ‰å¹³è¼¸å…¥æ•´æµå™¨
時間:2009-02-17 09:17:30來æºï¼šyangliu
導語:?SEMiXâ 輸入整æµå™¨ç‚ºåŠŸçŽ‡æ¨¡å¡Šçš„ç·Šæ¹Šå¼å¸ƒå±€å¥ 定了基礎,它也為電力電å系統的發展樹立了一個新的標準。
ç”¨äºŽè®Šé »å™¨è¨è¨ˆçš„æ–°åž‹çš„輸入整æµå™¨ç‚ºé›»åЛ電åå¸å¸¶ä¾†äº†ä¸€å€‹å…¨æ–°çš„ç†å¿µï¼Œå¹¶ä¸”具有如下優點:é™ä½Žäº†æ•´é«”æè€—ã€ç°¡åŒ–制冷è¨è¨ˆã€æ¸›å°äº†æ¨¡å¡Šçš„é«”ç©å’Œé‡é‡ã€‚在IGBT和輸入整æµå™¨ä¹‹é–“å¯ä»¥å¯¦ç¾ç›´æŽ¥çš„無線連接。
  SEMiXâ 輸入整æµå™¨ç‚ºåŠŸçŽ‡æ¨¡å¡Šçš„ç·Šæ¹Šå¼å¸ƒå±€å¥ 定了基礎,它也為電力電åç³»çµ±çš„ç™¼å±•æ¨¹ç«‹äº†ä¸€å€‹æ–°çš„æ¨™æº–ã€‚é€™ç¨®å¸ƒå±€ç‚ºç°¡æ˜“è®Šé »å™¨è¨è¨ˆæä¾›äº†åˆ†é›¢çš„輸入ã€è¼¸å‡ºç«¯åã€‚å› ç‚ºé€™ç¨®æ–°åž‹è¼¸å…¥æ•´æµå™¨çš„進æ¥ï¼Œåœ¨é›»æµå¤§äºŽ150A以上的應用ä¸ï¼ŒäºŒæ¥µç®¡æ¨¡å¡Šæˆ–晶閘管模塊首次和IGBT模塊å¯ä»¥å…·æœ‰ç›¸åŒçš„å°è£ï¼Œé€™ä¾¿ä½¿æ–°åž‹ä½Žæˆæœ¬è®Šé »å™¨çš„è¨è¨ˆæˆç‚ºå¯èƒ½ã€‚在IGBT和輸入整æµå™¨ä¹‹é–“çš„æ¯æŽ’å¯ä»¥ç›´æŽ¥é€£æŽ¥ã€‚這æ„å‘³è‘—åœ¨åŒæ¨£çš„安è£é«˜åº¦ä¸‹å°±å¯ä»¥å®‰è£æ‰€æœ‰çš„功率器件åŠå…¶ç›¸é—œçš„驅動電路。如果IGBT驅動電路安è£åœ¨IGBTæ¨¡å¡Šçš„é ‚éƒ¨ï¼Œå‰‡æ•´å€‹æ¨¡å¡Šçš„é«˜åº¦å¯ä»¥å¤§å¤§çš„é™ä½Žã€‚
  直æµç’°ç¯€é›»å®¹ç„¡é ˆé€šéŽå¸æ”¶é›»å®¹è€Œç›´æŽ¥é€£æŽ¥ï¼Œä½Žçš„ç›´æµç’°ç¯€é›»æ„Ÿèƒ½å¤ 減å°ç³»çµ±çš„éŽé›»å£“。在ç¾ä»£ç³»çµ±ä¸ï¼Œé›»ç£å…¼å®¹ä¿è·æŽªæ–½æ˜¯ä¸€å€‹é‡è¦çš„æå‡æˆæœ¬çš„å› ç´ ï¼Œæœ€æœ‰æ•ˆçš„æ–¹æ³•å°±æ˜¯ä½¿ç”¨æ™ºèƒ½åŒ–çš„è®Šæ›å™¨è¨è¨ˆæ–¹æ³•將電ç£å…¼å®¹å•題消除在它產生的階段。
  SEMiXâ æ¨¡å¡Šé—¡æ˜Žäº†è³½ç±³æŽ§çš„å¥®æ–—ç›®æ¨™ï¼šåœ¨ç¾æœ‰æ‡‰ç”¨çš„基礎上來é™ä½Žç¸½çš„æè€—并且é™ä½Žç³»çµ±çš„æˆæœ¬ã€‚ç”±äºŽç¾ä»£è¨è¨ˆæŠ€è¡“的進æ¥ï¼Œæ¨¡å¡Šç´šçš„系統æè€—已經é™åˆ°äº†æœ€ä½Žã€‚å› æ¤æˆ‘們æˆåŠŸçš„é—œéµåœ¨äºŽé™ä½Žå™¨ä»¶çš„é–‹é—œæè€—和線路æè€—。低功耗自身就æ„味著系統具有更高的效率ã€ç¯€çœèƒ½é‡ã€ç°¡å–®çš„åˆ¶å†·ç³»çµ±ã€æ›´ç·Šæ¹Šçš„æ¨¡å¡Šè¨è¨ˆã€æ›´å°çš„é«”ç©å’Œæ›´è¼•çš„é‡é‡ï¼Œè‡ªç„¶ä¹Ÿæ„å‘³è‘—æ›´ä½Žçš„æˆæœ¬ã€‚為了é™ä½Žä»ŠåŽè®Šé »å™¨çš„ç”Ÿç”¢æˆæœ¬ï¼Œå¿…é ˆåœ¨é›»åŠ›é›»å工程å¸ä¸å„ªåŒ–ç¾ä»£é›»åЛ電å系統的è¨è¨ˆä»¥æ»¿è¶³æœªä¾†ä½Žæˆæœ¬çš„需求。
  螺å”端åä½äºŽæ¨¡å¡Šé ‚部的標準輸入模塊已經å˜åœ¨å¤§ç´„30å¹´äº†ã€‚å¾žäº‹é›»æ°£å‚³å‹•è®Šé »å™¨è¨è¨ˆçš„å·¥ç¨‹å¸«æ£æ—¥ç›Šé¢è‡¨é€™æ¨£ä¸€å€‹å•題:å³ä»¥æ¨™æº–模塊為基礎來è¨è¨ˆé›œæ•£é›»æ„Ÿå¾ˆå°çš„ç·Šæ¹Šçš„ä½Žé›»æ„Ÿè®Šé »å™¨ç³»çµ±ã€‚åœ¨IGBTæ¨¡å¡Šé ˜åŸŸï¼Œé›»æµå¾ž100A到900A,端å高度為17mmçš„æ‰å¹³åŒ–模塊已經æˆç‚ºäº†æ–°çš„ç”¢å“æ¨™æº–。
  賽米控的新型整æµå™¨åœ¨å¦‚ä¸‹å¹¾å€‹æ–¹é¢æ»¿è¶³äº†ç³»çµ±é–‹ç™¼è€…çš„è¦æ±‚:
1.用戶å‹å¥½çš„æ£/è² ç«¯å
2.用戶å‹å¥½çš„交æµç«¯å
3.模塊高度和最新一代IGBT的模塊的高度相åŒ
  二極管和晶閘管模塊的æ·å²å¯è¿½æº¯åˆ°ä¸Šå€‹ä¸–ç´€70年代,那時模塊ä¸çš„熱æµå’Œé›»æµæ˜¯åˆ†é›¢çš„。主端å和模塊散熱å´ä¹‹é–“的電氣絕緣å…許ä¸åŒçš„æ¨¡å¡Šå®‰è£åœ¨åŒä¸€å€‹æ•£ç†±å™¨ä¸Šï¼Œå¹¶ä¸”ä¸åŒçš„元器件å¯ä»¥å°è£åœ¨ä¸€å€‹æ¨¡å¡Šä¸ã€‚æ ¹æ“šåŠŸçŽ‡ç‰ç´šçš„ä¸åŒï¼Œç¾åœ¨é€šå¸¸å°‡æ•´æµæ©‹æˆ–串è¯çš„兩個晶閘管或二極管集æˆåœ¨ä¸€å€‹æ¨¡å¡Šé‡Œã€‚é€™å°±æ˜¯åŠæ©‹â€”â€”æ˜¯æ‰€æœ‰æ©‹å¼æ•´æµå™¨å’Œåå¹¶è¯é€£æŽ¥çš„æ¨™æº–基礎,也是世界范åœå…§ä½¿ç”¨æœ€å»£æ³›çš„變æ›å™¨çš„連接方法之一。1975年賽米控首次推出了SEMIPACKSâ產å“,這是世界上的第一個絕緣的功率模塊,從æ¤åœ¨åŠŸçŽ‡æ¨¡å¡Šçš„å°è£é ˜åŸŸå°±ç¢ºç«‹äº†å®ƒçš„æ¨™æº–地ä½ã€‚
SEMiXâ è¨è¨ˆç†å¿µå·²ç¶“擴展到二極管和晶閘管模塊
  新型的輸入整æµå™¨æ¨¡å¡Šä½¿ç”¨å’ŒIGBTæ¨¡å¡ŠåŒæ¨£çš„安è£å’Œé€£æŽ¥æŠ€è¡“ã€‚ç”±äºŽè³½ç±³æŽ§å‰µæ–°åž‹çš„è§£æ±ºæ–¹æ¡ˆï¼Œå¸‚å ´å°ç«¯å高度為17mmçš„æ‰å¹³è¼¸å…¥æ•´æµå™¨çš„需求ç¾åœ¨å¾—åˆ°äº†æ»¿è¶³ã€‚äº‹å¯¦ä¸Šæ£æ˜¯é€™ç¨®æ–°ç”¢å“的出ç¾ï¼Œé›»åŠ›é›»åæ¥ç•Œç¾åœ¨æ‰èƒ½å¤ 為電力電å系統æä¾›æœ‰å¸å¼•力的整體解決方案。
ã€€ã€€æ–°åž‹è¼¸å…¥æ•´æµæ©‹ç”¢å“系列有五種å°è£å°ºå¯¸å³2,3,4,33å’Œ13。2å’Œ13å¯ç”¨äºŽæ•´æµæ©‹æ¨¡å¡Šã€‚而且產å“系列ç¾åœ¨åˆå¢žæ·»äº†ä¸€å€‹ï¼Œå³SEMiXâ 1。
模塊的底部是3mm厚的銅底æ¿ã€‚氧化é‹é™¶ç“·åŸºæ¿ç”¨ä½œé›»æ°£çµ•緣層。雙極型芯片被焊接到DCB上。
賽米控生產的晶閘管和二極管芯片表é¢ç¶“éŽçŽ»ç’ƒéˆåŒ–處ç†ã€‚賽米控在éŽåŽ»çš„ä¸‰åå¤šå¹´ä¾†ä¸€ç›´åœ¨é–‹ç™¼å’Œç”Ÿç”¢æ™¶é–˜ç®¡å’ŒäºŒæ¥µç®¡èŠ¯ç‰‡ï¼Œå¥¹åœ¨é€™ä¸€é ˜åŸŸç©ç´¯äº†è±å¯Œçš„經驗,芯片通éŽé‡‘屬線連接。模塊內部è¨è¨ˆç¶“éŽå„ªåŒ–èƒ½å¤ ä¿è‰å¤§çš„æµªæ¶Œé›»æµï¼Œé€™åœ¨æ™¶é–˜ç®¡å’ŒäºŒæ¥µç®¡ä¸æ˜¯å¿…é ˆçš„ã€‚æ£å¦‚IGBT模塊ä¸çš„連接方å¼ä¸€æ¨£ï¼Œç”¨å½ˆç°§ä¾†å¯¦ç¾é™°æ¥µèˆ‡é–€æ¥µçš„輔助連接,這種方法使得連接的路徑很çŸã€‚é©…å‹•æ¿å¯ä»¥ç›´æŽ¥å®‰è£åœ¨æ•´æµå™¨çš„é ‚éƒ¨æˆ–ç”¨å¿«é€ŸæŽ¥é 和金屬線來連接。和IGBT模塊相似,在æ¤è™•使用的無焊連接工è—å…è¨±è®Šé »å™¨çš„åŠŸçŽ‡é›»è·¯å’Œé©…å‹•é›»è·¯åœ¨ç”Ÿç”¢éŽç¨‹çš„任何階段進行è£é…,而且這種無焊連接如果出于測試和ç¶ä¿®çš„ç›®çš„ä¹Ÿèƒ½å¤ è¼•æ˜“åœ°è¢«æ‹†é–‹ã€‚
SEMiXâ 2æ•´æµå™¨çš„內部è¨è¨ˆ
å°äºŽä¸å¤§åŠŸçŽ‡è®Šé »å™¨è¼¸å…¥å´è€Œè¨€ï¼Œé›»æµé”到400Açš„æ•´æµæ©‹å·²ç¶“出ç¾äº†ä¸€ç¨®æ–°åž‹é€£æŽ¥æ¨¡å¼ã€‚
該連接方å¼å°æ‡‰çš„產å“系列如下表所示,其é¡å®šåŠŸçŽ‡ç‰ç´šçš„劃分和SEMIPACKâ 系列類似,屬于æ¥ç•ŒèªåŒçš„æ¨™æº–。
SEMiXâ 13æ˜¯ä¸€å€‹ä¸‰ç›¸æ•´æµæ©‹æ¨¡å¡Šã€‚這æ„味著ä¸éœ€è¦é¡å¤–的外部電路,當然也節çœäº†çµ„è£æ™‚所需è¦çš„ææ–™ï¼Œè€Œä¸”在一部分應用ä¸ï¼Œç›´æµç’°ç¯€é€£æŽ¥åˆ°æ£è² 端å的銅排也節çœäº†ã€‚æ¤å¤–ï¼Œå¦‚æžœåœ¨æ¨¡å¡Šçš„é ‚éƒ¨ç”¨ä¸€å¡Šæ¿ä¾†å¯¦ç¾åŠŸçŽ‡éƒ¨åˆ†çš„é€£æŽ¥ï¼Œå‰‡é€£æŽ¥æ¿çš„尺寸也å¯ä»¥æ¸›å°ã€‚由于模塊的緊湊化è¨è¨ˆï¼Œæ¨¡å¡Šçš„表é¢ç©æ¸›å°‘了30%ï¼šå’Œä¸‰å°æ¨¡å¡Šç¸½å®‰è£é¢ç©ç‚º93 mm x 80 mm(模塊安è£é–“è·ç‚º10mm)相比,一個SEMiXâ 13的安è£é¢ç©åƒ…為110 mm x 50 mm。
ç‚ºé€£æŽ¥åŠŸçŽ‡å™¨ä»¶åŠæ•£ç†±å™¨æ‰€éœ€çš„螺釘也大大減少了:SEMiXâ 13僅需è¦9個螺釘,而三個模塊å»éœ€è¦15å€‹èžºé‡˜ã€‚é€™ä¾¿å¤§å¤§æ¸›å°‘äº†å®‰è£æ¨¡å¡Šæ‰€éœ€è¦çš„工時。
ã€€ã€€é€™ç¨®é¡žåž‹çš„æ©‹å¼æ•´æµå™¨è¢«ç”¨ä½œè®Šé »å™¨çš„è¼¸å…¥æ•´æµæ©‹ã€‚
ã€€ã€€æŒ‡ç¤ºå‡ºäº†ç”¨äºŽä¸‰ç›¸é›»æ©Ÿï¼ˆåŒæ¥æˆ–ç•°æ¥é›»æ©Ÿï¼‰çš„è¼¸å…¥æ©‹å¼æ•´æµå™¨ã€‚ç”±äºŽåªæœ‰ä¸€ç¨®é‚Šæ¡†å°ºå¯¸ï¼Œå› æ¤æ©Ÿæ¢°è¨è¨ˆå¯ä»¥è¢«4象é™è®Šé »å™¨é‡å¾©ä½¿ç”¨ã€‚
åœ¨å¦‚ä¸‹çš„æ‡‰ç”¨é ˜åŸŸä¹Ÿå¯ä½¿ç”¨å…¶ä»–çš„æ©‹å¼æ•´æµæ‹“æ’²çµæ§‹
· 電氣è¨å‚™çš„輸入整æµå™¨ï¼Œå¦‚é›»æ± å……é›»å™¨å’Œé›»æº
· ç›´æµé›»æ©Ÿé©…å‹•å™¨çš„æ•´æµæ©‹ï¼ˆç‚ºé©…動或電樞電路供電)
  直æµç’°ç¯€é›»å®¹æŒ‰ç…§å¯æŽ§æˆ–ä¸æŽ§çš„æ–¹å¼é€²è¡Œé å……é›»ã€‚åœ¨å¯æŽ§é 充電方å¼ä¸‹ï¼Œå……電電æµï¼ˆè¼¸å…¥æµªæ¶Œé›»æµï¼‰æ˜¯å—到é™åˆ¶ã€‚SEMiXâæ©‹å¼æ•´æµå™¨æœ‰B6HKå’Œ B2HKå…©ç¨®æ‹“æ’²çµæ§‹ã€‚
完整的功率電å系統
ã€€ã€€æ–°åž‹è¼¸å…¥æ©‹å¼æ•´æµå™¨çš„發展為功率變æ›é›»è·¯å¸¶ä¾†äº†å…¨æ–°çš„ç†å¿µï¼Œå¹¶å…·æœ‰å¦‚下的優點:整體能耗的é™ä½Žã€ç°¡åŒ–çš„æ•£ç†±ç³»çµ±ã€æ¨¡å¡Šé«”ç©å’Œé‡é‡çš„æ¸›å°ã€‚這種通用的è¨è¨ˆæŠ€è¡“èƒ½å¤ è¢«ç”¨äºŽè¼¸å…¥é›»è·¯å’Œé€†è®Šå™¨ä¸ã€‚事實上功率電å系統ç¾åœ¨æœ‰æœ€å¥½çš„基礎來é™ä½Žæ–°ä¸€ä»£è®Šé »å™¨çš„ç”Ÿç”¢æˆæœ¬ã€‚
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