隨著消費電子行業的快速發展，芯片的應用范圍越來越廣泛。在芯片生產工藝中，固晶機作為關鍵設備，提升產能和加工精度對絕大多數設備廠家來說至關重要。

　　為滿足固晶機高速度和高精度的需求，雷賽控制卡開發了指令緩存算法以匹配行業需求。指令緩存通過添加緩存指令的方式實現點膠和固晶等工藝流程，有效減少了與上位機的判斷和控制卡的數據交互，從而大幅度減少通信時間，提高工藝流程的執行效率和流暢度。

　　雷賽控制卡的指令緩存算法的詳細介紹，下面我們將以實例展示其是如何滿足固晶機高速度和高精度的需求。

　　工藝要求

　　一般固晶機工藝流程：

　　常見固晶機結構包括以下部分組成：

　　左邊是晶圓盤(x/y軸)，中間是固晶模組，包含有固晶上下軸(z軸)，還有固晶擺臂軸(u軸)，右邊是待加工的工件。

　　使用指令緩存實現固晶的主要動作流程：

　　實例代碼

　　左右滑動可查看完整代碼?

　　1 ushort mark = 0, card = 3, group = 0, axis_num = 2;

　　2 ushort[] axis_list = new ushort[2] { 0, 1 };

　　3 ushort axis_z = 0, axis_u = 1;

　　4 double start_vel = 1000, stop_vel = 1000, max_vel = 200000, tacc = 0.01, tdec = 0.01;

　　5 double z_OPos = 16000;

　　6 //z、u軸取晶位置

　　7 double z_GetPos = 10000;//取晶位

　　8 double u_GetPos = 0;//取晶位

　　9 //z、u軸固晶位置

　　10 double SafePos = 11800;//安全位

　　11 double z_SolidPos = 10000;//固晶位;

　　12 double u_SolidPos = 9000;//固晶位

　　13 double test_Pos0 = 1200;

　　14 double test_Pos1 = 7800;

　　15

　　16 LTDMC.dmc_set_position_unit(card, axis_z, 20000);

　　17 LTDMC.dmc_set_position_unit(card, axis_u, 0);

　　18 LTDMC.dmc_m_open_list(card,group,axis_num,axis_list);

　　19 LTDMC.dmc_m_start_list(card,group);

　　20 LTDMC.dmc_m_set_profile_unit(card, group, axis_z, start_vel, max_vel, tacc, tdec, stop_vel);

　　21 LTDMC.dmc_m_set_profile_unit(card, group, axis_u, start_vel, max_vel, tacc, tdec, stop_vel);

　　22

　　23 #region 取晶固晶

　　24 LTDMC.dmc_m_add_wait_event_data(card, group, (ushort)enumWaitEvent.WaitMoveDone, axis_z, 0, 0, (ushort)mark);

　　25 mark++;

　　26 LTDMC.dmc_m_add_wait_event_data(card, group, (ushort)enumWaitEvent.WaitMoveDone, axis_u, 0, 0, (ushort)mark);

　　27 mark++;

　　28 int i = 0;

　　29 while(i < 10)

　　30 {

　　31 LTDMC.dmc_m_add_sigaxis_moveseg_data_ex(card, group, axis_z, z_GetPos, mark);//z軸走到取晶位

　　32 mark++;

　　33 LTDMC.dmc_m_add_wait_event_data(card, group, (ushort)enumWaitEvent.WaitMoveDone, axis_z, 0, 0, (ushort)mark);//等待z軸停止

　　34 mark++;

　　35 LTDMC.dmc_m_add_time_delay(card, group, 10, mark);//等待取晶完成

　　36 mark++;

　　37 LTDMC.dmc_m_add_sigaxis_moveseg_data_ex(card, group, axis_z, z_OPos, mark);//z軸上升

　　38 mark++;

　　39 LTDMC.dmc_m_add_wait_event_data(card, group, (ushort)enumWaitEvent.WaitEncoder, axis_z, 0, SafePos, (ushort)mark);//等待z軸走到安全位

　　40 mark++;

　　41 LTDMC.dmc_m_add_sigaxis_moveseg_data_ex(card, group, axis_u, u_SolidPos, mark);//u軸走到固晶位

　　42 mark++;

　　43 LTDMC.dmc_m_add_wait_event_data(card, group, (ushort)enumWaitEvent.WaitEncoder, axis_u, 0, test_Pos1, (ushort)mark);//等待u軸走到下降檢測位

　　44 mark++;

　　45 LTDMC.dmc_m_add_sigaxis_moveseg_data_ex(card, group, axis_z, z_SolidPos, mark);//z軸走到固晶位

　　46 mark++;

　　47 LTDMC.dmc_m_add_wait_event_data(card, group, (ushort)enumWaitEvent.WaitMoveDone, axis_z, 0, 0, (ushort)mark);//等待z軸停止

　　48 mark++;

　　49 LTDMC.dmc_m_add_time_delay(card, group, 20, mark);//等待固晶完成

　　50 mark++;

　　51 LTDMC.dmc_m_add_sigaxis_moveseg_data_ex(card, group, axis_z, z_OPos, mark);//z軸上升

　　52 mark++;

　　53 LTDMC.dmc_m_add_wait_event_data(card, group, (ushort)enumWaitEvent.WaitEncoder, axis_z, 0, SafePos, (ushort)mark);//等待z軸走到安全位

　　54 mark++;

　　55 LTDMC.dmc_m_add_sigaxis_moveseg_data_ex(card, group, axis_u, u_GetPos, mark);//u軸走到取晶位

　　56 mark++;

　　57 LTDMC.dmc_m_add_wait_event_data(card, group, (ushort)enumWaitEvent.WaitEncoder, axis_u, 1, test_Pos0, (ushort)mark);//等待u軸走到下降檢測位

　　58 mark++;

　　59 LTDMC.dmc_m_add_sigaxis_moveseg_data_ex(card, group, axis_z, z_GetPos, mark);//z軸走到取晶位

　　60 mark++;

　　61 i++;

　　62 }

　　63 #endregion

　　64 LTDMC.dmc_m_close_list(card,group);

　　效果對比

　　01

　　使用指令緩存的位置曲線和速度曲線圖：

　　指令緩存位置-時間曲線

　　指令緩存速度-時間曲線 滑動查看更多》

　　02

　　普通pmove實現的位置曲線和速度曲線圖

　　普通點位運動位置-時間曲線

　　普通點位運動速度-時間曲線 滑動查看更多》

　　由以上案例我們可以看出，使用指令緩存方式進行10次加工只需2.381s，而使用普通的點位運動進行10次加工需要3.296s，整整省掉了915ms!

　　(此數據僅代表上述用例中的輸入參數得出，實際現場加工的數據會有差異)

　　IC固晶機解決方案

　　優勢

　　1.優化指令執行過程，減少信息交互時間，提高指令執行效率。

　　2.使用指令緩存方式，使取晶和固晶動作更流暢、柔和，實現更快速、精準的操作。

　　3.數據對比顯示，使用指令緩存功能比常規單段點位運動快15%~20%。實際應用中，工件加工速度提升至每小時15k，甚至16-17k。

　　—END—