2015年1月26日，武漢新芯集成電路制造有限公司（XMC），今日宣布其第一個基于SST應(yīng)用方案的55nm嵌入式閃存工藝驗證模塊上已經(jīng)取得成功，其高壓和存儲單元電性測試結(jié)果與設(shè)計目標(biāo)值完全吻合，16M存儲陣列良率符合預(yù)期。這是武漢新芯低功耗嵌入式閃存技術(shù)研發(fā)的一個重要里程碑。
武漢新芯于2014年正式開始與SST合作開發(fā)高可靠性的嵌入式閃存技術(shù)。在雙方工程師的共同努力下，僅用不到一年時間就完成了技術(shù)導(dǎo)入、工藝設(shè)計和器件研發(fā)制造。目前，器件的高壓（HV）和單元（Cell）電性參數(shù)完全符合預(yù)期，整體電路結(jié)構(gòu)兼具高可靠性和低成本，能完全滿足智能卡和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的需求。緊接著，武漢新芯將與合作伙伴試產(chǎn)智能卡產(chǎn)品，以驗證終端產(chǎn)品功能和性能，并以此進(jìn)一步優(yōu)化工藝、提升良率，實現(xiàn)量產(chǎn)。
“在55nm嵌入式閃存工藝上取得的進(jìn)展意味著武漢新芯正穩(wěn)步推進(jìn)自己55nm低功耗物聯(lián)網(wǎng)平臺的建設(shè)。”武漢新芯市場部副總裁黃建冬博士說道，“我們將繼續(xù)拓展現(xiàn)有的制造能力，持續(xù)完善工藝平臺，為客戶帶來更多定制化的技術(shù)與代工服務(wù)。”
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