賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 11 月29 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用業內最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封裝的CSP規格尺寸，具有業內最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET®功率MOSFET。

今天發布的器件將用于智能手機、平板電腦和移動計算設備等便攜式電子產品的電源管理應用中的電池或負載開關。MOSFET的外形緊湊小巧，可節省PCB空間并實現超薄的外形，使便攜式電子產品變得更薄、更輕，低導通電阻可實現更低的傳導損耗，以減少功耗并延長電池壽命。器件的低導通電阻還可以降低負載開關上的壓降，避免討厭的欠壓鎖定。

這些MOSFET是首批采用這種規格尺寸的產品，采用超高密度技術制造，使用自對齊工藝技術，將10億個晶體管單元裝到1平方英寸的硅片里。通過MICRO FOOT的無封裝CSP技術，使器件在給定的外形面積內實現了盡可能低的導通電阻。

12V Si8806DB是P溝道器件，在4.5V柵極驅動下的最大導通電阻為43m?。如需要20V電壓，Si8812DB提供59m?的最大導通電阻。N溝道器件適用于DC/DC升壓轉化器等高速開關應用，開啟/關斷時間小于100ns。

20V P溝道Si8817DB和Si8489EDB適用于降壓轉換器應用。更小的0.8mm x 0.8mmx 0.4mm Si8817DB在4.5V柵極驅動下的最大導通電阻為76m?，可用于空間比導通電阻更重要的應用場合。1mm x 1mm的Si8489EDB在4.5V的導通電阻更低，只有54m?，適用于導通電阻更重要的應用。

Si8489EDB是首個1mm x 1mm規格尺寸的P溝道Gen III器件，典型ESD保護達2500V。此外，Si8817DB可以在1.5V電壓下導通，可以搭配手持設備中常見的更低電壓柵極驅動和更低的總線電壓一起工作，節省電平轉換電路的空間和成本。

器件符合RoHS指令2011/65/EU和JEDEC JS709A的無鹵素規定。

Si8806DB、Si8812DB、Si8817DB和Si8489EDB是MICRO FOOT系列的最新成員，可以在以下網址找到相關信息http://www.vishay.com/mosfets/micro-foot-package/。

器件規格表：

新款TrenchFET功率MOSFET現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com。

MICRO FOOT^®是Siliconix 公司的注冊商標。