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光迅科技募資6.3億元 投資核心光電子芯片與器件項目

時間:2013-12-09

來源:網絡轉載

導語:通過本次募投項目的實施,公司擬進一步擴大中高端光電子芯片及其器件的生產規模,擴大在國內乃至國際光通信設備市場的份額,大力推動我國光通信產業的發展,顯著提升我國在光通信設備制造領域的核心競爭力。

光迅科技今日公告,擬向不超過10名特定對象,發行不超過2307萬股,募集資金總額不超過6.3億元,用于投資“寬帶網絡核心光電子芯片與器件產業化項目”。發行底價為27.31元/股,較前收盤價折價22.61%。該項目投資總額約6.10億元,擬全部使用募集資金。

光迅科技將以光電子芯片技術為龍頭,針對數個市場急需的目標產品進行產業化,本次募投項目的目標產能為年產150.60萬只10G發射器件、年產84.00萬只10G接收器件、年產4.80萬只25G發射器件、年產0.96萬只40G接收器件。

公司預計建設期為2年,全部達產后預計將新增產品年銷售收入7.63億元,年新增利潤總額1.39億元,預計投資回收期(稅后)6.45年(含建設期2年),內部收益率(稅后)為16.65%。

項目建設的背景

1、信息化、寬帶化成為國際潮流

在信息技術發達,寬帶服務不斷拓展的今天,各國政府都把信息化、寬帶化建設作為政府的重要任務之一。

奧巴馬政府2009年批準的經濟刺激計劃中,寬帶網建設是其經濟振興計劃的五項內容之一,安排了72億美元用于寬帶補貼和借貸計劃。歐洲國家作為發達國家,寬帶普及率相對落后。近年來,歐洲經濟大國也越來越重視光纖接入的部署。法國政府在2010年初提出一項價值20億歐元(約合28億美元)的國家寬帶貸款項目,歐洲第一大運營商德國電信為了加速推動德國的光纖業務發展,2012年8月宣布計劃獨自成立一個光纖到戶業務子公司。

日本是全球光纖到戶發展最好的國家,日本政府將FTTH(光纖到戶)的普及程度視為社會信息化先進程度的標志,為此日本政府提出了從“e-Jpan(為信息化建設奠基)”到“u-Japan(創造上網環境)”再到“i-Japan(轉動公共部門的網絡齒輪)”等ICT(信息通信技術)戰略,積極推動FTTH的發展。

韓國是全球FTTX(光纖接入)普及率最高的國家(50%左右),而韓國家庭寬帶普及率在95%左右。韓國寬帶高速發展主要得益于韓國政府的政策支持,然而,韓國政府并不滿足已取得的成績。韓國政府曾發布寬帶發展策略“KoreanBroadbandPlan”和“綠色IT國家戰略”等國家戰略進一步推動信息化發展。

全球信息化、寬帶化的浪潮為光通信市場帶來了重要的發展契機。目前,光纖通信技術在整個基礎網絡的建設中得到廣泛而普遍的應用,承載了全球80%以上的通信業務,形成了每年上百億美元規模的光纖通信硬件設備市場。其中,占全產業鏈總產值70%以上的光電子器件產業可以被稱為光通信產業的心臟,必將迎來新一輪的發展。

光迅科技作為在光電子器件領域銷售規模國內第一,國際上排名第六的公司,將作為受益者在新一輪行業發展中獲得進一步成長的機會。

2、“寬帶中國戰略”為國內光電子器件行業提供了難得的發展機遇、也提出了更高的要求

在上述全球信息化、寬帶化的大背景下,工信部在2012年兩會上提出了“寬帶中國戰略”。“寬帶中國戰略”的制定,對我國光通信和光電子器件行業的發展將起到至關重要的推動作用。

工信部在2012年2月已正式發布了“寬帶中國.光網城市”戰略,以光纖到戶為核心,構建“百兆入戶、千兆進樓”的高性能網絡,積極實踐和推動以PON(無源光網絡)為基礎的FTTX網絡建設,迅速實現規模運營。

“寬帶中國戰略”的制定,為國內光電子器件行業提供了難得的發展機遇;但同時,“寬帶中國戰略”的實現也依賴于我國光電子器件技術的進步、產品性能與可靠性的進一步提高。

3、4G時代的來臨進一步提升光電子器件行業發展空間

隨著4G時代的來臨,光通信產業可謂風生水起,再次迎來了前所未有的機遇。據估計,4G的啟動可以帶來達到2,000億以上規模的光通信市場。從目前的情況來看,無線通信向LTE發展的方向已相當明確。作為新一代通信技術的LTE意味著更靈活的系統部署、更短的等待時間、更高的用戶數據速率和頻譜效率、系統容量和覆蓋的改善以及運營成本的降低。預計2015年LTE收入將突破2,000億美元大關。

就國內而言,據統計,中國移動未來4年內將新建80萬個4G基站,從而使4G基站總數量達到100萬個;中國電信未來4年的建站總數也將達到60萬個。據估算,2013年國內LTE光模塊市場容量為5.4億元,用量超過180萬套,并在接下來的幾年中以超過20%的增長率向上攀升。

如果說4G是移動互聯網的“高鐵”,那么基站和傳輸就分別是“車站”和“鐵軌”,占4G網絡總投資的90%左右,而光模塊則是基站和傳輸的最核心部件。因此,4G時代電信運營商對基站和傳輸的投資必將惠及光電子器件行業,這將為光迅科技這樣的光電子器件公司帶來難得的發展機遇。

4、項目的提出與用“芯”布局未來

全球信息化、寬帶化已經成為未來社會發展的趨勢,加之4G時代的來臨、我國“寬帶中國戰略”的提出,這些都為國內光電子器件行業的發展帶來了巨大的推力。如何牢牢把握行業面臨的巨大機遇,是光電子器件企業面臨的當務之急。

據統計,2012年全球光傳輸設備領域中國廠商占到了40%的份額,光接入網設備領域中國廠商占到了75%的份額,但是在光電子芯片與器件領域中國廠商只占到了25%的份額,從份額比例上來看極不對稱。而即使是僅有的25%份額中,絕大部分集中在中低端芯片及器件,中高端芯片及器件大部分被國外廠商所壟斷。

在光電子器件實際生產中,光電子器件的芯片成本占比通常在30-50%,高端光器件中芯片成本甚至在50%以上。光迅科技作為我國通信光電子器件研究開發、生產銷售的龍頭企業,雖然在核心的光電子芯片技術上是國內產業化最成功的企業,但產品仍主要集中于2.5G以下的中低端芯片上,未來的市場競爭迫使公司必須在中高端光電子芯片上取得突破。

另一方面,市場在對光電子器件需求不斷增大的同時,對芯片及其器件的要求也越發向10G、40G及以上高速率芯片及器件轉移。在此背景下,公司必須及時調整產品結構,大力發展中高端、高速芯片技術及產品,以適應世界主流通信技術發展的要求,才能繼續保持行業領先地位,增強公司持續發展和持續經營能力。

面對上述市場需求,公司作為國內光電子器件的龍頭企業,以發展“中國芯”為歷史己任,計劃用“芯”布局未來:公司擬提出建設寬帶網絡核心光電子芯片與器件產業化項目,通過生產具有自主知識產權的中高端光電子芯片并以此為核心生產中高端光電子器件,將公司多年的研發成果進行產業化,以滿足國內及全球信息化、寬帶化對中高端光電子器件日益增長的需求。

項目建設的目的

1、順應公司技術垂直整合、加強協同效應的發展思路

公司一直堅持從“芯片-器件-模塊-子系統”的技術垂直整合之路。

公司在自身技術平臺發展的基礎上,通過廣泛開展與國內外的優勢研究機構和大學的交流與合作開展自主研發,并對關鍵產業鏈和關鍵技術平臺通過實施并購重組等方式,加快技術切入,提高在光電子芯片與器件行業內的技術整合實力。

公司2012年通過收購WTD(即武漢電信器件有限公司)完成了對有源光器件的產業整合,此次收購后公司產品覆蓋了有源、無源以及光電混合的全系列各類光器件和模塊,企業競爭力得到了大幅提升。2013年上半年,在自主研發的同時,公司加強了整合上游芯片的力度,收購了IPX(即丹麥IgnisPhotonyxA/S公司,收購后更名為光迅丹麥有限公司)。通過此次收購,公司獲得了基于PECVD(等離子體增強化學氣相沉積法)的芯片設計制造核心技術。

本次募集資金投資項目——寬帶網絡核心光電子芯片與器件產業化項目主要是針對有源芯片為核心的光器件產業化,項目的核心內容是建設具有自主知識產權的中高端有源芯片制造能力,并以此為基礎生產中高端有源光器件,是公司執行技術垂直整合思路的重要一步。

本次募投項目的實施,不僅能夠進一步提升公司在光電子芯片與器件方面的技術水平和生產能力,同時還能夠帶動公司光有源器件的工藝水平和生產制造能力的提升,推動相關產品線進行垂直整合,對提高公司的總體競爭能力、整體發展水平和盈利能力起到極大的促進作用。

本次募投項目實施之后,公司將形成更完整的、從有源到無源的“芯片-器件-模塊-子系統”垂直一體化產業鏈,協同效應更為顯著。

2、順應公司光電子器件智能化、集成化的產品發展思路

公司始終堅持在專業技術研發、應用技術研發的基礎上,進一步拓展集成化技術研發。公司鼓勵具有自主知識產權的原創性技術研究,倡導跨專業的技術集成,強化光電子器件集成化和系統化的開發,結合市場需求和產業經濟要素,重點開展光電子器件技術與應用、高效低成本制造技術、專業化工藝作業與過程控制體系等項目的研發,探索實現光電子器件技術升級的有效途徑,順應行業技術進步的趨勢和潮流。

本次募投項目的實施將進一步提升公司在中高端有源芯片方面的生產工藝水平和產業化規模,為公司未來拓展基于中高端核心光電子芯片技術的高智能化、高集成化產品打下堅實的基礎,順應了公司光電子器件智能化、集成化的產品發展思路。

3、順應不斷升級的市場需求

隨著單通道傳輸速率的提高和密集波分復用技術的廣泛應用,基礎光傳送網絡已經擁有巨大的原始帶寬資源,光纖通信在進一步追求高速大容量干線傳輸的同時,逐步向以智能化、集成化、低成本和高可靠性為特征、以城域網和接入網(光纖到戶)為發展重點、以全光通信為遠景的新一代光通信網絡演進,通信和信息產業領域中新一輪的國際競爭正在醞釀之中。

無論是高速光傳輸技術、密集波分復用技術,還是寬帶光纖接入技術和全光網絡技術,總體上講光纖通信系統的發展和推廣應用無不取決于光電子器件技術的突破與實用化。

基于上述不斷升級的市場需求,公司擬通過本次募集資金投資項目將產品線從主要集中于2.5G以下的普通FP-LD、DFB-LD、PIN、APD等類型上,逐漸擴大升級至10G、40G及以上速率的中高端產品,以升級產品結構,順應不斷升級的市場需求。

4、順應國際競爭及自身發展的需要

無論是光無源器件還是光有源器件,掌握中高端的芯片技術是在國際競爭中取勝的關鍵環節。

光迅科技作為我國通信光電子器件研究開發、生產銷售最具影響的單位之一,公司在中高端、高速光電子芯片技術上已完成技術積累,必須盡快實施大規模產業化,才能繼續保持行業領先地位,獲得持續發展的機遇。

通過本次募投項目的實施,公司擬進一步擴大中高端光電子芯片及其器件的生產規模,擴大在國內乃至國際光通信設備市場的份額,大力推動我國光通信產業的發展,顯著提升我國在光通信設備制造領域的核心競爭力。

本次募投項目的實施也將能夠進一步增強公司光電子芯片與器件領域在技術、管理、生產上的競爭實力,從根本上提高相關產品的工藝技術水平與核心競爭能力,保持良好的持續盈利能力。

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