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化合物半導體與LED前景佳

時間:2017-03-22

來源:網絡轉載

導語:LED:新型襯底與MicroLED是發展新動力在行業經歷瘋狂之后,LED產業逐步平穩,產業轉移、產能過剩、新技術挑戰等等因素都使得深耕LED的產業人士

近期參加了LED與化合物行業內的各項論壇,現將參展感悟以及相關分析匯編成報告。通過參會,我們更加加深了對產業及相關上市公司的認知。

LED:新型襯底與MicroLED是發展新動力在行業經歷瘋狂之后,LED產業逐步平穩,產業轉移、產能過剩、新技術挑戰等等因素都使得深耕LED的產業人士,特別是處于LED最大市場的中國企業家、專家不得不尋找產業的新增長點——尋找優良的襯底技術與發展MicroLED。在襯底技術方面,硅襯底材料的出現是結合了導熱性、成本低、工藝成熟等優勢的融合。發展硅襯底技術能進一步推動LED照明技術革新。

MicroLED為LED技術的微型化和矩陣化。在智能終端小型化、物聯網時代趨勢帶動下,MicroLED成為平板顯示界的新熱點。

化合物半導體是未來核心材料從2000年開始,化合物半導體市場逐步擴大,以砷化鎵(GaAs)、氮化鎵、碳化硅為首的半導體材料應用增多。第三代半導體是以GaN、Sic與ZnO,由于其極高的光電轉化效率,多制備成寬禁帶、高功率、高效率的微電子、電力電子、LED光電等器件。由于氮化鎵的應用范圍主要在中低功率產品,相關機構由此預估,氮化鎵半導體材料在2015年2021年期間成長率達到83%,其中電源應用占比較大,達到近60%;相比而言,碳化硅由于市場空間小,成長相對緩慢,成長率在21%左右。全球各大廠商都在布局化合物半導體產業鏈,在功率器件、射頻器件,與終端消費電子領域有極大市場。我國作為相關器件的消費大國,通過提升制造能力,正以全新姿態往化合物半導體方向布局。

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