近期參加了LED與化合物行業內的各項論壇，現將參展感悟以及相關分析匯編成報告。通過參會，我們更加加深了對產業及相關上市公司的認知。
LED：新型襯底與MicroLED是發展新動力在行業經歷瘋狂之后，LED產業逐步平穩，產業轉移、產能過剩、新技術挑戰等等因素都使得深耕LED的產業人士，特別是處于LED最大市場的中國企業家、專家不得不尋找產業的新增長點——尋找優良的襯底技術與發展MicroLED。在襯底技術方面，硅襯底材料的出現是結合了導熱性、成本低、工藝成熟等優勢的融合。發展硅襯底技術能進一步推動LED照明技術革新。
MicroLED為LED技術的微型化和矩陣化。在智能終端小型化、物聯網時代趨勢帶動下，MicroLED成為平板顯示界的新熱點。
化合物半導體是未來核心材料從2000年開始，化合物半導體市場逐步擴大，以砷化鎵（GaAs）、氮化鎵、碳化硅為首的半導體材料應用增多。第三代半導體是以GaN、Sic與ZnO，由于其極高的光電轉化效率，多制備成寬禁帶、高功率、高效率的微電子、電力電子、LED光電等器件。由于氮化鎵的應用范圍主要在中低功率產品，相關機構由此預估，氮化鎵半導體材料在2015年2021年期間成長率達到83％，其中電源應用占比較大，達到近60％；相比而言，碳化硅由于市場空間小，成長相對緩慢，成長率在21％左右。全球各大廠商都在布局化合物半導體產業鏈，在功率器件、射頻器件，與終端消費電子領域有極大市場。我國作為相關器件的消費大國，通過提升制造能力，正以全新姿態往化合物半導體方向布局。
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