我國芯片領(lǐng)域獲重大突破：與存算一體芯片有關(guān)

時間：2023-10-12

來源：21ic電子網(wǎng)

導(dǎo)語：10月10日消息，據(jù)清華大學(xué)公眾號，近日，清華大學(xué)集成電路學(xué)院教授吳華強(qiáng)、副教授高濱基于存算一體計算范式，研制出全球首顆全系統(tǒng)集成的、支持高效片上學(xué)習(xí)(機(jī)器學(xué)習(xí)能在硬件端直接完成)的憶阻器存算一體芯片。

　　這是在支持片上學(xué)習(xí)的憶阻器存算一體芯片領(lǐng)域的重大突破，有望促進(jìn)人工智能、自動駕駛可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域的發(fā)展，該研究成果日前已在《科學(xué)》上發(fā)表。

　　多個憶阻器陣列芯片協(xié)同工作示意圖

　　據(jù)清華大學(xué)介紹，該芯片包含支持完整片上學(xué)習(xí)所必需的全部電路模塊，成功完成圖像分類、語音識別和控制任務(wù)等多種片上增量學(xué)習(xí)功能驗證，展示出高適應(yīng)性、高能效、高通用性、高準(zhǔn)確率等特點，有效強(qiáng)化智能設(shè)備在實際應(yīng)用場景下的學(xué)習(xí)適應(yīng)能力。

　　存算一體系統(tǒng)架構(gòu)

　　相同任務(wù)下，芯片實現(xiàn)片上學(xué)習(xí)的能耗僅為先進(jìn)工藝下專用集成電路(ASIC)系統(tǒng)的1/35，同時有望實現(xiàn)75倍的能效提升。

　　據(jù)了解，記憶電阻器是繼電阻、電容、電感之后的第四種電路基本元件，可以在斷電之后，仍能“記憶”通過的電荷，被當(dāng)做新型納米電子突觸器件。

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