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臺積電高雄廠已完成2nm營運團隊建設，未來或切入1.4nm

時間：2023-10-25

來源：全球半導體觀察

導語：據中國臺灣經濟日報報道，臺積電高雄廠正式編定為臺積22廠(Fab 22)，并且完成該廠2nm營運團隊建設。臺積電供應鏈認為，臺積電或許可能將高達逾7000億新臺幣的1.4nm投資計劃轉向高雄，但仍視其他縣市爭取臺積電進駐態度及臺積電全盤規劃而定。

       據中國臺灣經濟日報報道，臺積電高雄廠正式編定為臺積22廠(Fab 22)，并且完成該廠2nm營運團隊建設。臺積電供應鏈認為，臺積電或許可能將高達逾7000億新臺幣的1.4nm投資計劃轉向高雄，但仍視其他縣市爭取臺積電進駐態度及臺積電全盤規劃而定。

　　報道指出，臺積電打破在不同產區同時生產最先進制程的慣例，將高雄廠原計劃切入28納米及7納米的規劃，改為直接切入2納米。同時在新竹寶山興建2納米第一期工廠之際，也立刻于高雄第一期工廠作為生產2納米制程。

　　此前據TechNews消息，臺積電在北部(新竹寶山)、中部(臺中中科)和南部(高雄楠梓)都有重大投資，興建2nm工廠。

　　據了解，新竹寶山廠第一廠初期月產能約達3萬片;高雄廠則計劃在寶山廠量產隔年也著手2納米強化版N2P的量產作業，初期規劃月產能也會在2萬片以上。

　　臺積電在2nm制程節點將首度使用Gate-all-around FETs(GAAFET)晶體管，同時制造過程仍依賴于極紫外線(EUV)光刻技術，原計劃2024年末將做好風險生產的準備，并在2025年末進入大量生產，客戶在2026年就能收到首批采用N2制程制造的芯片。

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