武漢光谷實驗室攻克成像芯片新技術
時間：2024-03-07
來源：全球半導體觀察
導語：據中國光谷3月7日消息，光谷實驗室宣布，其科研團隊研發的膠體量子點成像芯片已實現短波紅外成像，面陣規模30萬、盲元率低于6‰、波長范圍0.4-1.7微米、暗電流密度小于50nA/cm2、外量子效率高于60%，性能優越。
據中國光谷3月7日消息，光谷實驗室宣布，其科研團隊研發的膠體量子點成像芯片已實現短波紅外成像，面陣規模30萬、盲元率低于6‰、波長范圍0.4-1.7微米、暗電流密度小于50nA/cm2、外量子效率高于60%，性能優越。
相關負責人表示，這一技術的核心優勢有：圖像分辨率高，理論上像素尺寸僅受限于艾利斑直徑;溶液法低溫加工，與任何形貌的基底均兼容;探測波段高度可定制化，探測波段不受襯底吸收影響;可大面積加工，兼容12寸CMOS晶圓制備工藝 ，同時成本極低。
消息稱，光谷實驗室團隊通過4年時間，全力攻關量子點技術，通過低溫的溶液法制備工藝，實現可與硅基芯片一體化集成的量子點短波紅外成像芯片，其探測波段范圍遠超傳統銦鎵砷芯片，同時制造成本僅不到近百分之一。極大的成本優勢，讓量子點芯片有望推開新市場的大門。
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