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甬矽電子:募資12億元加碼多維異構先進封裝項目

時間:2024-05-29

來源:全球半導體觀察

導語:5月27日,甬矽電子發布公告稱,公司擬向不特定對象發行可轉換公司債券的募集資金總額不超過12億元,扣除發行費用后的募集資金凈額將用于多維異構先進封裝技術研發及產業化項目、補充流動資金及償還銀行借款。

       5月27日,甬矽電子發布公告稱,公司擬向不特定對象發行可轉換公司債券的募集資金總額不超過12億元,扣除發行費用后的募集資金凈額將用于多維異構先進封裝技術研發及產業化項目、補充流動資金及償還銀行借款。

  根據公告,甬矽電子本項目總投資額為14.64萬元,擬使用募集資金投資額為9億元。實施地點位于公司浙江寧波的二期工廠,屆時將購置臨時健合設備、機械研磨設備、化學研磨機、干法刻硅機、化學氣相沉積機、晶圓級模壓機、倒裝貼片機、助焊劑清洗機、全自動磨片機等先進的研發試驗及封測生產設備,同時引進行業內高精尖技術、生產人才,建設與公司發展戰略相適應的研發平臺及先進封裝產線。

  公告指出,該項目建成后,甬矽電子將開展“晶圓級重構封裝技術(RWLP)”、“多層布線連接技術(HCOS-OR)”、“高銅柱連接技術(HCOS-OT)”、“硅通孔連接板技術(HCOS-SI)”和“硅通孔連接板技術(HCOS-AI)”等方向的研發及產業化,并在完全達產后形成年封測扇出型封裝(Fan-out)系列和 2.5D/3D 系列等多維異構先進封裝產品9萬片的生產能力。本項目的實施將進一步深化公司在先進封裝領域的業務布局,持續提升公司核心競爭力。

  在先進晶圓級封裝技術方面,甬矽電子表示公司已有一定的技術儲備,包括對先進制程晶圓進行高密度、細間距重布線的技術(RedistributionLayer,即 RDL)、晶圓凸塊技術(Bumping)、扇入(Fan-in)技術等。同時,公司還在積極開發扇出(Fan-out)封裝、蝕刻技術等晶圓級多維異構封裝技術,并已取得了部分發明專利。

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