5月27日，甬矽電子發(fā)布公告稱，公司擬向不特定對(duì)象發(fā)行可轉(zhuǎn)換公司債券的募集資金總額不超過(guò)12億元，扣除發(fā)行費(fèi)用后的募集資金凈額將用于多維異構(gòu)先進(jìn)封裝技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、補(bǔ)充流動(dòng)資金及償還銀行借款。
根據(jù)公告，甬矽電子本項(xiàng)目總投資額為14.64萬(wàn)元，擬使用募集資金投資額為9億元。實(shí)施地點(diǎn)位于公司浙江寧波的二期工廠，屆時(shí)將購(gòu)置臨時(shí)健合設(shè)備、機(jī)械研磨設(shè)備、化學(xué)研磨機(jī)、干法刻硅機(jī)、化學(xué)氣相沉積機(jī)、晶圓級(jí)模壓機(jī)、倒裝貼片機(jī)、助焊劑清洗機(jī)、全自動(dòng)磨片機(jī)等先進(jìn)的研發(fā)試驗(yàn)及封測(cè)生產(chǎn)設(shè)備，同時(shí)引進(jìn)行業(yè)內(nèi)高精尖技術(shù)、生產(chǎn)人才，建設(shè)與公司發(fā)展戰(zhàn)略相適應(yīng)的研發(fā)平臺(tái)及先進(jìn)封裝產(chǎn)線。
公告指出，該項(xiàng)目建成后，甬矽電子將開展“晶圓級(jí)重構(gòu)封裝技術(shù)(RWLP)”、“多層布線連接技術(shù)(HCOS-OR)”、“高銅柱連接技術(shù)(HCOS-OT)”、“硅通孔連接板技術(shù)(HCOS-SI)”和“硅通孔連接板技術(shù)(HCOS-AI)”等方向的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，并在完全達(dá)產(chǎn)后形成年封測(cè)扇出型封裝(Fan-out)系列和 2.5D/3D 系列等多維異構(gòu)先進(jìn)封裝產(chǎn)品9萬(wàn)片的生產(chǎn)能力。本項(xiàng)目的實(shí)施將進(jìn)一步深化公司在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的業(yè)務(wù)布局，持續(xù)提升公司核心競(jìng)爭(zhēng)力。
在先進(jìn)晶圓級(jí)封裝技術(shù)方面，甬矽電子表示公司已有一定的技術(shù)儲(chǔ)備，包括對(duì)先進(jìn)制程晶圓進(jìn)行高密度、細(xì)間距重布線的技術(shù)(RedistributionLayer，即 RDL)、晶圓凸塊技術(shù)(Bumping)、扇入(Fan-in)技術(shù)等。同時(shí)，公司還在積極開發(fā)扇出(Fan-out)封裝、蝕刻技術(shù)等晶圓級(jí)多維異構(gòu)封裝技術(shù)，并已取得了部分發(fā)明專利。
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