據株洲日報官微消息，7月17日，湖南省高校科技成果轉化工作推進大會暨“雙高”對接活動在株洲舉行。會上舉行了全省“雙高”對接項目簽約儀式，清華大學謝志鵬教授團隊與湖南維尚科技有限公司簽訂“功率半導體用氮化硅基板燒結裝備研制”項目合作協議。此次雙方項目合作將開展功率半導體用氮化硅基板燒結裝備研制與先進科技成果轉化。
據悉，氮化硅陶瓷的理論熱導率可達到200W/|(m·K)以上，而其熱膨脹系數與芯片的熱膨脹系數相差無幾，氮化硅陶瓷基板被認為是大規模或超大規模集成電路封裝基板材料的優先選擇。
而燒結工藝是氮化硅陶瓷基板生產的關鍵技術之一，氮化硅基板燒結受到溫度、氣氛、氣壓、溫度及氣氛均勻性等的綜合影響，過程極其復雜，極易出現外觀均勻性、尺寸均勻性變差、成品率降低等問題，需要系統開展燒結工藝研究，針對國產原料及相應配方制定與之匹配的燒結工藝，燒結設備。
目前，氮化硅材料廣泛應用于新能源汽車、半導體、光伏、醫療器材、太陽能電池、手機底板、航空航天等領域，是這些領域的關鍵材料，也是第三代半導體碳化硅芯片最匹配的封裝材料。今年以來，氮化硅材料熱度持續上漲，已有多個項目簽約落地。
3月27日，浙江省嘉興國家高新區(高照街道)一季度重大項目集中簽約儀式舉行。其中，總投資約52億元的瓷新半導體材料總部項目計劃建設年產3000萬片的氮化硅基板及3000萬片氮化硅覆銅板，項目投產后將有效填補國內高端氮化硅陶瓷材料產業空白，助推汽車功率半導體產業發展。
而在5月31日，總投資10億元的氮化硅材料項目簽約落地浙江嘉興桐鄉。該項目主要生產氮化硅高純粉體及其制品，其中一期項目計劃投資5億元。
網站客服
粵公網安備 44030402000946號