前言：近日，摩根大通在其發布的報告中明確指出，晶圓代工行業的庫存去化過程已接近完成階段，這一進展標志著該行業正逐步擺脫庫存積壓的困境，并朝向更加穩健和可持續的發展路徑邁進。

       同時，AI領域的強勁需求持續增長，加之消費電子、數據中心等非AI領域的逐步回暖，共同構成了晶圓代工行業復蘇的穩固基石。

      晶圓代工邁入[2.0時代]

      在最近召開的臺積電第二季度財報發布會上，公司推出了[晶圓代工2.0]這一全新概念。

      傳統的晶圓代工概念主要聚焦于晶圓成品的制造加工，而臺積電董事長魏哲家則提出，晶圓代工2.0版本將涵蓋封裝、測試、光罩制作等多個環節，但排除了存儲芯片的IDM(整合元件制造商)。

       簡而言之，除芯片設計之外的所有環節均可納入晶圓代工2.0的范疇。

       基于2.0版本的定義，晶圓制造產業在2023年的市場規模已接近2500億美元，相較于1.0版本所定義的1150億美元，實現了顯著的增長。

       展望未來，預計2024年晶圓制造產業將實現近10%的同比增長。

       臺積電作為代工領域的龍頭企業，提出這一新戰略的背后，一方面可能是出于規避風險的考慮，鑒于其在代工市場的份額已高達壟斷級別的61.7%，遠超其他所有廠商的總和。

       另一方面，此舉也旨在拓展其增長空間。在2023年，純代工市場的規模僅為1150億美元，而包含封裝等環節的廣義代工市場則高達2475億美元。

       這一更廣闊的市場為臺積電提供了更大的發展潛力，使其能夠繼續提升銷售額，并在未來幾年內保持甚至可能進一步擴大其盈利能力。

       回顧過去，英特爾以IDM 2.0戰略為引領，率先在代工領域展翅高飛，積極接納來自各方的無晶圓廠客戶訂單。

       而現今，臺積電則推出了Foundry 2.0的新概念，兩者之間的競爭態勢愈發激烈，猶如棋逢對手。

       盡管兩者目前共享了英特爾新款處理器的代工訂單，但在代工市場的整體布局中，它們已悄然成為直接對抗的強勁對手。

　　三大晶圓代工廠均展現出了強勁的競爭力

       值得注意的是，與以往由單一行業路線圖主導工藝節點發展的模式不同，當前全球三大晶圓代工廠正逐步走出各自獨特的發展道路。

       然而，盡管在方法論、架構及第三方支持等方面存在顯著差異，它們均朝著采用3D晶體管與封裝技術、推動一系列使能及擴展性技術、構建更為龐大且多樣化的生態系統等共同目標邁進。

      展望未來，晶體管的擴展預計將至少延續至18/16/14埃米(1埃米=0.1納米)范疇，并有望從納米片及forksheet FET起步，未來某個時點或將引入互補FET(CFET)技術。

       這一發展趨勢主要受人工智能/移動計算領域對數據處理能力的迫切需求所驅動，要求芯片設計需具備高度冗余與同質性特征，以實現更高的生產效率。

       與此同時，為加速特定領域設計的市場投放速度，三大晶圓代工廠正致力于從根本上改變芯片的設計、制造與封裝方式。這一轉變要求標準、創新連接方案及工程學科之間的緊密合作與融合。

       在工藝領先性方面，三大晶圓代工廠均展現出了強勁的競爭力。

       英特爾計劃于今年推出Intel 18A(1.8納米)制程技術，并將在未來幾年內進一步推出Intel 14A(1.4納米)技術;

       三星則計劃在2027年通過SF1.4技術實現14埃米(1.4納米)制程的量產目標;

       臺積電亦表示將于2026/2027年在A16工藝中引入背面供電技術，而三星亦計劃在SF2Z(2納米)工藝中實現類似技術。

       在具體策略層面，英特爾依托EMIB技術開發芯片[sockets]，以突破商業芯片市場的壁壘;臺積電則推出了3Dblox語言，并提供了多樣化的封裝解決方案;

       三星則通過建立芯片供應商聯盟、提供橋接器并推出3DCODE語言等方式來增強自身競爭力。

　　晶圓代工需要投入更大的資本支出

       在2024年第二季度的收益電話會議上，臺積電正式宣布，本年度資本支出預計范圍將調整至300億至320億美元之間，這一數字高于此前所預估的280億至320億美元區間的下限。

       有進一步報道指出，臺積電今年的資本支出有望觸及預估范圍的上限，且預計明年該上限將再增50億美元，達到370億美元。

       這一數字有望創下歷史第二高，其龐大的投資規模讓其他競爭對手難以企及。

       具體而言，臺積電計劃將70%至80%的資本預算分配至先進工藝技術的研發與升級，約10%至20%的資金將專項用于專業技術領域的投資，而剩余的約10%則預留用于先進封裝測試、掩模制作及其他相關用途。

       臺積電已正式宣布，在美國亞利桑那州斥資650億美元，規劃建設三座尖端制程晶圓廠。

      其中，首座晶圓廠已進入設備安裝階段，預計將于明年實現4納米制程的量產;

      第二座晶圓廠已于2022年底動工，預計于2028年達到3納米制程的量產能力;第三座晶圓廠則尚在規劃階段，預計將于2030年前進入量產。

       此外，臺積電與博世、英飛凌及恩智浦共同宣布，將在德國德累斯頓投資100億歐元，建設一座16納米制程的晶圓廠。

       該項目預計將于今年第四季度動工，并于2027年實現量產，主要面向歐洲市場客戶。

　　另據TrendForce的權威報道，英特爾已規劃在2024年增加其資本支出比例，預計總額將達到262億美元，較去年有所提升，增幅約為2%。

       進一步分析TrendForce提供的數據，可以看出，在2023年，全球三大原始HBM制造商——SK Hynix、三星與美光的市場占有率分布如下：SK Hynix與三星均占據了約46%至49%的市場份額，而美光則相對較低，約為4%至6%。

       為鞏固并擴大其市場領先地位，SK海力士正持續加大投資力度。

       SK海力士的母公司SK集團于6月底發表聲明，宣布計劃在2028年之前向SK海力士投入高達103萬億韓元(約合748億美元)的資金。

       其中，約80%的投資額，即82萬億韓元，將專項用于HBM芯片的研發與生產。

       今年以來，SK海力士已對外公布了一系列投資計劃，包括在印第安納州投資38.7億美元建設先進封裝工廠及人工智能產品研究中心。

       此外，SK海力士還正積極推進清州M15X晶圓廠的建設工作，該晶圓廠預計將于明年下半年正式投入量產，總投資額超過20萬億韓元(約合146億美元)。同時，公司還計劃于明年3月啟動龍仁半導體集群首座晶圓廠的建設工作，并預計于2027年5月完成全部建設任務。

　　與此同時，三星在2023年針對半導體領域的資本支出已高達372.68億美元，彰顯了其在該領域的堅定承諾。

       在年初的CES2024展會上，三星美國芯片業務負責人Han Jin-man表示，盡管當前市場環境充滿挑戰，但三星電子仍堅定地將HBM領域的投資增加了2.5倍，并承諾明年將維持這一高水平的投資力度。

       Han Jin-man還強調，今年將是為2025年可能出現的需求超越供應的局面做好充分準備的關鍵一年。

       值得一提的是，三星在今年2月成功研發出業界首款12堆棧HBM3E DRAM HBM3E 12H產品，并據韓媒報道，三星已與AMD達成合作協議，將向其供應價值高達4萬億韓元(約合29.1億美元)的HBM3E產品。

       此外，美國商務部(DOC)與三星電子簽署了一份非約束性初步條款備忘錄(PMT)，根據《芯片與科學法案》的相關規定，三星電子將有望獲得高達64億美元的直接資助。

       三星預計將在未來幾年內于德克薩斯州中部地區投資超過400億美元，以擴大其HBM及2.5D封裝產能。

       最后，據韓國媒體《韓國經濟日報》的最新報道，三星電子公司正計劃向韓國開發銀行申請高達5萬億韓元(約合36億美元)的貸款資金，以支持其在韓國及海外地區的更多芯片生產設施建設項目。

　　結尾：

       此外，隨著供應鏈中斷及地緣政治因素的影響日益凸顯，美國與歐洲正積極推動制造業回流本土，這進一步加劇了晶圓代工廠之間的競爭態勢。

       在此背景下，市場份額的爭奪已不再局限于單一因素而需綜合考慮多方面因素。

       綜上所述，未來晶圓制造領域的競爭將更加激烈而復雜。而全球三大晶圓代工廠所制定的路線圖決策不僅將深刻影響各自企業的發展軌跡更將對整個半導體行業產生深遠而廣泛的影響。