2022年由于眾所周知的原因，導(dǎo)致中國存儲芯片難以獲得先進(jìn)芯片設(shè)備，他們的技術(shù)研發(fā)也因此一度陷入停滯。

　　2022年中國的存儲芯片率先量產(chǎn)232層NAND flash，技術(shù)上的超越發(fā)起了第一輪價格戰(zhàn)，讓三星利潤暴跌九成，美國存儲芯片企業(yè)美光巨虧數(shù)十億美元。

　　之后美日韓存儲芯片量產(chǎn)了更先進(jìn)的300層NAND flash，技術(shù)上再取得優(yōu)勢，加上他們本來就占有超過九成的市場份額，技術(shù)和市場優(yōu)勢讓他們聯(lián)合推動價格翻倍，利潤大幅增長。

　　這兩年中國存儲芯片力推國產(chǎn)芯片設(shè)備替代，存儲芯片無需如邏輯芯片那樣采用先進(jìn)的工藝，例如DRAM內(nèi)存就只是用到19納米工藝，用落后一些的工藝，存儲芯片可以更耐用、更可靠，國產(chǎn)芯片逐漸恢復(fù)了正常生產(chǎn)，技術(shù)方面也取得了突破。

　　據(jù)悉今年中國存儲芯片產(chǎn)能占全球的份額已達(dá)到10%，較2022年的5%翻了一倍，生產(chǎn)恢復(fù)正常后，中國存儲芯片開始再度大舉攻占市場，由此近兩個月以來DDR4內(nèi)存降價了四成。

　　中國存儲芯片也已開始量產(chǎn)DDR5內(nèi)存芯片，據(jù)稱良率已達(dá)到80%，而明年中國存儲芯片產(chǎn)能占全球的比例將達(dá)到15%，產(chǎn)能的進(jìn)一步增加，以及技術(shù)上的升級，可以預(yù)期明年中國存儲芯片的攻勢會更猛。

　　存儲芯片是中國芯片發(fā)起攻勢的一個縮影，中國在成熟芯片方面已快與中國臺灣比肩，隨著中國成熟芯片產(chǎn)能的大幅上升，中國芯片正大舉在全球發(fā)起攻勢。

　　近期中國臺灣的媒體就指出中國的芯片代工企業(yè)以六成的價格搶奪芯片客戶，眾多中國臺灣的芯片企業(yè)已心動，因此減少了給中國臺灣的聯(lián)電、力積電的訂單，而大舉增加對中國大陸芯片代工企業(yè)的下單。

　　這也推動中國大陸的芯片代工企業(yè)在今年三季度均取得一成以上的增長，其中中芯國際更是以14%的增速居于全球第一，連全球最強的臺積電增速也只有13%多點，而聯(lián)電、力積電等的增長只有個位數(shù)，三星的芯片代工更是大幅下跌。

　　中國的成熟芯片大舉進(jìn)攻國際市場，推動中國芯片出口額在今年前11個月就已突破萬億元人民幣，這也是中國芯片出口首次突破萬億元人民幣，凸顯出中國芯片在國際市場的猛烈攻勢。

　　中國芯片的猛烈攻勢，導(dǎo)致美國近期計劃采取措施調(diào)查中國的成熟芯片，可見美國芯片是真的無法在市場上與中國芯片競爭，凸顯出中國芯片的競爭優(yōu)勢實在驚人。

　　恐怕美國怎么也沒想到，數(shù)年下來，美國連連采取措施，中國芯片卻仍然頑強成長起來，還大舉進(jìn)攻國際市場，給他們造成如此巨大的壓力，這樣的結(jié)果恐怕是真的讓他們后悔得腸子都青了吧。