中國(guó)存儲(chǔ)芯片廠攪動(dòng)全球價(jià)格戰(zhàn)

時(shí)間:2025-05-12

來(lái)源:電子技術(shù)應(yīng)用

導(dǎo)語(yǔ):在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)上,中國(guó)大型企業(yè)的存在感正在增強(qiáng)。這是因?yàn)榧夹g(shù)創(chuàng)新推動(dòng)供應(yīng)廠商以中國(guó)為中心增加,價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力也在提高。由于政府的補(bǔ)貼政策,中國(guó)有些產(chǎn)品比其他國(guó)家便宜50%左右,這成為壓低世界大宗交易價(jià)格的一個(gè)因素。

  在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)上,中國(guó)大型企業(yè)的存在感正在增強(qiáng)。這是因?yàn)榧夹g(shù)創(chuàng)新推動(dòng)供應(yīng)廠商以中國(guó)為中心增加,價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力也在提高。由于政府的補(bǔ)貼政策,中國(guó)有些產(chǎn)品比其他國(guó)家便宜50%左右,這成為壓低世界大宗交易價(jià)格的一個(gè)因素。

  半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是在個(gè)人電腦(PC)和智能手機(jī)等電子設(shè)備內(nèi)部?jī)?chǔ)存數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)介質(zhì)。其中包括用于短期存儲(chǔ)的DRAM和用于長(zhǎng)期存儲(chǔ)的NAND型閃存等。世界領(lǐng)先企業(yè)有美國(guó)的美光科技、韓國(guó)的三星電子和SK海力士等。但是,在NAND領(lǐng)域,中國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技(YMTC)正在擴(kuò)大市場(chǎng)份額,在DRAM領(lǐng)域,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)(CXMT)也在增長(zhǎng)。

  長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技等中國(guó)產(chǎn)品的主要銷售市場(chǎng)是中國(guó)國(guó)內(nèi)。中國(guó)正在實(shí)施鼓勵(lì)購(gòu)買本國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的補(bǔ)貼政策。調(diào)查公司TechInsights等的數(shù)據(jù)顯示,中國(guó)產(chǎn)DRAM和NAND比其他國(guó)家的產(chǎn)品便宜23%,如果考慮到補(bǔ)貼,最多能便宜50%左右。

  在向中國(guó)銷售其他國(guó)家產(chǎn)品時(shí),不得不考慮中國(guó)產(chǎn)品的價(jià)格。因此,在作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一大市場(chǎng)的中國(guó)降價(jià)將波及全球。從以NAND為主要零部件的存儲(chǔ)裝置固態(tài)硬盤(SSD)1~3月的大宗交易價(jià)格來(lái)看,作為指標(biāo)的TLC(三電平單元)256GB為每個(gè)29.9美元左右,比上季度下降了8%。

  從NAND來(lái)看,存儲(chǔ)單元縱向堆疊的層數(shù)是評(píng)價(jià)性能的指標(biāo)之一。TechInsights的Jeongdong Choe表示,“長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技在采用混合鍵合(HB)技術(shù)的產(chǎn)品量產(chǎn)化方面比韓國(guó)企業(yè)更早取得了成功”。在市售產(chǎn)品中(截至3月),長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技的產(chǎn)品“層數(shù)最多,達(dá)到267層”,Jeongdong Choe表示。

  中國(guó)對(duì)本國(guó)產(chǎn)品的優(yōu)惠政策也在影響DRAM價(jià)格。從2月的大宗交易價(jià)格來(lái)看,作為指標(biāo)的DDR4 8GB為每個(gè)1.70美元左右。容量較小的4GB產(chǎn)品在1.30美元左右,均連續(xù)6個(gè)月下降,創(chuàng)出了2023年12月以來(lái)的最低水平。3月的價(jià)格也與上月持平。有分析認(rèn)為,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)崛起等因素正在壓低DDR4和上一代產(chǎn)品DDR3等的價(jià)格。

  由于中國(guó)企業(yè)的低價(jià)攻勢(shì),NAND和DRAM的價(jià)格呈現(xiàn)下跌趨勢(shì),但目前也有觀點(diǎn)認(rèn)為,價(jià)格將在今年內(nèi)見底。理由之一是企業(yè)為特朗普政府關(guān)稅政策做的準(zhǔn)備。為了應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)品被征收高關(guān)稅的情況,作為買方的設(shè)備制造商和模塊制造商等正在增加庫(kù)存。

  由于個(gè)人電腦和智能手機(jī)的銷售增長(zhǎng)乏力,NAND和DRAM也受到需求減弱的影響,消費(fèi)者的觀望情緒也在一定程度上導(dǎo)致了價(jià)格下跌。據(jù)悉,DRAM中約有50%用于個(gè)人電腦和數(shù)據(jù)中心的服務(wù)器設(shè)備,約35%用于智能手機(jī)。然而,近期市場(chǎng)出現(xiàn)變化,“有權(quán)威調(diào)研機(jī)構(gòu)指出庫(kù)存可能會(huì)比預(yù)期更早減少,這成為契機(jī),DDR4、DDR5以及高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)等的需求正在增強(qiáng)”,一位電子元器件貿(mào)易公司的負(fù)責(zé)人表示。

  從NAND來(lái)看,一些大型制造商正在減產(chǎn),縮減供應(yīng)的趨勢(shì)仍在持續(xù)。有觀點(diǎn)認(rèn)為,如果服務(wù)器等的需求增強(qiáng),半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的價(jià)格將在年內(nèi)轉(zhuǎn)向上漲。最早可能在4~6月的大宗交易價(jià)格上出現(xiàn)觸底的跡象。


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