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英飛凌科技推出高功率LDMOS晶體管

時間：2009-06-19

來源：中國傳動網

導語：英飛凌科技（Infineon TEchnologies）于美國波士頓所舉辦的IEEEMTT-S國際微波技術研討會（International Microwave Symposium）上宣布推出可供設計寬頻無線網絡基站的高功率LDMOS晶體管系列產品。

英飛凌科技（Infineon TEchnologies）于美國波士頓所舉辦的IEEEMTT-S國際微波技術研討會（International Microwave Symposium）上宣布推出可供設計寬頻無線網絡基站的高功率LDMOS晶體管系列產品。 新型晶體管的功率位準高達300W，視頻頻寬超過90MHz，完全支持由3G發展為4G無線網絡所需的高峰值對均值功率比（peak to average power ratio）以及高數據傳輸速率規格。 新型晶體管系列產品所提供的高增益及高功率密度，優于在1.4-2.6GHz行動頻帶中運作的其它裝置。如此將可使用體積減少30%的套件，設計更小型且成本更低的放大器。高峰值功率非常有助于設計Doherty放大器，以及減少其它架構中的零件數量。 這批新型晶體管以雙載波WCDMA訊號（2170MHz、30V、8dBPAR及3.84MHz信道頻寬）所測得的效能為50W平均功耗、18dB增益，效率28%（使用230W的P-1dB輸出功率晶體管）。300W（P-1dB）裝置于相同應用條件下，所測得的效能為65W平均功率、18dB增益，效率28%。 所有新型PTFB系列晶體管皆采用開放式共振腔（open-cavity）陶瓷封裝，供螺栓式（bolt-down）或無耳式（earless）安裝。這些產品皆無鉛并符合ROHS規格。前六種產品的樣品目前已可供貨。
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