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英特爾采用3D晶體管技術開發全新凌動芯片架構

時間：2011-05-17

來源：上海傲勇拓電子科技有限公司

導語：英特爾正在開發一款采用3D晶體管技術的凌動芯片架構。英特爾在加速節能芯片的開發進程，以進入智能手機和平板電腦芯片市場。

      英特爾正在開發一款采用3D晶體管技術的凌動芯片架構。英特爾在加速節能芯片的開發進程，以進入智能手機和平板電腦芯片市場。

　　消息人士透露，代號為Silvermont的新款凌動芯片將于2013年發售。采用3D晶體管技術的Silvermont在整合度、性能和效能比方面將達到一個全新的水平。

　　與未來所有的凌動芯片一樣，Silvermont也采用片上系統設計。凌動芯片的發展速度快于摩爾定律。目前的凌動芯片采用45納米工藝，今年晚些時候將升級到32納米。

　　上述消息人士稱，盡管細節還不清楚，Silvermont旨在利用22納米工藝和3D晶體管技術。預計英特爾將在本周的分析師會議上披露更多的凌動片上系統開發計劃。

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