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IEDM群英薈萃 臺積電32奈米測試芯片獨放異彩

時間:2007-12-13

來源:中國傳動網

導語:IEDM群英薈萃 臺積電32奈米測試芯片異彩紛呈

IEDM群英薈萃 臺積電32奈米測試芯片異彩紛呈 據境外媒體報道,11日位在美國華盛頓特區舉辦的國際電子元件大會(IEDM)中群雄蕓集,幾大半導體巨頭紛紛發表演講,展現新技術實力。IEDM與ISSCC、VLSI是3個國際級半導體元件年度技術論文的發表大會,每年幾乎各知名學術機構、半導體業者皆以其最新、最先進半導體設計與技術參與發表論文,從中也可一窺未來半導體產業先端技術、市場發展端倪。 此次IEDM中,臺積電高度參與,宣布其第1顆32奈米制程測試芯片已正式通過內部功能驗證,未來將可同時支持單芯片中數碼、類比電路。外界預料,以臺積電每2年發展1個制程世代的進程估算,32奈米制程芯片已具雛形,最快可在2009年實現量產。 臺灣媒體表示,除了臺積電高度參與,董事長張忠謀親身赴會演講,國際級半導體大廠包括英特爾(Intel)、IBM及三星電子(Samsung Electronics)也不惶多讓,也藉由IEDM展現其技術實力。英特爾方面,主要是著重于其45奈米及32奈米制程高溫下采用高介電系數材料及金屬閘極技術發表、及關于相變化存儲器和快閃存儲器技術;IBM則著重45奈米與65奈米絕緣層上覆矽(SOI)超低漏電制程;韓國三星則發表關于40奈米存儲器制程與先進半導體材料技術。
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