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意法半導體制造出45nm工藝CMOS RF芯片

時間：2007-12-14

來源：意法半導體（ST）

導語：意法合資的意法半導體（STMicroelectronics）宣布，制造成功了使用45nm工藝CMOS RF（無線射頻）技術的芯片（英文發布資料）。

意法合資的意法半導體（STMicroelectronics）宣布，制造成功了使用45nm工藝CMOS RF（無線射頻）技術的芯片（英文發布資料）。 試制品制造于300mm硅晶圓上。為集成了從RF信號的檢波到后期處理，最后以數字形式輸出的一系列功能的SoC（系統級芯片）。芯片面積為0.45mm2，低噪音放大器、混頻器、A-D轉換器及濾波器在1.1V的電壓下工作。
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