新器件在1.2V的柵源電壓下便可導通；4.5V時導通電阻為9.4mΩ
賓夕法尼亞、MALVERN—2012年6月28日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出新款8VN溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mmx2mm的熱增強型PowerPAK®SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導通電阻。
新的SiA436DJ在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有9.4mΩ、10.5mΩ、12.5mΩ、18mΩ和36mΩ的超低導通電阻。導通電阻數值比前一代方案最多低18%，比2mmx2mm占位面積的最接近的N溝道器件最多低64%。
SiA436DJ可用于智能手機、平板電腦，以及移動計算應用等便攜式電子產品中的負載切換。器件的超小尺寸PowerPAKSC-70封裝可在這些應用中節省PCB空間，同時其低導通電阻可以減少傳導損耗，達到降低功耗、提高效率的目的。
MOSFET在1.2V電壓下就可導通，使MOSFET可以采用手持設備中常見的低壓電源軌進行工作，簡化了電路設計，使電池在兩次充電周期之間的工作時間更長。SiA436DJ的低導通電阻還可以減低負載開關上的電壓降，防止出現討厭的欠壓鎖定現象。
SiA436DJ通過了100%的Rg測試，符合IEC61249-2-21的無鹵素規定，符合RoHS指令。
新的SiA436DJTrenchFET功率MOSFET現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十二周。
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