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Vishay在日本舉行的Techno-Frontier上展出領先半導體和無源電子元件

時間:2012-07-05

來源:VISHAY 威世電子

導語:日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,將參加7月11日至13日日本TokyoBigSight舉行的Techno-Frontier2012,在專業的功率系統展覽PowerSystemJapan的6D-210展位展出其最新的半導體和無源電子元件。

  賓夕法尼亞、MALVERN—2012年7月5日—日前,VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代號:VSH)宣布,將參加7月11日至13日日本TokyoBigSight舉行的Techno-Frontier2012,在專業的功率系統展覽PowerSystemJapan的6D-210展位展出其最新的半導體和無源電子元件。為紀念FelixZandman創辦Vishay50周年,Vishay將展示其產品如何幫助工程師滿足在各種各樣應用中對節省空間和提高效率的特定需求。

  Vishay在Techno-Frontier2012展出的產品包括:

  電阻:Vishay將展出具有高功率密度和能在+275℃高溫的惡劣環境下工作的PowerMetalStrip®電阻,以及用于功率計和電池管理應用的高電流PowerMetalStrip分流電阻。觀眾在展會上還會看到適用于風電機組的不銹鋼剎車電阻,用于汽車、工業和電信應用的圓柱形薄膜MELF電阻。

  電感器:對于各種最終產品中的電壓調節模塊(VRM)、DC-DC轉換器和噪聲濾波應用,Vishay將展示最新的SMD電感器,以及高溫、高電流通孔器件。

  電容器:Vishay的MICROTAN®固鉭片式電容器將在展會上亮相,此外還有用于中功率電子產品的小尺寸DC-link聚丙烯薄膜電容器。對于核磁共振診斷設備,公司將展出無磁多層陶瓷片式電容器(MLCC)。

  二極管:重點產品將包括用于汽車應用的整流器和瞬態電壓抑制器(TVS),以及具有極低正向電壓降和低外形封裝,可用于光伏太陽能電池旁路保護的45VTMBS®系列整流器。

  MOSFET:TrenchFET®GenIV功率MOSFET將出現在展會上,這種MOSFET的導通電阻只有前一代20V~30V器件的一半。另一個看點是E系列功率MOSFET,其導通電阻比其他600V~650V器件低30%。

  功率IC:對于負載點應用,Vishay將提供高效同步降壓穩壓器和microBUCK®穩壓器,用于電壓穩壓器(VR)的高頻、高電流的DrMOS集成式功率級可在服務器、桌面電腦、圖形卡和其他產品中能夠發揮節省空間的功效。

  光電子產品:特色產品將包括用于3D電視主動式眼鏡的表面貼裝紅外接收器;業內首款把信號探測和處理集成到單個元件內的遙控編碼學習IC;具有業內0.8mm業內最低高度的全集成式接近和環境光光學傳感器。超高亮度的超薄ChipLED將出現在展會上,以及業內首款采用表面貼裝封裝,可用于太陽能、風能機組裝置的符合CATIV的高壓隔離光耦。

  欲了解Techno-Frontier2012的更多信息,請訪問http://www.jma.or.jp/TF/en/。

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