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南車株洲所8英寸IGBT生產線項目將建成

時間：2013-05-31

來源：網絡轉載

導語：IGBT是一種新型功率半導體器件，具有驅動功率小、開關損耗低、工作頻率高、電流密度大等優點，廣泛應用于軌道交通、航空航天、新能源電動汽車、高壓變頻及電力傳輸等重要行業和領域。

長期以來，全球IGBT技術，尤其是6英寸以上大功率IGBT關鍵技術及產品，被日本三菱、東芝、瑞士ABB、德國英飛凌等少數大公司壟斷。但是這一技術壟斷將會被打破。近日，南車株洲電力機車研究所有限公司傳來消息，8英寸IGBT生產線項目年內就可建成投產。

“南車株洲所”憑借雄厚的技術實力，成功攻克技術難關，相繼研制出6英寸、8英寸IGBT產品，形成了設計、研制、系統應用等成套技術，在打破國外技術壟斷的同時，填補了國內在這一高新技術產業領域的空白。

                    南車株洲所8英寸IGBT生產線項目將建成

2011年5月，“南車株洲所”8英寸IGBT生產線項目奠基建設，這是全國首條該尺寸IGBT生產線。建成投產后，將形成年產12萬片8英對lGBT芯片和100萬只大功率新型半導體器件生產能力，年產值超20億元，成為我國規模最大的IGBT產業基地。

目前，項目廠房建設、基礎工程、工藝設備等方面，正在快速推進。

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