隨著我國電力系統網絡的不斷發展，在建或已批準電力計劃的不斷增多，其與電力行業相關產業也隨之迅速發展起來。
從相關數據來看，我國變頻調速技術起步較晚，比歐美、日本等發到國家晚了10至15年。不過，有專家認為，由于目前中高端變頻器市場應用主要被歐美、日本品牌占據，從長期發展趨勢來講，有近80%的進口替代空間，中低壓將是變頻器未來爭奪的主戰場。
同時，2011年，國內市場中低壓變頻器供不應求，第一次出現比高壓變頻器增速快的現象，高壓變頻器則競爭進一步加劇。“通常，中低壓變頻器的市場規模增長在10%-15%的水平，但2011年的增速首次超過了高壓變頻器，達到了30%的加速發展”，業內人士稱。
近年來，隨著變頻器行業的發展，變頻器的核心電子器件也從最初的SCR(晶閘管)、GTO(門極可關斷晶閘管)，經過BJT(雙極型功率晶體管)、SITH(靜電感應晶閘管)、MGT(MOS控制晶體管)、MCT(MOS控制晶閘管)，發展到今天的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、HVIGBT(耐高壓絕緣柵雙極型晶閘管)，器件的更新促使變頻器的應用領域更為廣泛，市場規模隨之迅速擴大。IGBT屬微電子產品，目前國內在該領域技術相對落后，國內變頻器企業普遍采用德國和日本的進口產品。中、低壓變頻器生產所需的IGBT，也只有少數國內企業可以供應。
“未來，變頻器市場的爭奪比拼的就是IGBT等核心器件的研制能力。這是國內努力在IGBT上需求突破的原因。”有關人士指出。
現在，隨著2012下半年，國家密集公布批準的輸變電建設計劃，預計在未來幾年中我國的電力相關行業都將進入到一個較快的發展時期，在這期間，雖然高中低三檔的變頻器需求都將大增，但我們還是需要通過消費業績來反哺科研投入，以加強在相關領域的行業競爭力。
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