2019年全球分立功率半導體器件的市場規模達到403億元，2015-2019年復合增長率為5.3%。在中國市場，分立功率半導體器件的市場規模呈現增長，由2015年的110億美元增至2019年的145億美元，復合年增長率約7.3%。

　　全球市場規模不斷增加

　　分立功率半導體器件指用于電力電子作為開關或整流器的分立半導體器件，且與其他功率器件組裝時作為功率IC的一部分。分立功率半導體器件可分為三極管、品閘管和二極管。

　　2019年全球分立功率半導體器件的市場規模達到403億元，2015-2019年復合增長率為5.3%。未來，隨著全球需求的普遍增加，加上中國制造分立器件的能力增長，預計市場規模將會繼續增長。

　　在全世界上，除MOSFET之外的三極管如IGBT及BJT在按產品類別劃分的市場份額一直維持行業前沿，2019年占36.9%;市場份額排在第二位的是二極管，2019年占比為32.7%;MOSFET市場份額為26.0%，排名第三。

　　MOSFET在中國市場占據首位

　　在中國市場，分立功率半導體器件的市場規模呈現增長，由2015年的110億美元增至2019年的145億美元，復合年增長率約7.3%。展望未來，依據全球需求的普遍上升，加上中國制造分立器件如MOSFET、二極管及三極管的龐大產能，市場規模預期將會持續增長。

　　按器件類別劃分，MOSFET在分立功率半導體器件當中排名首位，2019年占市場規模的36.3%，其次為二極管、其他三極管(包括IGBT)及晶閘管，市場份額分別為32.2%、26.0%及5.5%。

　　在MOSFET下游應用(如電動車、工業物聯網(連接至互聯網的實體裝置，即IoT)及消費電子產品)的快速發展基礎下，按MOSFET銷售額劃分的市場規模已由2015年的37億美元增至2019年的53億美元，復合年增長率約9.2%。

　　2019年中國的MOSFET、IGBT及二極管之出口值分別為24.39億元、20.91億元及15.95億元，自2015年至2019年分別按4.0%、4.7%及3.9%的復合年增長率增長。

　　通過資金投資及科學合作發揮的巨大力量使電子產品及半導體器件的核心技術持續突破。例如，晶圓尺寸持續擴大以滿足容納更多微芯的需求且中國硅料供應商的目標為在國內開發更大的12英寸晶圓，以取代現有的六英寸晶圓。因此，分立功率半導體器件制造商若具備敏感度并能符合新發展技術趨勢，將能建立其競爭優勢。

　　更多數據請參考前瞻產業研究院《中國半導體分立器件制造行業發展前景與投資預測分析報告》，同時前瞻產業研究院提供產業大數據、產業規劃、產業申報、產業園區規劃、產業招商引資、IPO募投可研等解決方案。