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意法半導體發布MasterGaN參考設計并演示250W無散熱器諧振變換器

時間:2021-05-18

來源:網絡轉載

導語:中國,2021年5月18日——意法半導體發布了MasterGaN的首個參考設計,展示了新款高集成度器件如何提高功率密度、能效,簡化產品設計,縮短上市時間。

  EVLMG1-250WLLC 參考設計是一個250W諧振變換器,電路板尺寸是100mm x 60mm,最高組件高度是35mm。功率芯片是集成了一個STDRIVE半橋柵極驅動器以及兩顆650V常關的GaN晶體管的MasterGaN1。其具有匹配的時序參數,導通電阻(Rds(on)) 150mΩ,最大額定電流10A,邏輯輸入兼容3.3V至15V信號。

  MasterGaN1適用于最高400W的AC/DC電源、DC/DC變換器和DC/AC逆變器應用中的高效軟開關拓撲,包括諧振變換器、有源鉗位反激或正激變換器,以及無橋圖騰柱PFC(功率因數校正)。

諧振變換器

  利用GaN功率晶體管的高能效,參考設計一次側采用無散熱器設計。此外,GaN晶體管的開關性能出色,工作頻率高于普通硅基MOSFET解決方案,因此可以使用較小的電磁元件和電容,實現更高的功率密度和更低的物料清單成本。

  EVLMG1-250WLLC是一個標稱400V輸入的電源參考設計,提供一個24V/10A輸出端口,最高能效超過94%。得益于MasterGaN內部集成的安全功能,變換器輸出有短路和過流保護功能。還具有欠壓保護和輸入電壓監測功能,電壓檢測功能可在多個DC/DC變換器中實現上電排序,防止電動機低壓起動。

  意法半導體的MasterGaN系列產品由引腳兼容的集成半橋產品組成,包括對稱和非對稱配置,采用9mm x 9mm的薄型GQFN封裝。封裝內部電路額定電壓最高650V,高低壓焊盤之間的爬電距離超過2mm。MasterGaN模塊適用于各種額定功率,工程師略做硬件修改,即可擴展升級系統設計。

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