在美國舊金山舉辦的一次國際半導體會議上，該團隊通過多篇論文公布了上述新技術。

　　過去幾年，在制造更小、更快速的芯片方面(所謂“X納米芯片”)，英特爾輸給了中國臺灣的臺積電和韓國三星電子兩大對手;如今，英特爾正在千方百計重新贏得芯片制造領域的領導者地位。

　　此前，帕特·基辛格(Pat Gelsinger)擔任英特爾信任首席執行官之后，推出一系列在2025年重新贏得優勢地位的商業發展規劃。而這一次該公司技術團隊推出了一系列“技術性武器”，幫助英特爾在2025年后一直保持技術優勢。

　　據報道，傳統的芯片制造都是在二維方向上，在特定面積內整合更多晶體管。英特爾技術團隊提出了一個新的技術突破方向，那就是在三維方向上堆疊“小芯片”(或“芯片瓦”)，從而在單位體積內整合更強大的晶體管和計算能力。該公司展示的技術顯示，可以在相互疊加的小芯片上實現十倍于傳統數量的通信連接管道，這也意味著未來小芯片一個疊加在另外一個“身上”的空間很廣闊。

　　半導體上最重要、最基本的組件是晶體管，它們相當于一個開關，代表數字邏輯體系的“1”或“0”狀態。英特爾在這次大會上公布的一項可能是最重要的研究成果，正好展示了一種相互堆疊晶體管的新技術。

　　英特爾技術團隊表示，通過晶體管堆疊技術，可以使得在單位尺寸內整合的晶體管數量增長三成到五成。單位面積的晶體管數量越多，半導體的性能也就越強大，這正是全球半導體行業在過去50多年時間里不斷發展的最重要原因和規律。

　　在接受新聞界采訪時，英特爾“組件研究集團”總監兼高級工程師保羅·費舍爾(Paul Fischer)表示，通過把半導體零組件一個堆疊在另外一個身上，英特爾技術團隊可節省芯片空間，“我們正減少芯片內部連接通道的長度，從而節省能耗，這樣不僅提高芯片成本效益，更能增強芯片性能?！?/p>