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芯片行業步入下行階段,中國芯片彎道超車,ASML真的后悔了

時間:2022-10-28

來源:柏銘007

導語:光子芯片生產線的籌建,代表著中國研發新的芯片技術替代當下的硅基芯片邁出了堅實的一步,按照這樣的發展進度,中國或許將率先商用光子芯片,從而實現彎道超車,在芯片技術方面取得領先地位。

  日前ASML表示自己是歐洲企業而不是美國企業,它將積極尋求DUV光刻機的自由出貨,甚至還計劃在EUV光刻機技術上擺脫美國的羈絆,希望加強與中國芯片合作,為何ASML的態度突然發生重大變化?

  一、中國芯片彎道超車

  給ASML帶來震撼的無疑是中國籌建光子芯片生產線,這意味著中國推進光子芯片技術已取得重大突破,這將可能徹底改變當下的芯片技術,對ASML等海外芯片設備企業造成重大打擊。

  光子芯片生產線的籌建,代表著中國研發新的芯片技術替代當下的硅基芯片邁出了堅實的一步,按照這樣的發展進度,中國或許將率先商用光子芯片,從而實現彎道超車,在芯片技術方面取得領先地位。

  當然考慮到光子芯片進入邏輯計算還需要一段時間,中國也仍然繼續研發硅基芯片,在硅基芯片方面雖然受制于海外芯片設備,但是中國通過完善自己的芯片制造產業鏈,純國產化的14nm工藝即將變成現實,也正是由于中國在14nm光刻機方面的突破,美國并未限制14nm及以上光科技對中國銷售。

  除了繼續研發先進工藝之外,中國還在研發特色工藝,中芯國際研發的55納米BCD工藝就超越了該項工藝的開創者意法半導體,意法半導體如今的先進BCD工藝才是90納米,特色工藝的彎道超車讓海外芯片行業認識到了中國芯片的潛力。

  二、ASML面臨的壓力

  業界都清楚當下的硅基芯片已逐漸接近極限,即使是當下已量產的3nm工藝以及正在研發的2nm工藝可以繼續提升硅基芯片的性能,成本也變得難以承受,臺積電的3nm就因為成本過高以及性能不達標而沒有客戶愿意采用,被迫進一步改良至N3E工藝,祈求N3E工藝能獲得客戶的認可。

  相比3nm工藝,2nm工藝將需要第二代EUV光刻機,第二代EUV光刻機的成本將是第一代EUV光刻機的三倍以上,研發難度也更高,如此一來2nm工藝的超高成本能否獲得芯片企業的認可將是問題。

  如此芯片制造企業臺積電等對于采購先進光刻機的態度已不那么堅決,畢竟成本那么高,如果沒有客戶的話大量投資將可能打水漂,這讓ASML開始擔憂投入巨資研發的第二代EUV光刻機能帶來多少收入。

  對于ASML來說當下更是可能面臨生存問題,今年以來全球芯片行業已步入下行階段,先進工藝產能面臨過剩,臺積電已計劃關閉部分EUV光刻機,SK海力士、美光科技等也表示明年大規模縮減開支,這意味著它們很可能不再采購EUV光刻機和DUV光刻機,此時中國這個客戶的重要性被進一步凸顯。

  在光子芯片真正商用之前,中國仍然需要依托于現有的芯片技術擴張產能,中國期望到2025年實現七成芯片自給率,而2021年才達到三成多點,如此ASML如果能自由對中國銷售光刻機,中國市場對ASML來說就是雪中送炭。

  中國近期的芯片設備招標也給了ASML一記重拳,中國招標28臺光刻機,結果中國自身的光刻機企業獲得了7臺,日本光刻機則獲得了21臺,ASML一臺訂單也沒有獲得,顯然中國芯片行業給ASML釋放了信號,光刻機不是非ASML不可。

  正是在諸多不利因素影響之下,ASML如今開始轉變態度,開始尋求擺脫美國的羈絆,而爭取中國芯片的訂單,避免自己在如今的寒冬中瑟瑟發抖,這已是ASML的生死存亡之際,可以說ASML如今真的后悔了。


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